【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有非对称厚电极的BAW谐振器
[0001]本专利技术总体上涉及电子器件。更具体地，本专利技术提供与体声波谐振器器件、单晶体声波谐振器器件、单晶滤波器和谐振器器件等的制造方法和结构相关的技术。仅作为示例，本专利技术已应用于用于通信设备、移动设备、计算设备等的单晶谐振器器件。
技术介绍
[0002]已在世界范围内成功部署移动电信设备。一年内生产了超过10亿台包括蜂窝电话和智能电话的移动设备，并且单位产量逐年增加。随着2012年左右4G/LTE的兴起以及移动数据流量的爆炸式增长，数据丰富的内容正在推动智能电话细分市场的增长，预计在未来几年内将达到每年20亿台。新旧标准的共存以及对更高数据速率要求的渴望驱使智能电话射频(RF)复杂化。遗憾的是，传统RF技术存在造成困难的局限性，而这可能在未来导致产生缺陷。
[0003]随着4G LTE和5G日益流行，无线数据通信需要频率在5GHz左右和更高的高性能RF滤波器。使用晶体压电薄膜的体声波谐振器(Bulk Acoustic Wave Resonators，BAWR)是满足这些需求...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种谐振器电路器件，包括：压电层；正面电极，形成在所述压电层上面，所述正面电极具有第一连接区域和第一谐振器区域，所述正面电极具有被配置在所述第一连接区域附近的第一部分质量负载结构；以及背面电极，形成在所述压电层下面，所述背面电极具有第二连接区域和第二谐振器区域，所述背面电极具有被配置在所述第二连接区域附近的第二部分质量负载结构；其中，所述正面电极和所述背面电极在空间上以非对称方式配置，其中，所述第一谐振器区域与所述第二谐振器区域至少部分地重叠并且所述第一连接区域和所述第二连接区域位于相反侧。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述正面电极和所述背面电极包括钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、或铝铜(AlCu)。3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述第一部分质量负载结构和所述第二部分质量负载结构包括钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、或铝铜(AlCu)。4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述正面电极和所述背面电极在空间上被配置为使得所述第一部分质量负载结构的一部分与所述第二谐振器区域的一部分重叠，并且使得所述第一谐振器区域的一部分与所述第二部分质量负载结构的一部分重叠。5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一部分质量负载结构在空间上被配置为在所述第一连接区域所在侧围绕所述正面电极的外缘的大约一半，并且其中，所述第二部分质量负载结构在空间上被配置为在所述第二连接区域的所在侧围绕所述背面电极的外缘的大约一半。6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述压电层包括具有以下项中至少一种的材料或合金：AlN、AlGaN、GaN、ScAlN、LiNbO3、LiTaO3、Ba(Sr,Ti)O3、以及Pb(Zr,Ti)O3。7.一种谐振器电路器件，包括：压电层；正面电极，形成在所述压电层上面，所述正面电极具有第一连接区域和第一谐振器区域，所述正面电极具有在所述第一连接区域附近的第一较厚部分；以及背面电极，形成在所述压电层下面，所述背面电极具有第二连接区域和第二谐振器区域，所述背面电极具有在所述第二连接区域附近的第二较厚部分；其中，所述正面电极和所述背面电极在空间上以非对称方式配置，其中，所述第一谐振器区域与所述第二谐振器区域至少部分地重叠并且所述第一连接区域和所述第二连接区域位于相反侧。8.根据权利要求7所述的器件，其中，所述正面电极和所述背面电极包括钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、或铝铜(AlCu)。9.根据权利要求7所述的器件，其中，所述正面电极和所述背面电极在空间上被配置为使得所述第一较厚部分的一部分与所述第二谐振器区域的一部分重叠，并且使得所述第二较厚部分的一部分与所述第一谐振器区域的一部分重叠。10.根据权利要求7所述的器件，其中，所述第一较厚部分在空间上被配置为在所述第一连接区域的所在侧围绕所述正面电极的外缘的大约一半，并且其中，所述第二较厚部分在空间上被配置为在所述第二连接区域的所在侧围绕所述背面电极的外缘的大约一半。
11.根据权利要求7所述的器件，其中，所述压电层包括具有以下项中的至少一种的材料或合金：A...
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