测量光罩布局修正所引起桥接的方法与装置制造方法及图纸

一种测量光罩布局修正所引起桥接的方法，包括：首先提供具有布局的光罩，此布局至少包含导线图案、连接至导线图案的多个基极图案与多个接触图案组，其中任一接触图案组皆至少包含多个接触图案并且至少围绕一相对应基极未与导线图案连接的一端；然后修正布局，并将修正过布局转移至底材，而在底材上形成导线、多个基极与多个接触组；接着电性耦接这些接触组至一终端，并施加电信号于导线以测量终端有无出现因桥接而出现的电信号。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种测量对光罩图案修正所引起基极与接触间桥接(bridge)的方法、结构与布局。(2)
技术介绍
由于图案转移程序往往不能百分之百地将光罩的图案转移至光阻，而且显影过程与蚀刻程序等也总难免会有耗损，因此实际形成在底材的图案往往与光罩的图案不同，而有下列的缺失终端变圆(end rounding)、终端变短(end shorting)、角落变圆(corner rounding)，临界尺寸偏差(critical dimension offset)以及桥接现像(bridging phenomena)。因此，在实际的半导体制程中，为了克服上述的缺失，通常会在光罩布局(layout pattern)完成后，再对光罩布局进行修正，例如光学邻近修正(opticalproximity correction，OPC)，然后才进行后续的图案转移程序等制程。而由于底材图案通常会较光罩图案短薄或变形，因此对光罩布局进行的修正通常是将光罩上实际所要的图案加宽、加长或添加辅助图案，藉以抵消光罩图案与底材图案间的差距，使得底材图案与未作修正前光罩的实际所要图案相同。而由于实际半导体制程中，光罩的图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可以测量基极与接触间桥接的装置，其特征在于，至少包含： 一基极，该基极位于一底材上； 一介电质层，该介电质层覆盖该底材与该基极； 多个接触，这些接触是位于该介电质层内并与该底材接触，这些接触是相互分离并至少围绕部份该基极：以及 一导体层，该导体层位于该介电质层上，并且该导体层电性耦接这些接触。

【技术特征摘要】
US 2001-6-26 09/888,5841.一种可以测量基极与接触间桥接的装置，其特征在于，至少包含一基极，该基极位于一底材上；一介电质层，该介电质层覆盖该底材与该基极；多个接触，这些接触是位于该介电质层内并与该底材接触，这些接触是相互分离并至少围绕部份该基极以及一导体层，该导体层位于该介电质层上，并且该导体层电性耦接这些接触。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该基极是电性偶接到一电源。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该导体层是电性耦接到一检测器，该检测器是用以检测自该基极经由与该基极桥接的至少一该接触流至该导体层的信号，藉以判断该基极是否与这些接触发生桥接。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，这些接触是沿该基极的边缘排列。5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，至少一该接触邻近该基极的一端。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，当该基极被这些接触围绕的一端是沿一轴线沿伸时，至少一该接触是位于该轴线上但不与该基极接触。7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该基极与这些接触的配置方式是取决于经光学邻近修正法修正的一光罩的布局。8.一种可用以测量光罩布局修正所引发的基极图案变形的光罩布局，其特征在于，至少包含一导线图案多个基极图案，这些基极图案是相互分离并且皆连接至该导线图案；和多个接触图案组，这些接触图案组是相互分离并且任一该接触图案组不与这些基极图案接触，任一该接触图案组皆对应到一该基极图案并至少包含多个接触图案，这些接触图案是相互分离并且至少围绕相对应的一该基极图案不与该导线图案接触的一侧。9.如权利要求8所述的布局，其特征在于，任一该基极图案皆与其它基极图案的轮廓相似。10.如权利要求9所述的布局，其特征在于，任一该接触图案组的这些接触图案的分布方式皆与其它接触图案组的接触图案的分布方式相似。11.如权利要求9所述的布局，其特征在于，任一该接触图案组的这些接触图案与相对应的某一该基极图案间的距离皆与其它接触图案组的接触图案与相对应的某一该基极图案间的距离不相同。12.如权利要求8所述的布局，其特征在于，当任一该接触图案组相对应的一该基极图案被该接触图案组...

【专利技术属性】
技术研发人员：林政男，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]