【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于一种投影光学系统、曝光装置及组件制造方法。特别是有关一种投影光学系统，其适用于以微影制程来制造半导体组件和液晶显示组件等微型组件时所使用的曝光装置。
技术介绍
在制造半导体组件等时，曝光装置被用来将做为光罩的十字标记的图案像通过投影光学系统，转印至涂敷光阻的晶片(或玻璃板等)上。在这种曝光装置中，随着半导体集成电路等的图案微细化的发展，对投影光学系统的分辨率要求也随着分辨率提高。为了提高投影光学系统的分辨率分辨率，使曝光光的波长更短，或使数值孔径更大。近年，关于曝光光，已从水银灯的g线(436nm)和i线(365nm)转向更短波长的KrF准分子雷射光(248nm)和ArF准分子雷射光(193nm)。但是，当为了使投影光学系统的分辨率提高而谋求曝光光的短波长化时，具有可用于构成投影光学系统的光学构件的所定透过率的光学材料的种类受到了限制，使投影光学系统的设计变得困难。具体地说，在使用KrF准分子雷射光和ArF准分子雷射光的投影光学系统中，实质上可使用的光学材料被限定为石英和萤石等。而且，在投影光学系统中，在提高分辨率的同时，对图像歪曲的要求也愈发严...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种投影光学系统，将第一物体的图案像形成于第二物体上，包含配置于上述第一物体和上述第二物体之间的光程中的光学材料以及在上述第一物体侧及上述第二物体侧两处为实质远心性，该投影光学系统的特征为上述光学材料具有1.6以下的折射率，其中当设上述投影光学系统所用的光的波长为λ，上述第一物体与上述第二物体的距离为L，上述第二物体侧的数值孔径为NA，在上述第二物体上的最大像高为Y0时，满足下列条件(λ×L)/(NA×Y02)＜1.5×10-32.如权利要求1所述的投影光学系统，其特征是当上述投影光学系统的出射光瞳与上述第二物体的距离为E，上述第一物体和上述第二物体的距离为L时，满足下列条件E/L＞1.23.如权利要求2所述的投影光学系统，其特征是构成上述投影光学系统的所有的光学部件都是由单一种类的光学材料形成。4.如权利要求3所述的投影光学系统，其特征是至少一个的光学面形成有非球面形状。5.如权利要求4所述的投影光学系统，其特征是从上述第一物体侧开始依次具备带有正折射力的第一透镜群、带有负折射力的第二透镜群、带有正折射力的第三透镜群。6.如权利要求5所述的投影光学系统，其特征是当在上述第一物体上的最大物体高为H0时，构成上述第一透镜群的光学面的总数的80％以上的数目的光学面具有大于上述最大物体高H0的1.1倍的有效半径；构成上述第二透镜群的光学面的总数的80％以上的数目的光学面具有小于上述最大物体高H0的1.1倍的有效半径；构成上述第三透镜群的光学面的总数的70％以上的数目的光学面具有大于上述最大物体高H0的1.1倍的有效半径。7.如权利要求6所述的投影光学系统，其特征是上述第一透镜群在属于上述投影光学系统的透镜群中配置于最靠近上述第一物体侧；上述第三透镜群在属于上述投影光学系统的透镜群中配置于最靠近上述第二物体侧。8.如权利要求1所述的投影光学系统，其特征是构成上述投影光学系统的所有的光学部件都是由单一种类的光学材料形成。9.如权利要求1所述的投影光学系统，其特征是至少1个光学面形成有非球面形状。10.如权利要求1所述的投影光学系统，其特征是从上述第一物体侧开始依次具备带有正折射力的第一透镜群、带有负折射力的第二透镜群、带有正折射力的第三透镜群。11.如权利要求10所述的投影光学系统，其特征是当在上述第一物体上的最大物体高为H0时，构成上述第一透镜群的光学面的总数的80％以上的数目的光学面具有大于上述最大物体高H0的1.1倍的有效半径；构成上述第二透镜群的光学面的总数的80％以上的数目的光学面具有小于上述最大物体高H0的1.1倍的有效半径；构成上述第三透镜群的光学面的总数的70％以上的数目的光学面具有大于上述最大物体高H0的1.1倍的有效半径。12.如权利要求11所述的投影光学系统，其特征是上述第一透镜群在属于上述投影光学系统的透镜群中配置于最靠近上述第一物体侧；上述第三透镜群在属于上述投影光学系统的透镜群中配置于最靠近上述第二物体侧。13.一种投影光学系统，将第一物体的图案像形成于第二物体之上，包含配置于上述第一物体和上述第二物体之间的光程中的光学材料以及在上述第一物体侧与上述第二物体侧两处为实质远心性，该投影光学系...
【专利技术属性】
技术研发人员：重松幸二，藤岛洋平，大村泰弘，石山敏朗，
申请(专利权)人：尼康株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。