保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、以及带保护膜的半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术的保护膜形成膜含有紫外线固化性成分，该保护膜形成膜对波长375nm的光线的透射率为8％以上、对波长550nm的光线的透射率为12％以下。该保护膜形成膜可以进一步含有着色剂，上述着色剂可以为红色着色剂。上述着色剂可以为红色着色剂。上述着色剂可以为红色着色剂。

【技术实现步骤摘要】
保护膜形成膜、保护膜形成用复合片、以及带保护膜的半导体芯片的制造方法
[0001]本申请是基于申请日为2015年10月23日、优先权日为2014年10月29日、申请号为201580058160.4(国际申请号PCT/JP2015/079973)、专利技术名称为“保护膜形成膜及保护膜形成用复合片”的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及能够在半导体晶片等工件或者对该工件进行加工而得到的加工物(例如半导体芯片)上形成保护膜的保护膜形成膜、保护膜形成用片、以及保护膜形成用复合片。
[0003]本申请主张2014年10月29日在日本提出申请的日本特愿2014
‑
220295号的优先权，在此援引其内容。

技术介绍

[0004]近年来，使用被称为所谓倒装(face down)方式的安装法进行了半导体装置的制造。在该方法中，在安装具有凸块等形成了电极的电路面的半导体芯片时，将半导体芯片的电路面侧接合于引线框等芯片搭载部。由此，成为未形成电路的半导体芯片背面侧露出的结构。
[0005]因此，为了保护半导体芯片，多数情况下在半导体芯片的背面侧形成由硬质的有机材料形成的保护膜。该保护膜例如使用专利文献1或2所示那样的半导体背面用膜或切割带一体型晶片背面保护膜而形成。
[0006]这里，上述保护膜通常由环氧树脂等热固性树脂形成。但是，热固性树脂的固化温度超过130℃、并且固化时间需要2小时左右，因此成为生产效率提高的障碍。为此，希望具有能够缩短加工时间的固化机理的保护膜。
>[0007]针对于此，专利文献3公开了一种能量线固化型芯片保护用膜，其具有能量线固化型保护膜形成层，所述能量线固化型保护膜形成层是含有(A)由不具有双键的丙烯酸类共聚物形成的聚合物成分、(B)能量线固化性成分、(C)染料和/或颜料、(D)无机填料及(E)吸收350nm以上的长波长范围的光的光聚合引发剂而成的。这样的能量线固化性的芯片保护用膜由于主要利用紫外线照射以短时间固化，因此能够简便地形成保护膜，从而能够有助于生产效率的提高。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1：日本特开2012
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28396号公报
[0011]专利文献2：日本特开2012
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235168号公报
[0012]专利文献3：日本特开2009
‑
138026号公报

技术实现思路

[0013]专利技术要解决的问题
[0014]但是，专利文献3的实施例所使用的(C)成分是黑色颜料，对于含有该黑色颜料的芯片保护用膜而言，紫外线的透射性低。因此，在为了使芯片保护用膜固化而照射紫外线时，无法使紫外线充分到达膜内部及与紫外线照射面相反侧的面，有时芯片保护用膜的固化不充分。如果像这样芯片保护用膜的固化不充分，则所得到的保护膜容易因热等而发生剥离等，作为保护膜的功能会存在问题。
[0015]另一方面，通常会在半导体芯片的背面残留由于对半导体晶片实施的背磨加工而产生的磨削痕迹。从半导体芯片的外观的观点考虑，希望不会通过肉眼观察到这样的磨削痕迹，希望被上述的保护膜所遮蔽。
[0016]本专利技术是鉴于上述情况而进行的，其目的在于提供一种紫外线固化性优异、且能够形成肉眼不会观察到存在于工件或加工物上的磨削痕迹的保护膜的保护膜形成膜、保护膜形成用片、以及保护膜形成用复合片。
[0017]解决问题的方法
[0018]为了实现上述目的，第一，本专利技术提供一种保护膜形成膜，其含有紫外线固化性成分，对波长375nm的光线的透射率为8％以上，对波长550nm的光线的透射率为12％以下(专利技术1)。
[0019]上述专利技术(专利技术1)涉及的保护膜形成膜可在紫外线作用下充分地固化，并且在紫外线固化后，能够形成肉眼不会观察到存在于工件或加工物上的磨削痕迹的保护膜。
[0020]在上述专利技术(专利技术1)中，可以进一步含有着色剂(专利技术2)。
[0021]在上述专利技术(专利技术2)中，上述着色剂可以是红色着色剂(专利技术3)。
[0022]在上述专利技术(专利技术2、3)中，上述着色剂可以是有机系的着色剂(专利技术4)。
[0023]在上述专利技术(专利技术2～4)中，用上述保护膜形成膜中的上述着色剂的含量W(质量％)除以上述保护膜形成膜的厚度T(μm)而得到的值W/T可以为0.01～0.5(专利技术5)。
[0024]在上述专利技术(专利技术1～5)中，从一面侧对上述保护膜形成膜照射3次照度215mW/cm2、光量187mJ/cm2的紫外线时，与紫外线照射面相反侧的面的探针粘性(
プローブタック
，probe tack)的峰值P2与上述紫外线照射面的探针粘性的峰值P1之比P2/P1可以为0.1～7(专利技术6)。
[0025]在上述专利技术(专利技术1～6)中，对波长1600nm的光线的透射率可以为25％以上(专利技术7)。
[0026]第二，本专利技术提供一种保护膜形成用片(专利技术8)，其具备上述保护膜形成膜(专利技术1～7)、和叠层在上述保护膜形成膜的一面或两面的剥离片。需要说明的是，在本说明书中，“片”是包括带的概念。
[0027]第三，本专利技术提供一种保护膜形成用复合片(专利技术9)，其具备支撑片、和叠层在上述支撑片的一面侧的上述保护膜形成膜(专利技术1～7)。
[0028]在上述专利技术(专利技术9)中，上述支撑片可以由基材和叠层在上述基材的上述保护膜形成膜侧的粘合剂层形成、或者由基材形成(专利技术10)。
[0029]专利技术的效果
[0030]根据本专利技术的保护膜形成膜、保护膜形成用片及保护膜形成用复合片，可以形成
在紫外线作用下充分固化、且肉眼不会观察到存在于工件或加工物上的磨削痕迹的保护膜。
附图说明
[0031][图1]是本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用片的剖面图。
[0032][图2]是本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。
[0033][图3]是本专利技术的另一实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。
[0034][图4]是示出本专利技术的一个实施方式的保护膜形成用复合片的使用例的剖面图。
[0035][图5]是示出试验例1中的光线透射率的测定结果的图。
[0036]符号说明
[0037]1…
保护膜形成膜
[0038]2…
保护膜形成用片
[0039]21
…
剥离片
[0040]3、3A
…
保护膜形成用复合片
[0041]4…
支撑片
[0042]41
…
基材
[0043]42
…
粘合剂层
[0044]5…
夹具用粘合剂层
[0045]6…
半导体晶片
[0046]7…
环状框
具体实施方式
[0047]以下，对本专利技术的实施方式进行说明。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保护膜形成膜，其含有紫外线固化性成分以及平均粒径为0.01μm以上的填料，并且，该保护膜形成膜对波长375nm的光线的透射率为8％以上、对波长550nm的光线的透射率为12％以下，该保护膜形成膜由单层形成。2.根据权利要求1所述的保护膜形成膜，其进一步含有热固化性成分(D)。3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成膜，其还含有着色剂。4.根据权利要求1或2所述的保护膜形成膜，其含有相对于所述保护膜形成膜的质量为30～65质量％的所述填料。5.根据权利要求3所述的保护膜形成膜，其中，所述着色剂为红色着色剂。6.根据权利要求3或5所述的保护膜形成膜，其中，所述着色剂是有机系的着色剂。7.根据权利要求3或5所述的保护膜形成膜，其中，所述保护膜形成膜中的所述着色剂的含量W(质量％)除以所述保护膜形成膜的厚度T(μm)而得到的值W/T为0.01～0.5。8.根据权利要求1或2所述的保护膜形成膜，其中，从一面侧对所述保护膜形成膜照射3次照度215mW/cm2、光量187mJ/cm2的紫外线时，与紫外线照射面相反侧的面的探针粘性的峰值P2与所述紫外线照射面的探针粘性的峰值P1之比P2/P1为0.1～7。9.根据权利要求1或2所述的保护膜形成膜，其对波长1600nm的光线的透射率为25％以上。10.一种保护膜形成用片，其具有：权利要求1～9中任一项所述的保护膜形成膜、以及叠层在所述保护膜形成膜的一面或两面的剥离片。11.一种保护膜形成用复合片，其具有：支撑片、以及叠层在所述支撑片的一面侧的权利要求1～9中任一项所述的保护膜形成膜。12.根据权利要求11所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片由基材和叠层在所述基材的所述保护膜形成膜侧的粘合剂层形成、或者由基材形成。13.根据权利要求12所述的保护膜形成用复合片，其中，所述支撑片由所述基材和叠层...

【专利技术属性】
技术研发人员：小桥力也，山本大辅，加太章生，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：