本实用新型专利技术公开一种热电制冷装置，N型半导体的一端与第一绝缘陶瓷相抵接，N型半导体的另一端与中间导电块的一端相抵接，中间导电块的另一端与P型半导体的一端抵接，P型半导体的另一端与第二绝缘陶瓷相抵接，第一导线的一端与N型半导体电性相接，第一导线的另一端与电源电性相接，第二导线的一端与P型半导体电性相接，第二导线的另一端与电源的负极电性相接，第一包裹材料包裹于N型半导体、中间导电块的一端及第一导线的一端之外，第二包裹材料包裹于P型半导体、中间导电块的另一端及第二导线的一端之外。本实用新型专利技术热电制冷装置能实现中间制冷，两端制热，制冷散热方式更灵活。制冷散热方式更灵活。制冷散热方式更灵活。
【技术实现步骤摘要】
热电制冷装置
[0001]本技术涉及制冷装置领域，尤其涉及一种热电制冷装置。
技术介绍
[0002]市面上的制冷装置，一般是上侧面制冷，下侧面发热，方位比较固定，使用不够灵活。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种热电制冷装置，以解决上述技术问题。
[0004]为了实现上述目的，本技术的技术方案为：提供一种热电制冷装置，包括中间导电块、P型半导体、N型半导体、第一绝缘陶瓷、第二绝缘陶瓷、绝缘材质制成的第一包裹材料、绝缘材质制成的第二包裹材料、第一导线、第二导线以及电源，所述N型半导体的一端与所述第一绝缘陶瓷相抵接，所述N型半导体的另一端与所述中间导电块的一端相抵接，所述中间导电块的另一端与所述P型半导体的一端抵接，所述P型半导体的另一端与所述第二绝缘陶瓷相抵接，所述第一导线的一端与所述N型半导体电性相接，所述第一导线的另一端与所述电源电性相接，所述第二导线的一端与所述P型半导体电性相接，所述第二导线的另一端与所述电源的负极电性相接，所述第一包裹材料包裹于所述N型半导体、所述中间导电块的一端及所述第一导线的一端之外，所述第二包裹材料包裹于所述P型半导体、所述中间导电块的另一端及所述第二导线的一端之外。
[0005]较佳地，所述中间导电块呈平板状，所述中间导电块的顶部的中间往上凸设有放电杆，所述放电杆的顶部设置有球状的放电头。
[0006]较佳地，所述中间导电块的前后两外壁分别凸设有锯齿状的放电头。
[0007]较佳地，所述中间导电块的中部往上弧形弯折，所述中间导电块的顶部装设有球状的放电头。
[0008]与现有技术相比，本技术热电制冷装置能实现中间制冷，两端制热，制冷散热方式更灵活。
[0009]通过以下的描述并结合附图，本技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本技术的实施例。
附图说明
[0010]图1为本技术热电制冷装置第一实施例第一个角度的结构图。
[0011]图2为本技术热电制冷装置第一实施例第二个角度的结构图。
[0012]图3为本技术热电制冷装置第一实施例第三个角度的结构图。
[0013]图4为本技术热电制冷装置第二实施例第一个角度的结构图。
[0014]图5为本技术热电制冷装置第二实施例第二个角度的结构图。
[0015]图6为本技术热电制冷装置第二实施例第三个角度的结构图。
[0016]图7为本技术热电制冷装置第三实施例第一个角度的结构图。
[0017]图8为本技术热电制冷装置第三实施例第二个角度的结构图。
[0018]图9为本技术热电制冷装置第三实施例第三个角度的结构图。
[0019]图10为本技术热电制冷装置第四实施例第一个角度的结构图。
[0020]图11为本技术热电制冷装置第四实施例第二个角度的结构图。
[0021]图12为本技术热电制冷装置第四实施例第三个角度的结构图。
具体实施方式
[0022]参考图1至图3，本技术热电制冷装置包括中间导电块10、P型半导体15、N型半导体20、第一绝缘陶瓷30、第二绝缘陶瓷40、绝缘材质制成的第一包裹材料50、绝缘材质制成的第二包裹材料60、第一导线70、第二导线80以及电源90。本实施例中，所述中间导电块70呈圆柱棒状。
[0023]所述N型半导体20的一端与所述第一绝缘陶瓷30相抵接，所述N型半导体20的另一端与所述中间导电块10的一端相抵接，所述中间导电块10的另一端与所述P型半导体15的一端抵接，所述P型半导体15的另一端与所述第二绝缘陶瓷40相抵接，所述第一导线70的一端与所述N型半导体20电性相接，所述第一导线70的另一端与所述电源电性相接，所述第二导线80的一端与所述P型半导体15电性相接，所述第二导线80的另一端与所述电源的负极电性相接，所述第一包裹材料50包裹于所述N型半导体20、所述中间导电块10的一端及所述第一导线70的一端之外，所述第二包裹材料60包裹于所述P型半导体15、所述中间导电块10的另一端及所述第二导线80的一端之外。
[0024]本技术热电制冷装置工作时，第一绝缘陶瓷30及第二绝缘陶瓷40散热，中间导电块10制冷，实现中间制冷，两端制热，制冷散热方式更灵活。
[0025]参考图4至图6，与第一实施例不同的是，所述中间导电块10呈平板状，所述中间导电块10的顶部的中间往上凸设有放电杆11，所述放电杆11的顶部设置有球状的放电头111。
[0026]参考图7至图9，与第一实施例不同的是，所述中间导电块10的前后两外壁分别凸设有锯齿状的放电头13。
[0027]参考图10至图12，与第一实施例不同的是，所述中间导电块10的中部往上弧形弯折，所述中间导电块10的顶部装设有球状的放电头12。
[0028]第二实施例至第四实施例可应用于纳米水离子发生器的制冷电极，放电头用于制冷放电。
[0029]本技术热电制冷装置能实现中间制冷，两端制热，制冷散热方式更灵活。
[0030]以上结合最佳实施例对本技术进行描述，但本技术并不局限于以上揭示的实施例，而应当涵盖各种根据本实施例的本质进行的修改、等效组合。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种热电制冷装置，其特征在于：包括中间导电块、P型半导体、N型半导体、第一绝缘陶瓷、第二绝缘陶瓷、绝缘材质制成的第一包裹材料、绝缘材质制成的第二包裹材料、第一导线、第二导线以及电源，所述N型半导体的一端与所述第一绝缘陶瓷相抵接，所述N型半导体的另一端与所述中间导电块的一端相抵接，所述中间导电块的另一端与所述P型半导体的一端抵接，所述P型半导体的另一端与所述第二绝缘陶瓷相抵接，所述第一导线的一端与所述N型半导体电性相接，所述第一导线的另一端与所述电源电性相接，所述第二导线的一端与所述P型半导体电性相接，所述第二导线的另一端与所述电源的负极电性相接，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈千智，邱庆彬，邱政翔，
申请(专利权)人：平流层复合水离子深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：
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