一种多芯片结构的散热性能优化方法、装置及存储介质制造方法及图纸

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种多芯片结构的散热性能优化方法、装置及存储介质，本申请通过对多芯片结构进行改进，将芯片与散热器的底面之间设置的一片热界面材料更换为夹设有金属片的两片热界面材料，且设置各所述金属片的厚度以使得各所述热界面材料的压缩量相同，并通过获取不同压缩量对应的多芯片结构的散热效果来确定最佳的各所述金属片的厚度。本申请能够保障各热界面材料相对于对应芯片的压缩量均匀，降低芯片的接触热阻，实现了各所述金属片的厚度尺寸的优化，能够使得改进后的多芯片结构的散热性能达到最优化。改进后的多芯片结构的散热性能达到最优化。改进后的多芯片结构的散热性能达到最优化。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片结构的散热性能优化方法、装置及存储介质


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种多芯片结构的散热性能优化方法、装置及存储介质。

技术介绍

[0002]目前，对于PCB板上多个芯片共用一个散热器散热的情况，由于芯片不同种类、不同批次存在高度偏差，因此需在芯片顶面与散热器之间设置具有一定压缩量的热界面材料(例如硅胶垫)。
[0003]由于散热器基板和PCB板之间的距离是固定的，芯片的高度偏差使得热界面材料相对于各芯片的压缩量并不同，而压缩量的不均匀会增加芯片的接触热阻，从而影响到芯片的散热效率。
[0004]申请内容
[0005]为此，本申请实施例的目的在于，提供一种多芯片结构的散热性能优化方法、装置及存储介质，能够保障各热界面材料相对于对应芯片的压缩量均匀，降低芯片的接触热阻，通过获取不同压缩量对应的多芯片结构的散热效果来确定最佳的各所述金属片的厚度，实现了各所述金属片的厚度尺寸的优化，能够使得改进后的多芯片结构的散热性能达到最优化。
[0006]为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯片结构的散热性能优化方法，所述多芯片结构包括设置于PCB板上至少两个存在高度偏差的芯片以及为各个所述芯片进行散热的散热器，各个所述芯片与所述散热器的底面之间设置一片热界面材料，其特征在于，所述方法包括：将所述多芯片结构中各个所述芯片与所述散热器的底面之间设置的一片热界面材料皆更换为夹设有金属片的两片热界面材料，得到改进的多芯片结构，创建所述改进的多芯片结构的三维仿真模型；设置所述三维仿真模型的边界条件，所述边界条件包括各个所述芯片的热损耗功率以及环境温度；在所述三维仿真模型中设置各所述金属片的厚度以使得各所述热界面材料的压缩量相同且为第一阈值，调整各所述金属片的厚度，以使得各所述热界面材料的压缩量从所述第一阈值逐渐增加到第二阈值，获取每次压缩量对应的三维仿真模型的散热效果，得到最优散热效果对应的压缩量下各所述金属片的厚度。2.根据权利要求1所述的多芯片结构的散热性能优化方法，其特征在于，所述第一阈值和第二阈值按照以下方式确定：根据所述两片热界面材料的压缩率计算可调节压缩量范围；将所述可调节压缩量范围的最小值作为所述第一阈值，将所述可调节压缩量范围的最大值作为所述第二阈值。3.根据权利要求1所述的多芯片结构的散热性能优化方法，其特征在于，所述获取每次压缩量对应的三维仿真模型的散热效果，包括：获取每次压缩量对应的三维仿真模型的计算结果，所述计算结果包括对应的三维仿真模型中各个所述芯片的温度云图；以各个所述芯片的温度云图中显示的最高温度为依据，所述最高温度低，则表示散热效果优，反之则表示散热效果差。4.根据权利要求1所述的多芯片结构的散热性能优化方法，其特征在于，所述两片热界面材料皆为导热硅胶垫。5.一种多芯片结构的散热性能优化装置，其特征在于，所述装置包括：仿真模块，用于创建改进的多芯片结构的三维仿真模型，所述改进的多芯片结构包括设置于PCB板上至少两个存在高度偏差的芯片以及为各个所述芯片进行散热的散热器，各个所述芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛长雨，陈彪，叶琴，陈才，张坤，
申请(专利权)人：飞腾信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：