【技术实现步骤摘要】
一种纳米级双层材料基于扫描电镜的表征方法
[0001]本专利技术属于扫描电子显微镜微观表征领域,具体的,涉及一种纳米级双层材料基于扫描 电镜的表征方法。
技术介绍
[0002]扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope;SEM)是材料微区元素分析的重要表 征手段之一,具有图像分辨率高(3nm~0.6nm)、景深大(是光学电镜的10倍)、无损分析 和试样制备简单等诸多优点,试样可以是自然表面、断口、块体、反光及透光光片等。
[0003]二次电子(SE)成像和背散射电子(BSE)成像是扫描电子显微镜中最常用的两种成像模式。 二次电子成像用于样品形貌表征,图像中的衬度主要来自于样品表面形貌差别。背散射电子 成像用于样品表面成分差别表征,图像中的衬度主要来自于微观相组成中元素含量的差别。
[0004]蒙特卡洛模拟计算被广泛应用于先进电子显微镜表征技术开发中,通过理论计算高能电 子束与固体样品间的相互作用,可为实验进行可行性分析以及结果预测,为实际的表征检测 工作提供理论支持。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种纳米级双层材料基于扫描电镜的表征方法,包括以下步骤:1)使用蒙特卡洛模拟对扫描电镜测试中电子束与待测纳米级双层样品的相互作用进行模拟计算,在连续电压参数条件下获取背散射电子激发深度,并判断背散射电子信号来源;2)在步骤1)所述连续电压参数中选择多个实验测试电压,对待测样品进行扫描电子显微镜表征,获取相应电压条件下的背散射电子图像;3)观察步骤2)中获取的背散射电子图像随实验测试电压降低而发生的变化,筛选出有明显特征变化的图像,取该图像的电压值为V
point
;4)在略低于V
point
的电压参数V1条件下获取背散射电子图像,观察是否有明显特征变化:若在电压参数V1条件下获取的背散射电子图像中无明显特征变化,则该实验样品的上层材料最优表征电压V
optimum
=V
point
;若在电压参数V1条件下获取的背散射电子图像中有明显特征变化,则取V
point
=V1,并重复步骤4)直至在电压参数V1条件下获取的背散射电子图像中无明显特征变化;5)在步骤1)获得的连续电压参数条件下背散射电子激发深度中检索V
optimum
对应的背散射电子激发深度D
optimum
,取该值为待测样品上层材料的估计厚度,调整蒙特卡洛模拟计算中的上层材料厚度,并对电子束与待测样品在V
optimum
条件下的相互作用进行计算验证;6)在最优电压参数V
optimum
条件下使用扫描电子显微镜对待测纳米级双层样品进行实验表征验证。2.根据权利要求1所述的一种纳米级双层材料基于扫描电镜的表征方法,其特征在于,所述步骤1)中进行模...
【专利技术属性】
技术研发人员:滕超逸,刘昌奎,
申请(专利权)人:中国航发北京航空材料研究院,
类型:发明
国别省市:
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