一种提高硅片表面平整度的抛光工艺制造技术

本发明专利技术一种提高硅片表面平整度的抛光工艺，S1、首先选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP

【技术实现步骤摘要】
一种提高硅片表面平整度的抛光工艺


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及提高硅片表面平整度的抛光工艺。

技术介绍

[0002]现有的200mm硅片抛光工艺加工出来的硅片平整度不佳。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种提高硅片表面平整度的抛光工艺。
[0004]本专利技术通过如下技术方案实现上述目的：一种提高硅片表面平整度的抛光工艺，包括以下步骤：
[0005]S1、首先选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP
‑
Free)的晶棒,并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节；
[0006]S2、设定大盘转速与中心导轮转速为1：2.1；
[0007]S3、设定粗抛垫型号为SUBA800平垫、中抛垫型号为SUBA600、精抛垫型号为7355
‑
000FE；
[0008]S4、工艺调节完毕，再次对设备进行点检；
[0009]S5、设定滴蜡量为1.5ml、贴蜡区环境满足一级颗粒环境、冰机温度为30摄氏度、冰机流量和抛光液加工流量无异常；
[0010]S6、抛光结束后，使用运输水车将产品送至预清洗上料，洗净产品背面蜡层和表面颗粒后，使用ADE9600测试产品几何参数。
[0011]进一步的，所述大盘转速与中心导轮转速为1：2.1。
[0012]进一步的，所述抛光冰机温度小于35℃。
[0013]进一步的，所述S2中粗抛液为NP6504，配比为1：15；中抛液为NP7000，配比为1：30；精抛液为NP8000，配比为1：30。
[0014]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：加工出来的硅片具有平整度佳的优点。
附图说明
[0015]图1为抛光后几何参数Mapping图。
[0016]图2为整个SUB800平垫加工寿命期间产品的几何参数能力箱线图。
具体实施方式
[0017]下面结合附图对本专利技术提供的提高硅片表面平整度的抛光工艺具体实施方式做详细说明。
[0018]一种提高硅片表面平整度的抛光工艺，包括如下步骤：
[0019]S1、首先选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP
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Free)的晶棒,并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节；
[0020]S2、设定大盘转速与中心导轮转速为1：2.1，抛光冰机温度设定为30度，粗抛液为NP6504，配比为1：15、中抛液为NP7000，配比为1：30、精抛液为NP8000，配比为1：30；
[0021]S3、设定粗抛垫型号为SUBA800平垫、中抛垫型号为SUBA600、精抛垫型号为7355
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000FE；
[0022]S4、工艺调节完毕，再次对设备进行点检；
[0023]S5、设定滴蜡量为1.5ml、贴蜡区环境满足一级颗粒环境、冰机温度为30摄氏度、冰机流量和抛光液加工流量无异常；
[0024]S6、抛光结束后，使用运输水车将产品送至预清洗上料，洗净产品背面蜡层和表面颗粒后，使用ADE9600测试产品几何参数。
[0025]就几何参数而言，ADE9600 SBIR、22*22、边缘开启测试模式下,产品形貌平坦无塌边，SBIR≤0.4μm良率96％以上。
[0026]本专利技术加工出来的硅片具有平整度佳的优点。
[0027]以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和调整，这些改进和调整也应视为本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高硅片表面平整度的抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、首先选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP
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Free)的晶棒,并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节；S2、设定大盘转速与中心导轮转速为1：2.1；S3、设定粗抛垫型号为SUBA800平垫、中抛垫型号为SUBA600、精抛垫型号为7355
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000FE；S4、工艺调节完毕，再次对设备进行点检；S5、设定滴蜡量为1.5ml、贴蜡区环境满足一级颗粒环境、冰机温度为30摄氏度、冰机流量和抛光液加工流...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷博文，张超仁，曹锦伟，王彦君，孙晨光，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：