光刻曝光剂量的测算方法、装置、设备、控制系统及介质制造方法及图纸

本申请公开了一种扫描干涉光刻曝光剂量的测算方法、装置、测算设备及介质，根据在曝光处的辐射束的第一测量数据，并获取所述曝光处的干涉场的第二测量数据，计算模型提前根据获取的第一测量数据和第二测量数据建立，基于所述第一测量数据、所述第二测量数据和计算模型计算所述曝光处的曝光剂量，提高了曝光剂量的测算准确度。测算准确度。测算准确度。

【技术实现步骤摘要】
光刻曝光剂量的测算方法、装置、设备、控制系统及介质


[0001]本申请涉及光刻
，具体涉及一种光刻曝光剂量的测算方法、装置、设备、控制系统及介质。

技术介绍

[0002]干涉光刻法制作光栅掩模的基本原理是利用干涉场内明暗相间的条纹实现光刻胶的分区曝光，再经过显影工艺得到掩模图形。为保障掩模的均匀性，对曝光剂量进行精确测算是必不可少的。
[0003]区别于大口径全息干涉场曝光，扫描干涉光刻技术是采用毫米级的光场，通过步进扫描的运动方式，得到米级曝光面积的。由此可知，曝光区域内任意点处的剂量都是数次扫描曝光剂量的叠加，是干涉场的尺寸、功率以及运动参数等多重因素的综合作用结果。不仅如此，扫描干涉光刻技术还采用了强度呈高斯分布的辐射束进行干涉。诸多因素给曝光剂量的测算带来了极大的挑战。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本申请提供一种光刻曝光剂量的测算方法、装置、设备、控制系统及介质，获取曝光处辐射束和干涉场的测量数据通过数学模型完成剂量计算，提高了曝光剂量的测算准确度。
[0005]第一方面，本申请实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻曝光剂量的测算方法，其特征在于，所述方法包括：获取在曝光处的辐射束的第一测量数据，并获取所述曝光处的干涉场的第二测量数据；基于所述第一测量数据、所述第二测量数据和计算模型计算所述曝光处的曝光剂量。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一测量数据包括：强度分布数据，所述第二测量数据包括：相位分布数据，所述基于所述第一测量数据、所述第二测量数据和计算模型计算所述曝光处的曝光剂量，包括：基于所述强度分布数据和相位分布数据确认所述曝光处的计算模型；基于所述计算模型进行积分计算得到单次扫描曝光剂量；基于所述单次扫描曝光剂量进行求和计算，得到所述曝光处的曝光剂量。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述计算模型为；其中，M
111
和M
112
为强度分布数据，Φ为相位分布数据，k为波矢，x为扫描运动方向的位置，y为步进运动方向的位置，I(x,y)为坐标(x,y)曝光处强度分布数据；所述基于所述计算模型进行积分计算得到单次扫描曝光剂量，其中，计算得到单次扫描曝光剂量的计算式为；其中，S为单次步进运动的距离，v为基片的扫描运动速度，E
i
(x
‑
iS)为第i次扫描的曝光剂量；所述基于所述单次扫描曝光剂量进行求和计算，得到所述曝光处的曝光剂量，其中，N次扫描曝光剂量进行求和计算式为；其中，E为经过N次步进扫描曝光后的曝光剂量。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括:获取在测量处的辐射束的强度分布测量结果数据和功率测量结果数据；基于所述强度分布测量结果数据的面积分和所述功率测量结果数据确定校正系数；基于所述校正系数校正所述强度分布测量结果数据获得第三测量数据。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：基于所述第三测量数据和第一坐标变换算法得到第一测量数据；获取在测量处的辐射束的波前分布测量结果数据；并基于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱煜，郭林宝，王磊杰，张鸣，成荣，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：