制造光半导体器件的方法技术

本发明专利技术提供了一种制造光半导体器件的方法，其包括：（１）在导体上分别装配的一个或更多光半导体元件上形成树脂层；和（２）压模步骤（１）中形成的树脂层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
已知光半导体器件包括由两种或更多种以折射率从光半导体元件侧向最外层递减排列的树脂层包封的光半导体元件，以便能够具有改善的光取出(takeout)效率(参见专利文献1)。专利文献1JP10-65220A(权利要求1)至今为止直接接触光半导体元件的第一包封树脂由浸泡或铸封(potting)形成。然而，迄今为止浸泡或铸封的树脂封装具有缺陷以预定量在每个光半导体元件上滴加液态树脂的操作较麻烦，包封元件的密封形状不规则易于导致不均匀发光。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种，可以容易和均匀地进行一个或更多个光半导体元件的树脂封装。根据下列说明书本专利技术的其它目的和特征将变得明显。本专利技术涉及，这包括(1)在一个或更多个各自装配在导体上的光半导体元件上形成树脂层；知(2)压模步骤(1)中形成的树脂层。根据本专利技术，光半导体元件的树脂封装可以容易和均匀地进行，可以得到光取出效率均匀的优质光半导体器件。附图说明图1图解说明了本专利技术步骤(1)的一个具体实施方式，其中在光半导体元件上形成树脂层。图2图解说明了本专利技术步骤(1)的另一个具体实施方式，其中在光半导体元件上形成树脂层。图3图解说明了本专利技术步骤(2)一个具体实施方式，其中用冲模机压模树脂层。图4是图解本专利技术得到的发光二极管阵列的一个具体实施方式的剖面图。附图中使用的参考数字分别表示下列。1树脂2光半导体元件3基板4层压机5铸模6电线7导体8冲模机(stamper)9LED阵列10LED薄片11第一树脂层12第二树脂层具体实施方式本专利技术制造半导体器件的方法包括(1)在一个或更多个各自装配在导体上的光半导体元件上形成树脂层；和(2)压模步骤(1)中形成的树脂层。在步骤(1)中，光半导体元件没有特别限制，只要它们是普通用于光半导体器件的。其实例包括氮化镓(GaN，折射率，2.5)、磷化镓(GaP；折射率，2.9)和砷化镓(GaAs；折射率，3.5)。其中优选GaN，因为它发射蓝光，由此可以与磷光体(phosphor)共同使用制造白色LED。在其上装配每个光半导体元件的导体没有特别限制，只要它是普通用于光半导体器件的。使用的导体可以是具有预定形状的引线框，或可以是已经通过蚀刻以具有预定形状的导体。在其上装配一个或更多个光半导体元件和导体的基板也没有特别限制。然而，考虑到更显著地发挥本专利技术的效果，本专利技术中优选器件包括一个基板和装配在其上的两个或更多个导体和两个或更多个光半导体元件。考虑到提高从光半导体元件的光取出效率，优选构成步骤(1)中树脂层的树脂(该树脂以下有时可以称为″第一树脂″)的折射率为1.6或更高，更优选1.7-2.1。包封光半导体元件的树脂实例包括聚醚砜、聚酰亚胺、芳族聚酰胺、聚碳化二亚胺和环氧树脂。考虑到在低温和低压的处理容易程度，优选这些用作构成步骤(1)中树脂层的树脂为聚碳化二亚胺。更优选为通式(1)代表的聚碳化二亚胺 (其中R代表二异氰酸酯残基，R1代表单异氰酸酯残基，n是1-100的整数)。在本专利技术中，通过使一种或更多种二异氰酸酯进行缩聚反应并用单异氰酸酯封端得到的聚合物，获得通式(1)代表的聚碳化二亚胺。通式(1)中，R代表用作原料的二异氰酸酯的残基，R1代表用作另一原料的单异氰酸酯的残基。符号n是1-100的整数。用作原料的二异氰酸酯和单异氰酸酯可以是芳族或脂肪族。二异氰酸酯和单异氰酸酯各自可以由一种或更多种芳族异氰酸酯单独构成或一种或更多种脂肪族异氰酸酯单独构成，或可以包含芳族异氰酸酯和脂肪族异氰酸酯的组合。考虑到获得具有较高折射率的聚碳化二亚胺，本专利技术中优选使用芳族异氰酸酯。即，优选二异氰酸酯和单异氰酸酯中的至少一种包含芳族异氰酸酯或由一种或更多种芳族异氰酸酯构成，或者二异氰酸酯和单异氰酸酯各自由一种或更多种芳族异氰酸酯构成。更优选其中二异氰酸酯包含脂肪族异氰酸酯和芳族异氰酸酯的组合，并且单异氰酸酯由一种或更多种芳族异氰酸酯构成的情况。特别优选是其中二异氰酸酯和单异氰酸酯各自由一种或更多种芳族异氰酸酯构成的情况。本专利技术中使用的二异氰酸酯的实例包括六亚甲基二异氰酸酯、十二亚甲基二异氰酸酯、2，2，4-三甲基六亚甲基二异氰酸酯、4，4′-二氯六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、四甲基苯二亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、环己基二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、甲基环己烷2，4′-二异氰酸酯、4，4′-二苯基甲烷二异氰酸酯、4，4′-二苯醚二异氰酸酯、2，6-甲苯基二异氰酸酯、2，4-甲苯基二异氰酸酯、萘二异氰酸酯、1-甲氧基苯基2，4-二异氰酸酯、3，3′-二甲氧基-4，4′-二苯基甲烷二异氰酸酯、4，4′-二苯醚二异氰酸酯、3，3′-二甲基-4，4′-二苯醚二异氰酸酯、2，2-双[4-(4-异氰酸根合苯氧基(isocyanatophenoxy))苯基]六氟丙烷和2，2-双[4-(4-异氰酸根合苯氧基)苯基]丙烷。考虑到使聚碳化二亚胺具有较高的折射率并且易于控制，在这些二异氰酸酯中优选使用选自甲苯基二异氰酸酯、4，4′-二苯基甲烷二异氰酸酯、萘二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯和十二亚甲基二异氰酸酯中的至少一种。更优选为萘二异氰酸酯。那些二异氰酸酯可以单独使用或以其两种或更多种的混合物使用。然而考虑到耐热性，优选使用两种或三种二异氰酸酯的混合物。用作原料的一种或更多种二异氰酸酯优选包含一种或更多种芳族二异氰酸酯，其含量基于全部二异氰酸酯优选为10mol％或更大(上限，100mol％)。这些二异氰酸酯合乎需要地为上述列举的作为优选实例。本专利技术中可使用的单异氰酸酯的实例包括环己基异氰酸酯、异氰酸苯酯、对硝基苯基异氰酸酯、对和间甲苯基异氰酸酯、对甲酰基苯基异氰酸酯、对异丙基苯基异氰酸酯和1-萘基异氰酸酯。优选的单异氰酸酯为芳族单异氰酸酯，因为芳族单异氰酸酯互相不反应，用该单异氰酸酯聚碳化二亚胺封端可以高效地进行。更优选使用1-萘基异氰酸酯。那些单异氰酸酯可以单独使用或以其两种或更多种的混合物使用。考虑到储存稳定性，用于封端的单异氰酸酯的量优选为1-10mol每100mol使用的二异氰酸酯成分。可以通过在预定溶剂中在形成碳二亚胺催化剂的存在下，经过缩聚反应转化一种或更多种作为原料的二异氰酸酯至碳二亚胺，并用单异氰酸酯封端得到的碳二亚胺聚合物，制备本专利技术的聚碳化二亚胺。进行二异氰酸酯缩聚反应的温度通常为0-150℃，优选10-120℃。在其中结合使用脂肪族二异氰酸酯和芳族二异氰酸酯作为原料的二异氰酸酯的情况中，优选在低温反应二异氰酸酯。反应温度优选为0-50℃，更优选为10-40℃。因为脂肪族二异氰酸酯和芳族二异氰酸酯的缩聚进行充分，优选使用该范围中的反应温度。在其中期望反应混合物中过量存在的芳族二异氰酸酯进一步与由脂肪族二异氰酸酯和芳族二异氰酸酯形成的聚碳化二亚胺反应的情况下，反应温度优选为40-150℃，更优选50-120℃。只要反应温度在该范围之内，可以使用任何所需溶剂平稳地进行反应。因此优选该反应温度范围。反应混合物中二异氰酸酯浓度优选为5-80％(重量)。只要二异氰酸酯浓度在该范围之内，可以充分形成碳二亚胺，并易于控制反应。因此优选该二异氰酸酯浓度范围。用单异氰酸酯封端可以通过将单异氰酸酯加入至由二异氰本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造光半导体器件的方法，所述方法包括：　　　　（１）在一个或更多个各自装配在导体上的光半导体元件上形成树脂层；和　　　　（２）压模在步骤（１）中形成的树脂层。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-4 406400/031.一种制造光半导体器件的方法，所述方法包括(1)在一个或更多个各自装配在导体上的光半导体元件上形成树脂层；和(2)压模在步骤(1)中形成的树脂层。2.权利要求1的方法，其中步骤(2)是用冲模机进行的。3.权利要求1的方法，进一步包括，在步...

【专利技术属性】
技术研发人员：末广一郎，堀田佑治，贞瀬直树，釜田卓，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]