【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制程中的湿制程处理设备,特别是涉及具有液位指示的湿制程处理设备。
技术介绍
半导体制程中,所使用的湿制程(wetprocessing)以晶圆洗净(wafer cleaning)和湿蚀刻(wet etching)为主。而用来进行湿制程的设备即可称为化学处理设备(wet bench),一般可包含化学处理槽(chemical bath)、洗净槽(rinsing bath)、与干燥槽(dryer bath)等。而目前用于湿制程化学处理槽的液位检测传感器有两大类,一为静电容传感器(static capacitor sensor),另一为氮气液面传感器(N2levelsensor)。其中,静电容传感器大多应用于存放具有结晶物产生的化学品、或于室温下操作的化学处理槽,例如存放缓冲氧化蚀刻剂(buffer oxide etching;BOE)的化学处理槽,而氮气液面传感器则可适用于所有型式的化学处理槽。附图说明图1所示为一般具有氮气液面传感器的化学处理设备示意图。请参阅图1,其中,化学处理槽10可分为内槽12与外槽14,晶圆16即在盛满化学处理液18的内槽 ...
【技术保护点】
一种外槽液位指示型的化学处理槽,至少包括:一内槽;一外槽连接于该内槽,借以存放溢出该内槽的一化学处理液;以及一连通导管装置连结于该外槽,借以可由该连通导管装置以目视方式观测出该化学处理液的一液面位置。
【技术特征摘要】
1.一种外槽液位指示型的化学处理槽,至少包括一内槽;一外槽连接于该内槽,借以存放溢出该内槽的一化学处理液;以及一连通导管装置连结于该外槽,借以可由该连通导管装置以目视方式观测出该化学处理液的一液面位置。2.如权利要求1所述的外槽液位指示型的化学处理槽,其中所述的连通导管装置具有多个液面标示,且这些液面标示至少包括一溢出液面指示;一循环液面指示;以及一过低液面指示。3.如权利要求1所述的外槽液位指示型的化学处理槽,其中所述的连通导管装置由透明的聚氟烷氧所制成,借以构成透明、并耐该化学处理液的连通导管装置。4.如权利要求1所述的外槽液位指示型的化学处理槽,...
【专利技术属性】
技术研发人员:董萱盛,简欣达,李瑞评,
申请(专利权)人:矽统科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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