真空处理装置制造方法及图纸

提供一种具有即使在真空室和处理单元之间存在连通管时也有良好的可维护性的结构的真空处理装置。对被处理基板(Sw)的处理面实施规定的真空处理的真空处理装置(SM)，其具有：真空室(Pc3)，其设置有被处理基板，以处理面所朝的方向为上方，在上壁形成有朝向处理面的安装开口(12)；处理单元(CU)，其用于实施真空处理；以及连通管(3)，其设置于真空室和处理单元之间，具有规定长度；该真空处理装置构成为经连通管对真空气氛的真空室内的被处理基板实施规定的真空处理，处理单元上连接有绕与上下方向正交并延伸的旋转轴(72)摆动的转动臂(74)，还具有将真空室和连通管或处理单元和连通管有选择地锁合的锁合装置(41～44、5)。5)。5)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】真空处理装置


[0001]本专利技术涉及一种对被处理基板的处理面实施规定的真空处理的真空处理装置，具体而言，涉及将下述装置设置为具有良好维护性的结构，所述装置构成为：设置有被处理基板，以处理面所朝的方向为上方，所述装置具有：真空室，其在上壁处形成有面向处理面的安装开口；用于实施真空处理的处理单元；以及具有规定长度的连通管，其设置于真空室和处理单元之间；通过连通管对真空气氛的真空室内的被处理基板实施规定的真空处理。

技术介绍

[0002]例如在半导体器件的制造工序中，为了对被处理基板在真空气氛中始终实施热处理、离子轰击处理、成膜处理和蚀刻处理等各种真空处理，而广泛采用所谓的组合设备工具(
クラスターツール
)式真空处理系统，其具有：配置了运输机器人的中央的运输室；以及围绕该运输室配置的多个处理室(例如参照专利文献1)。作为在任意一个处理室中实施的成膜处理，存在使用溅射法的装置(溅射装置)。其中，还有的装置是设置为将实施真空处理的处理单元(阴极单元)的构成部件即靶和配置在真空室内的被处理基板的处理面之间的距离(TS距离)设置得较长，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种对被处理基板的处理面实施规定的真空处理的真空处理装置，具有：真空室，其设置有被处理基板，以处理面所朝的方向为上方，在上壁形成有朝向处理面的安装开口；处理单元，其用于实施真空处理；以及连通管，其设置于真空室和处理单元之间，具有规定长度；该真空处理装置构成为经连通管对真空气氛的真空室内的被处理基板实施规定的真空处理；其特征在于，处理单元上连接有绕与上下方向正交并延伸的旋转轴摆动的转动臂，还具有将真空室和连通管或处理单元和连通管有选择地锁合的锁合装置。2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：田代征仁，杉山成，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：