银粉及其制造方法技术

本发明专利技术提供在作为导电性糊料的材料使用并将该导电性糊料烧成而形成导电膜时，能够形成电阻值比以往低的导电膜的银粉及其制造方法。通过将第一银粉和第二银粉混合，制造在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为3个以上、且在通过激光衍射散射式粒度分布测定装置进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为1个的银粉，所述第一银粉在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为1个以上，所述第二银粉在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为2个以上。的粒度分布中频度最高的峰为2个以上。的粒度分布中频度最高的峰为2个以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】银粉及其制造方法


[0001]本专利技术涉及银粉及其制造方法，特别涉及适用于导电性糊料的材料的银粉及其制造方法。

技术介绍

[0002]以往，作为形成太阳能电池的电极、使用低温烧结陶瓷(LTCC)的电子部件或层叠陶瓷电感器(MLCI)等层叠陶瓷电子部件的内部电极、层叠陶瓷电容器或层叠陶瓷电感器等的外部电极等的导电性糊料的材料，使用银粉等金属粉末。
[0003]作为这样的导电性糊料的材料，提出了一种混合导电粉，其包含将两种粒径大体单分散的、大致球状的银、钯或它们的合金组合而得的粒子，并且相对堆积密度为68～80％，两种的银、钯或它们的合金中的一方的平均粒径是另一方的平均粒径的5～25倍(例如，参照专利文献1)。
[0004]此外，作为将两种金属粒子混合而得的混合金属粒子的用途，提出了分散有将平均粒径为2～20μm的大径金属粒子和平均粒径为0.1～1μm的小径金属粒子混合而得的(粒度分布具有2个以上的峰的)混合金属粒子的导电性涂料(例如，参照专利文献2)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本专利特开2011
‑
204688号公报(段落号0012)
[0008]专利文献2：日本专利特开平1
‑
295170号公报(第2页)

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的技术问题
[0010]但是，当将专利文献1的混合导电粉或专利文献2的混合金属粒子作为导电性糊料的材料使用、将该导电性糊料烧成而形成太阳能电池的电极时，电极的电阻值有时会变得较高，为了提高太阳能电池的转换效率，希望降低电极的电阻值。
[0011]因此，本专利技术鉴于这样的现有问题，目的是提供一种在作为导电性糊料的材料使用并将该导电性糊料烧成而形成导电膜时，能够形成电阻值比以往低的导电膜的银粉及其制造方法。
[0012]解决技术问题所采用的技术方案
[0013]本专利技术人为了解决上述技术问题而进行了认真研究，结果发现，如果通过将第一银粉和第二银粉混合，制造在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为3个以上、且在通过激光衍射散射式粒度分布测定装置进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为1个的银粉，其中所述第一银粉在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为1个以上，所述第二银粉在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为2个以上，则能够制造在作为导电性糊料的材
料使用并将该导电性糊料烧成而形成导电膜时，能够形成电阻值比以往低的导电膜的银粉，从而完成了本专利技术。
[0014]即、本专利技术的银粉的制造方法的特征是，通过将第一银粉和第二银粉混合，制造在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为3个以上、且在通过激光衍射散射式粒度分布测定装置进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为1个的银粉，所述第一银粉在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为1个以上，所述第二银粉在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为2个以上。
[0015]在该银粉的制造方法中，优选第一银粉的进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中的累积50％粒径(D
50
)比第二银粉的进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中的累积50％粒径(D
50
)大。此外，优选第二银粉的进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中的累积50％粒径(D
50
)为0.3～1μm。此外，优选第一银粉的进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中的累积50％粒径(D
50
)为1～4μm，是第二银粉的进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中的累积50％粒径(D
50
)的4倍以下。此外，优选基于激光衍射散射式粒度分布测定装置的湿法测定通过使银粉分散在异丙醇中来进行。
[0016]此外，本专利技术的银粉的特征是，在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为3个以上、且在通过激光衍射散射式粒度分布测定装置进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为1个。
[0017]该银粉中，优选银粉的进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中的累积50％粒径(D
50
)为1.2～3.0μm。此外，优选银粉的累积90％粒径(D
90
)与累积10％粒径(D
10
)的比为2.0～8.0。此外，优选基于激光衍射散射式粒度分布测定装置的湿法测定通过使银粉分散在异丙醇中来进行。
[0018]此外，本专利技术的导电性糊料的特征是，上述银粉分散在有机成分中。
[0019]本说明书中，“体积基准的粒度分布中频度最高的峰”是指，在将以粒度(μm)为横轴、以频度(％)为纵轴的体积基准的粒度分布作为频度分布进行表示时，在表示频度分布的直方图中表示最大值的测定点，所述频度分布通过在粒度分布的相邻测定点的粒径之比在干法中为1.2(湿式中为1.09)以下的条件下进行测定而得。另外，有多个这样的峰的情况下，将频度最大的峰作为主峰、将除此以外的峰作为副峰时，“体积基准的粒度分布中频度最高的峰”不包括无法与背景区别的程度的频度非常小的副峰(频度为主峰频度的15％以下的副峰)、及主峰粒径与副峰粒径的差非常小的副峰(主峰粒径和副峰粒径的差小于主峰粒径的30％的副峰)。此外，副峰之间的关系上，频度非常小的副峰、及与其他副峰粒径的差非常小的副峰也不包括在“体积基准的粒度分布中频度最高的峰”中。
[0020]专利技术效果
[0021]根据本专利技术，能够制造银粉，其在作为导电性糊料的材料使用并将该导电性糊料烧成而形成导电膜时，能够形成电阻值比以往低的导电膜。
[0022]附图的简要说明
[0023]图1A是表示实施例中使用的银粉1的通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布的图。
[0024]图1B是表示实施例中使用的银粉1的通过激光衍射散射式粒度分布测定装置进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布的图。
[0025]图1C是实施例中使用的银粉1的1万倍的扫描电子显微镜照片(SEM图像)。
[0026]图2A是表示实施例中使用的银粉2的通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布的图。
[0027]图2B是表示实施例中使用的银粉2的通过激光衍射散射式粒度分布测定装置进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布的图。
[0028]图2C是实施例中使用的银粉2的1万倍的SEM图像。
[0029]图3A是表示实施例1中所得的银粉的通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布的图。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种银粉的制造方法，其特征在于，通过将第一银粉和第二银粉混合，制造在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为3个以上、且在通过激光衍射散射式粒度分布测定装置进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为1个的银粉，所述第一银粉在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为1个以上，所述第二银粉在通过激光衍射式粒度分布测定装置进行干法测定而得的体积基准的粒度分布中频度最高的峰为2个以上。2.如权利要求1所述的银粉的制造方法，其特征在于，所述第一银粉的进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中的累积50％粒径(D
50
)比所述第二银粉的进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中的累积50％粒径(D
50
)大。3.如权利要求1所述的银粉的制造方法，其特征在于，所述第二银粉的进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中的累积50％粒径(D
50
)为0.3～1μm。4.如权利要求1所述的银粉的制造方法，其特征在于，所述第一银粉的进行湿法测定而得的体积基准的粒度分布中的累积50％粒径(D
50...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井政德，
申请(专利权)人：同和电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：