一种低损耗隔磁片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低损耗隔磁片，包括隔磁片，所述隔磁片上设有碎磁花纹，所述碎磁花纹将隔磁片分割为均匀分布的碎磁格,所述碎磁格中部设有点状格，所述碎磁格为正六边形。本实用新型专利技术提供的隔磁片上设置均匀分布的碎磁花纹，碎磁花纹将隔磁片分割为均匀分布的碎磁格，隔磁片中引入气隙可以减小涡流的产生于阻碍涡流的进一步变大，六边形纹路的气隙加入可以将涡流限制在六边形气隙中间，在六边形中间加入一点状气隙可以使涡流更加细小化，使隔磁片整体产生的热量变小，进而提高充电效率。进而提高充电效率。进而提高充电效率。

【技术实现步骤摘要】
一种低损耗隔磁片


[0001]本技术涉及隔磁片
，特别是一种低损耗隔磁片。

技术介绍

[0002]随着科学技术的发展，手机也随之由按键型变成智能型，人们对智能手机技术要求越来越高，无线充电功能可应用于智能手机上，无线充电技术是指不通过物理连接实现充电功能，为手机或蓝牙耳机等小功率电子元件充电，目前的无线充电主要通过电感耦合方式实现，一般的无线充电模组主要包括隔磁片和充电线圈等，电子设备运行时会产生磁场，磁场会通过隔磁片的导通屏蔽，起到隔磁的效果，在磁场的变化过程中，会于隔磁片中产生涡流，最后变成热量散发。
[0003]例如，专利号为202021131544.9的中国技术专利所公开的大功率无线充电隔磁片及无线充电模组，大功率无线充电隔磁片包括至少一个导磁层，所述导磁层上设有碎磁花纹，所述碎磁花纹将所述导磁层分割为均匀排布的多个单元格磁片；所述导磁层的材质为纳米晶带材、非晶带材或金属软磁带材。
[0004]虽然上述隔磁片具有抗饱和性能，可以支持电子产品的大功率充电，但仍然不能解决无线充电时产生的热量减少的问题，同时抗饱和性能也较小。

技术实现思路

[0005]本技术需要解决的技术问题是提供一种低损耗隔磁片，这种隔磁片使用时能减少无线充电时产生的热量，同时具有优越的抗饱和性能。
[0006]为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是：一种低损耗隔磁片，包括隔磁片，所述隔磁片上设有碎磁花纹，所述碎磁花纹将隔磁片分割为均匀分布的碎磁格,所述碎磁格中部设有点状格，所述碎磁格为正六边形。
[0007]作为本技术进一步的方案，所述隔磁片的材质为纳米晶带材或非晶带材。
[0008]作为本技术进一步的方案，所述点状格为规则图形。
[0009]作为本技术进一步的方案，所述点状格为菱形或圆形或三角形。
[0010]作为本技术进一步的方案，所述点状格为菱形。
[0011]作为本技术进一步的方案，所述碎磁格呈蜂窝状。
[0012]作为本技术进一步的方案，所述碎磁格的边长为0.5mm
‑
20mm。
[0013]作为本技术进一步的方案，所述菱形的边长为0.1mm
‑
5mm。
[0014]作为本技术进一步的方案，所述点状格的几何中心与碎磁格的几何中心重合。
[0015]由于本技术采用如上技术方案，本技术具有的优点和积极效果是：通过滚压或冲压等方法在隔磁片上设置均匀分布的碎磁花纹，碎磁花纹将隔磁片分割为均匀分布的碎磁格，隔磁片中引入气隙可以减小涡流的产生于阻碍涡流的进一步变大，六边形纹路的气隙加入可以将涡流限制在六边形气隙中间，在六边形中间加入一点状气隙可以使涡
流更加细小化，使隔磁片整体产生的热量变小，进而提高充电效率。
附图说明
[0016]图1是本技术一种低损耗隔磁片的俯视图。
[0017]图2是碎磁格与菱形格的结构示意图。
[0018]图3是碎磁格与圆形状格的结构示意图。
[0019]图4是碎磁格与三角形状格的结构示意图。
[0020]图中：1为隔磁片，2为碎磁花纹，3为碎磁格，4为点状格。
具体实施方式
[0021]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0022]如图1所示，本技术的一种低损耗隔磁片，包括隔磁片1，所述隔磁片1上设有碎磁花纹2，所述碎磁花纹2将隔磁片1分割为均匀分布的碎磁格3,所述碎磁格3中部设有点状格4，所述碎磁格3为正六边形。
[0023]由上述描述可知，本技术具有的优点和积极效果是：通过滚压或冲压等方法在隔磁片上设置均匀分布的碎磁花纹，碎磁花纹将隔磁片分割为均匀分布的碎磁格，隔磁片中引入气隙可以减小涡流的产生于阻碍涡流的进一步变大，六边形纹路的气隙加入可以将涡流限制在六边形气隙中间，在六边形中间加入一点状气隙可以使涡流更加细小化，使隔磁片整体产生的热量变小，进而提高充电效率。
[0024]本技术进一步地，所述隔磁片1的材质为纳米晶带材或非晶带材。
[0025]由上述描述可知，纳米晶带材为纳米晶软磁合金带材，非晶带材为非晶软磁合金带材，用纳米晶带材或非晶带材制备的隔磁片1在对应的碎磁辊上滚压后，能得到碎磁花纹，碎磁花纹将隔磁片分割为均匀分布的碎磁格3，碎磁格3中部引入点状气隙，通过点状气隙与正六边形气隙可以使涡流更加细小化，使隔磁片整体产生的热量变小，进而提高充电效率。
[0026]本技术进一步地，所述点状格4为规则图形。
[0027]由上述描述可知，正六边形的碎磁格3中的点状格4为规则图形，进而可以在正六边形中部产生规则的点状气隙，避免不规则图形产生的不规则的点状气隙对涡流的的产生扰动，从而影响隔磁片的损耗。
[0028]如图2～4所示，本技术进一步地，所述点状格4为菱形或圆形或三角形。
[0029]由上述描述可知，点状格4为规则图形，如菱形或圆形或三角形，或者其他规则图形柱状能满足产生规则的点状气隙的要求，可以在正六边形碎磁格3的中部产生规则的点状气隙，可以阻断涡流的产生与变大，隔磁片整体损耗会很小，能提高屏蔽片的屏蔽效果，也能提高屏蔽片的抗饱和性能，进而提高无线充电时的充电效率。
[0030]本技术进一步地，所述点状格4为菱形。
[0031]由上述描述可知，优选的，正六边形碎磁格3中部的点状格4为菱形，菱形产生的点状气隙与正六边形产生的气隙共同作用，达到的屏蔽效果更佳，因而能提高屏蔽片的抗饱和性能，进而提高无线充电时的充电效率。
[0032]本技术进一步地，所述碎磁格3呈蜂窝状。
[0033]由上述描述可知，呈蜂窝状的碎磁格3在滚压隔磁片时，可以将滚压后制得的蜂窝状单元格排列整个平面，便于生产加工，节约隔磁片材料，避免材料浪费。
[0034]本技术进一步地，所述碎磁格3的边长为0.5mm
‑
20mm。
[0035]本技术进一步地，所述菱形的边长为0.1mm
‑
5mm。
[0036]由上述描述可知，边长为0.1mm
‑
5mm的菱形位于边长为0.5mm
‑
20mm的碎磁格3内，菱形的点状格4能引入菱形的规则气隙，正六边形的碎磁格3可以引入正六边形气隙，正六边形气隙与菱形气隙可以阻断涡流的产生与变大，隔磁片整体损耗会很小，能提高屏蔽片的屏蔽效果，也能提高屏蔽片的抗饱和性能，进而提高无线充电时的充电效率。
[0037]本技术进一步地，所述点状格4的几何中心与碎磁格3的几何中心重合。
[0038]由上述描述可知，几何中心重合的点状格4与碎磁格3能产生规则气隙，避免不规则图形产生的不规则的点状气隙对涡流的的产生扰动，从而影响隔磁片的损耗，因而可以提高屏蔽片的屏蔽效果，也能提高屏蔽片的抗饱和性能，进而提高无线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损耗隔磁片，包括隔磁片（1），其特征是：所述隔磁片（1）上设有碎磁花纹（2），所述碎磁花纹（2）将隔磁片（1）分割为均匀分布的碎磁格（3）,所述碎磁格（3）中部设有点状格（4），所述碎磁格（3）为正六边形。2.根据权利要求1所述的一种低损耗隔磁片，其特征是：所述隔磁片（1）的材质为纳米晶带材或非晶带材。3.根据权利要求1所述的一种低损耗隔磁片，其特征是：所述点状格（4）为规则图形。4.根据权利要求3所述的一种低损耗隔磁片，其特征是：所述点状格（4）为菱形或圆形或三角形。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡鹏，董泽琳，周苗苗，王磊，
申请(专利权)人：信维通信江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：