光照射装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的特征在于，具备：准备导电箔，至少在除构成导电路径的区域以外的上述导电箔上形成比该导电箔的厚度浅的分离槽，形成多个导电路径的工序；将各光半导体元件６５固定在所希望的上述导电路径上的工序；个别地覆盖上述各光半导体元件６５，用能透过光的树脂６７进行封装，以便填充上述分离槽的工序；以及将未设置上述分离槽一侧的上述导电箔除去的工序，导电路径的背面能提供与外部的连接，能不要通孔，实现了散热性能好、生产效率高的光照射装置６８。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，涉及谋求提高光的照射效率以及提高装置的可靠性的技术。首先，在有必要照射大量的光的情况下，一般采用电灯等。可是，作为轻薄短小及省电的目的，如图21所示，有时将发光元件2安装在印刷电路板1上。该发光元件主要有利用半导体形成的发光二极管(LightEmitting Diode)，但此外也可以考虑半导体激光器等。该发光二极管2是这样形成的，即，备有两条引线3、4，发光二极管芯片5的背面(阳极或阴极)用焊锡等固定在一条引线3上，另一条引线4通过通过金属细线6与上述芯片表面上的电极(阴极或阳极)导电性地连接。另外封装上述引线3、4、芯片5及金属细线6的透明树脂封装体7还兼作透镜用。另一方面，为了向上述发光二极管2供电，电极8、9被设置在印刷电路板1上，上述引线3、4被插入设置在这里的通孔中，通过焊锡等固定安装上述发光二极管2。例如，在特开平9-252651号公报中说明了使用该发光二极管的光照射装置。可是，上述的发光元件2存在这样的缺点由于用组装了树脂封装体7、引线3、4等的组件构成发光元件2，所以组装的基板1的尺寸大。另外，由于基板本身的散热性能差，所以存在整体温度上升的问题。因此，半导体芯片本身温度也上升，存在驱动能力下降的问题。另外，发光二极管芯片5还从芯片的侧面发光，存在朝向基板1一侧的光。可是，由于基板1是印刷电路板，所以还存在不能使全部光以高效率向上方发射的问题。本专利技术就是鉴于上述课题而完成的，其特征在于备有下述各工序准备导电箔，至少在除构成导电路径的区域以外的上述导电箔上形成比该导电箔的厚度浅的分离槽，形成由多条导电路径构成的电极形成部的工序；将各光半导体元件固定在上述各电极形成部的所希望的导电路径上的工序；覆盖上述各光半导体元件，用能透过光的树脂进行封装，以便填充上述分离槽的工序；以及将未设置上述分离槽一侧的上述导电箔除去的工序，所以导电路径的背面能提供与外部的连接，能不要通孔，实现了散热性能好的光照射装置。另外，提供一种，其特征在于备有下述各工序准备导电箔，至少在除构成导电路径的区域以外的上述导电箔上形成比该导电箔的厚度浅的分离槽，形成由多条导电路径构成的电极形成部的工序；将各光半导体元件固定在上述各电极形成部的所希望的导电路径上的工序；形成导电性地连接被固定在上述所希望的导电路径上的上述各光半导体元件的电极和其他所希望的导电路径的连接装置的工序；用覆盖上述各光半导体元件、填充上述分离槽、而且能使光透过上述各光半导体元件的树脂进行个别模塑的工序；将未设置上述分离槽的厚的部分的上述导电箔除去的工序；以及分别切断未被上述树脂封装的区域，分离成个别的光照射装置的工序，所以用树脂封装各光照射装置时能抑制翘曲的发生。另外，为了包围上述导电箔的至少固定上述光半导体元件的区域，而将该导电箔折弯时，使其具有能将该光半导体元件的光反射到上方的倾斜角，所以照射效率好。换句话说，在上述导电路径上形成了导电覆盖膜的状态下，利用冲压机等将该导电箔折弯，使该导电覆盖膜有光泽，能谋求进一步提高照射效率。另外，即使不象上述那样折弯上述导电箔，而是在上述导电路径上形成了导电覆盖膜的状态下，利用冲压机等对该导电箔加压，使该导电覆盖膜的表面大致均匀，有光泽，来谋求提高照射效率。另外，由于有利用能使光透过上述各光照射装置的树脂进行覆盖，以便填充上述分离槽，然后将未设置上述分离槽的一侧的上述导电箔除去，然后将利用上述能透过光的树脂覆盖的各光照射装置之间分离的工序，所以各光照射装置之间在最后阶段之前不分离，因此能将导电箔作为一片供给各工序，工作效率高。另外，上述能透过光的树脂通过使用金属模的转移模塑个别地封装每个光照射装置，所以与封装整个导电箔相比，能抑制翘曲的发生，而且工作效率高，还能作成适当的形状。特别适合于作成透镜形状的情况等。另外，在用冲压机将利用上述能透过光的树脂封装的个别的光照射装置分离的情况下，不需要进行残留在光照射装置端部的导电箔屑的打毛刺处理，能谋求提高生产效率。另外，准备在规定区域设有狭缝的导电箔，利用该狭缝能缓和用上述能透过光的树脂封装了各光照射装置时上述导电箔和树脂的应力变形，能抑制翘曲的发生。换句话说，至少不沿树脂流入的方向设置狭缝，所以使用金属模进行转移模塑时，树脂不会通过该狭缝流到导电箔的背面，可操作性好。图1是说明本专利技术的第一实施例的的剖面图。图2是说明本专利技术的第一实施例的的剖面图。图3是说明本专利技术的第一实施例的的剖面图。图4是说明本专利技术的第一实施例的的剖面图。图5是说明本专利技术的第一实施例的的剖面图。图6是说明本专利技术的第一实施例的的剖面图。图7是说明本专利技术的第一实施例的的剖面图。图8是说明本专利技术的第一实施例的的剖面图。图9本专利技术的第一实施例的光照射装置的平面图。图10是说明本专利技术的第二实施例的光照射装置的图。图11是说明本专利技术的第二实施例的的剖面图。图12是说明本专利技术的第二实施例的的剖面图。图13是说明本专利技术的第二实施例的的剖面图。图14是说明本专利技术的第二实施例的的剖面图。图15是说明本专利技术的第二实施例的的剖面图。图16是说明本专利技术的第二实施例的的剖面图。图17是说明本专利技术的第二实施例的的剖面图。图18是说明本专利技术的第二实施例的的剖面图。图19本专利技术的第二实施例的光照射装置的平面图。图20是说明本专利技术的第二实施例的光照射装置的图。图21是说明现有的光照射装置的图。(第一实施例)以下，参照附图说明本专利技术的的第一实施例。在图1中，61是片状的导电箔，考虑焊料的附着性、焊接性、电镀性来选择该材料，作为材料，采用以Cu(铜)为主材料的导电箔、以Al(铝)为主材料的导电箔或由Fe-Ni(铁-镍)、Cu-Al(铜-铝)、Al-Cu-Al(铝-铜-铝)等合金构成的导电箔等。如果考虑后面进行的刻蚀，则导电箔的厚度最好为10微米～300微米，这里采用了100微米的铜箔。可是，即使300微米以上或10微米以下基本上也可以。如后面所述，能形成比导电箔61的厚度浅的分离槽64即可。另外，按照规定的宽度卷成筒状准备了片状的导电箔61，在后面所述的各工序中传送它即可，也可准备切割成规定的大小的导电箔，在后面所述的各工序中传送它。然后，对上述导电箔61的表面及背面的规定区域分别进行电镀处理。另外，在本实施例中，作为导电覆盖膜62，形成由Ag(银)构成的覆盖膜(以下称为Ag覆盖膜62)，但不限于此，作为其他材料，例如是Au(金)、Ni、Al、或Pd(钯)等。而且，这些耐蚀性的导电覆盖膜具有能直接作为管芯底座、焊接区灵活使用的特征。换句话说，也可以只在导电箔61的表面形成Ag覆盖膜62。例如，上述Ag覆盖膜62既与Au粘接，又与焊料粘接。因此如果Au覆盖膜覆盖在芯片背面，则能将芯片直接热压接在导电路径1上的Ag覆盖膜62上，另外能通过焊锡等焊料固定芯片。另外，由于Au细线能粘接在Ag导电覆盖膜上，所以能进行引线接合。其次，在图2中，对上述电镀处理过的导电箔61进行冲压处理，使该导电箔61的规定区域呈向上的凸状。另外，在图2中示出了在导电箔61上形成了凸部63的状态。后面所述的光半导体元件65就安装在由该凸部63形成的剖面呈杯状的光半导体元件配置部上。而且，来自半导体元件65的光在由该凸部63形成的倾斜部及其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光照射装置的制造方法，其特征在于备有下述各工序： 至少在除构成导电路径的区域以外的导电箔上形成比该导电箔的厚度浅的分离槽，形成由多个导电路径构成的多个电极形成部的工序； 将各光半导体元件固定在上述各电极形成部上的所希望的导电路径上的工序； 用能透过光的树脂个别地覆盖上述各光半导体元件以便填充上述分离槽的工序；以及 将未设置上述分离槽一侧的上述导电箔除去，使上述树脂露出的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2000-6-9 173581/00;JP 2000-6-27 191995/001.一种光照射装置的制造方法，其特征在于备有下达各工序至少在除构成导电路径的区域以外的导电箔上形成比该导电箔的厚度浅的分离槽，形成由多个导电路径构成的多个电极形成部的工序；将各光半导体元件固定在上述各电极形成部上的所希望的导电路径上的工序；用能透过光的树脂个别地覆盖上述各光半导体元件以便填充上述分离槽的工序；以及将未设置上述分离槽一侧的上述导电箔除去，使上述树脂露出的工序。2.一种光照射装置的制造方法，其特征在于上述导电箔在规定区域中设有槽。3.根据权利要求1所述的光照射装置的制造方法，其特征在于在将各光半导体元件固定在上述各电极形成部上的所希望的导电路径上的工序之后，还有形成导电性地连接被固定在上述所希望的导电路径上的上述各光半导体元件的电极和其他所希望的导电路径的连接装置的工序。4.根据权利要求1所述的光照射装置的制造方法，其特征在于至少在将各光半导体元件固定在上述各电极形成部上的工序之前，有将导电箔折弯，以便包围上述导电箔的至少固定上述光半导体元件的区域的工序。5.根据权利要求1所述的光照射装置的制造方法，其特征在于在将各光半导体元件固定在上述导电路径上的工序之前，还有在上述导电箔表面的至少成为导电路径的区域上形成导电覆盖膜的工序。6.根据权利要求5所述的光照射装置的制造方法，其特征在于在上述导电箔上形成导电覆盖膜的工序之后，还有将导电箔折弯，以便包围上述导电箔的至少固定上述光半导体元件的区域的工序。7.根据权利要求5所述的光照射装置的制造方法，其特征在于在上述导电箔上形成导电覆盖膜的工序之后，还有对上述导电箔的至少固定上述光半导体元件的区域加压的工序。8.根据权利要求1所述的光照射装置的制造方法，其特征在于在用能透过光的树脂个别地覆盖上述各光半导体元件的工序之后，有使利用该能透过光的树脂别地覆盖的各光半导体元件之间分离的工序。9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本则明，小林义幸，前原荣寿，高桥幸嗣，阪本纯次，真下茂明，大川克实，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]