本申请创造性的提供了一种设施哈密瓜一年两季种植的栽培方法，通过栽培模式创新，春季种植带采用东西向起垄种植，秋季种植带采用南北向平畦种植，结合植株错位栽培，以及不同季节地膜类型的变化，春季起垄、秋季平畦，通过在地膜和起垄/平畦阶段进行温度调控；进一步的结合轮作创新，在春季哈密瓜快成熟前期，播种玉米或豆类作物，进行轮作倒茬，同时生长至一段时间，在地表面撒施一定肥料，将玉米或豆类作物进行机械深翻和旋耕，覆膜滴水，达到轮作，同时补充土壤一定绿肥；通过整体性的步骤结合，使用，达到设施哈密瓜一年两季种植的栽培真正意义的连作中的换行轮作。通过采用本发明专利技术提供的一种设施哈密瓜一年两季种植的栽培方法，植株早衰率下降了68.3％，植株干物质量提升了25.9％，根系活力提升了19.3％，土壤总盐量下降了50％，本发明专利技术提供种植方法能够改善现有技术中设施哈密瓜连作障碍比较严重，造成幼苗不生长、植株早衰、土壤盐含量增高等现象，解决设施哈密瓜连作问题，对于哈密瓜种植领域具有显著的应用效果。具有显著的应用效果。具有显著的应用效果。
【技术实现步骤摘要】
一种针对北方设施哈密瓜一年两季种植的栽培方法
[0001]本专利技术属于农业
，涉及一种哈密瓜的栽培方法方法，具体涉及一种针对北方地区设施哈密瓜一年两季种植栽培的
技术介绍
[0002]哈密瓜是新疆重要的特色经济作物，设施栽培具有经济效益高特点，因此具有一定的种植面积。吐鲁番市设施甜瓜栽培主要分为春提早和秋延晚两种栽培方式，春提早一般在2月中旬种植，5月中上旬成熟上市，秋延晚一般在7月底种植，11月中下旬成熟上市。
[0003]现有技术中，申请号为201610034096.2的专利“大田哈密瓜一年两熟制复种栽培方法”中重点说明的是一年两季的哈密瓜栽培方法，针对的是露地栽培哈密瓜，其目的是实现一年两熟，其方法在创新点是双膜覆盖即春季增加温度、夏季土壤翻晒、换行种植和一年两熟，但其所述的同一块地耕整完，换行，相对模糊，不能做到精准种植。
[0004]曾立红等在《南方哈密瓜一年两熟优质高效栽培关键技术试验》中也研究了哈密瓜一年两熟的栽培方案，但其主要针对不同延蔓方式进行了研究。任建华等在《松桃县大棚哈密瓜一年两熟高效栽培技术》中的研究的哈密瓜一年两熟的栽培方案主要是为了防治生长过程中的病虫害。现有技术方案中获得的效果主要为提升产量与增加经济收入，但是对于连作种植中幼苗的生长、土壤的品质下降的连作障碍严重。并不利于哈密瓜种植的可持续发展。
[0005]为最大限度发挥设施增效作用，提高设施栽培利用率，使得设施哈密瓜连作障碍比较严重，造成幼苗不生长、植株早衰、土壤盐含量增高等现象。为解决设施哈密瓜连作问题，创新哈密瓜设施栽培方法为必然选择。
技术实现思路
[0006]针对现有技术中存在的盲目追求最大限度发挥设施增效作用，提高设施栽培利用率，使得设施哈密瓜连作障碍比较严重的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种针对北方设施哈密瓜栽培方法，对于改善现有技术中设施哈密瓜连作障碍比较严重，造成幼苗不生长、植株早衰、土壤盐含量增高等现象，解决设施哈密瓜连作问题，达到真正意义的连作中的换行轮作，对于哈密瓜种植领域具有显著的应用效果。
[0007]本专利技术通过以下技术方案实现：
[0008]本专利技术提供一种针对北方地区设施哈密瓜一年两季种植的栽培方法，具体采用如下步骤进行：
[0009](1)春季栽培，东西向开施肥沟，撒施复合肥30～35kg/亩、腐熟羊粪1～1.5t/亩，种植带采用东西走向起垄种植，膜下滴灌栽培，一膜双行，移栽苗错位栽培，春季覆银灰或黑色地膜；
[0010](2)在步骤(1)栽培中，每年2月中下旬移栽，选择株型紧凑中早熟品种，株距0.4～0.5cm，行距1～1.2m，单蔓整枝，单株单瓜，生育期每7～10天滴水一次，生育期追施3～5次
氮磷钾水溶肥；
[0011](3)果实膨大期，即每年4月中下旬，在种植带两行哈密瓜之间点播一行玉米，株距10～15cm；
[0012](4)哈密瓜果实成熟，采摘完毕，将植株残体移出温室，玉米或豆类作物，生长至6月底，将地膜和滴灌带清除，撒施长效复合肥30～40kg/亩、油渣30～50kg/亩、氨基酸肥5～10kg/亩、木霉素15～20g/亩，将油渣与木霉素混匀后撒施；
[0013](5)机械深翻，将玉米或豆类作物、肥料翻入土壤，后进行机械旋耕，将玉米植株打碎与肥料混匀；
[0014](6)按南北方向平畦种植，铺设地膜和滴灌带，一膜双行，膜下滴灌栽培，单蔓整枝，单株单瓜，移栽苗错位栽培，秋季栽培地膜采用白色地膜；
[0015](7)每年6月底至7月初，覆地膜，土壤高温处理25～30天，7月底至8月初，滴水，进行移栽，生育期每5～7天滴水一次；
[0016](8)春季和秋季栽培，白天室内温度过高时需放风炼苗，夜间注意室内保暖；
[0017](9)秋季成熟采摘完毕，进行土壤深翻，进行冬灌。
[0018]本专利技术中，所指的北方地区是指：定植后1周内的缓苗期棚内温度能够达到：昼温26℃
‑
32℃，夜温16℃
‑
20℃；伸蔓期棚内温度能够达到：昼温22℃
‑
32℃，夜温15℃
‑
20C；开花期棚内温度能够达到：昼温25℃
‑
30℃，夜温15℃
‑
20℃；膨瓜期棚内温度能够达到：昼温28℃
‑
35℃，夜温16℃
‑
20℃；成熟期棚内温度能够达到：昼温28℃
‑
32℃，夜温15℃
‑
20℃；并且全程光照时长不低于6
‑
8个小时的区域。
[0019]优选的，所述的撒施复合肥采用N:P2O5:K2O＝(15
‑
17％)：(15
‑
17％)：(15
‑
17％)，播撒量为30kg/亩、腐熟羊粪播撒量为1t/亩。
[0020]优选的，所述的株距为0.4cm，行距为1m，单蔓整枝，单株单瓜，生育期每7天滴水一次，生育期追施4次氮磷钾水溶肥。
[0021]优选的，所述的撒施长效复合肥30kg/亩、油渣35kg/亩、氨基酸肥6kg/亩、木霉素15g/亩。
[0022]优选的，所述的土壤高温处理25天。
[0023]优选的，栽培的甜瓜品种采用：西州密25#，黄醉仙，黄皮9818；栽培的玉米品种采用先玉；栽培的豆类采用眉豆。
[0024]本专利技术中，所指的北方地区是指：定植后1周内的缓苗期棚内温度能够达到：昼温26℃
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32℃，夜温16℃
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20℃；伸蔓期棚内温度能够达到：昼温22℃
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32℃，夜温15℃
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20C；开花期棚内温度能够达到：昼温25℃
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30℃，夜温15℃
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20℃；膨瓜期棚内温度能够达到：昼温28℃
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35℃，夜温16℃
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20℃；成熟期棚内温度能够达到：昼温28℃
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32℃，夜温15℃
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20℃；并且全程光照时长不低于6
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8个小时的区域。通过实施本专利技术具体的
技术实现思路
，可以达到以下有益效果：
[0025]本专利技术的效果具有甜瓜长势好、植株早衰率低、效益高、可连作种植，适合推广应用。
[0026](1)本申请创造性的提供了一种针对北方地区设施哈密瓜一年两季种植的栽培方法，通过栽培模式创新，春季种植带采用东西向起垄种植，秋季种植带采用南北向平畦种植，结合植株错位栽培，以及不同季节地膜类型的变化，春季起垄、秋季平畦，通过在地膜和
起垄/平畦阶段进行温度调控；进一步的结合轮作创新，在春季哈密瓜快成熟前期，播种玉米或豆类作物，进行轮作倒茬，同时生长至一段时间，在地表面撒施一定肥料，将玉米或豆类作物进行机械深翻和旋耕，覆膜滴水，达到轮作，同时补充土壤一定绿肥；通过整体性的步骤结合，使用，达到设施哈密瓜一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种针对北方地区设施哈密瓜一年两季种植的栽培方法，其特征在于，具体采用如下步骤进行：(1)春季栽培，东西向开施肥沟，撒施复合肥30～35kg/亩、腐熟羊粪1～1.5t/亩，种植带采用东西走向起垄种植，膜下滴灌栽培，一膜双行，移栽苗错位栽培，春季覆银灰或黑色地膜；(2)在步骤(1)栽培中，每年2月中下旬移栽，选择株型紧凑中早熟品种，株距0.4～0.5cm，行距1～1.2m，单蔓整枝，单株单瓜，生育期每7～10天滴水一次，生育期追施3～5次氮磷钾水溶肥；(3)果实膨大期，每年4月中下旬，在种植带两行哈密瓜之间点播一行玉米，株距10～15cm；(4)哈密瓜果实成熟，采摘完毕，将植株残体移出温室，玉米或豆类作物，生长至每年的6月底，将地膜和滴灌带清除，撒施长效复合肥30～40kg/亩、油渣30～50kg/亩、氨基酸肥5～10kg/亩、木霉素15～20g/亩，将油渣与木霉素混匀后撒施；(5)机械深翻，将玉米或豆类作物、肥料翻入土壤，后进行机械旋耕，将玉米植株打碎与肥料混匀；(6)按南北方向平畦种植，铺设地膜和滴灌带，一膜双行，膜下滴灌栽培，单蔓整枝，单株单瓜，移栽苗错位栽培，秋季栽培地膜采用白色地膜；(7)每年的6月底至7月初，覆地膜，土壤高温处理25～30天，7月底至8月初，滴水，进行移栽，生育期每5～7天滴水一次；(8)春季和秋季栽培，白天室内温度过高时需...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡国智，闫淼，吴婷，熊韬，毛建才，
申请(专利权)人：新疆农业科学院哈密瓜研究中心，
类型：发明
国别省市：
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