一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，包括同轴设置的轴体和筒体，所述筒体外周壁上设有由若干个密布碎磁格组成的碎磁部，所述碎磁格包括凹陷的第一单元格和凹陷的第二单元格，所述第一单元格由第一凸条围合而成，所述第二单元格由第一凸条与第二凸条围合而成，所述碎磁格呈正六边形。本实用新型专利技术提供的屏蔽片碎磁辊具有双层正六边形碎磁格，经过本屏蔽片碎磁辊滚压后能够将隔磁片分割成更小的规则单元格，可有效减小涡流损耗，同时电磁波于两个六边形之间可多次反射传导，多余的电磁波或传导至电子器件外部或于两六边形之间被慢慢吸收，使屏蔽片的屏蔽效果得到提高，本碎磁辊制得的屏蔽片具有低厚度、屏蔽效果高、充电效率高的特点。充电效率高的特点。充电效率高的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊


[0001]本技术涉及屏蔽片加工
，特别是一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊。

技术介绍

[0002]随着科学技术的发展，手机也随之由按键型变成智能型，人们对智能手机技术要求越来越高，无线充电功能可应用于智能手机上，无线充电技术是指不通过物理连接实现充电功能，为手机或蓝牙耳机等小功率电子元件充电，目前的无线充电主要通过电感耦合方式实现，一般的无线充电模组主要包括屏蔽片和充电线圈等，电子设备运行时会产生磁场，磁场会通过屏蔽片的导通屏蔽，起到隔磁的效果，在磁场的变化过程中，会于隔磁片中产生涡流，最后变成热量散发。
[0003]例如，专利号为202021343327.6的中国技术专利所公开的一种屏蔽片碎磁压花辊，包括本体，所述本体上设有压花区，所述压花区包括密集排布的凹陷的多个单元格，所述单元格呈六边形。
[0004]虽然通过上述屏蔽片碎磁压花辊碎磁的纳米晶片损耗更低、抗直流偏置特性良好，但不能满足低厚度需求，同时抗饱和性能也较小，充电效率较低。

技术实现思路

[0005]本技术需要解决的技术问题是提供一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，使用这种碎磁辊碎磁的屏蔽片具有低厚度、屏蔽效果高、充电效率高的特点。
[0006]为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是：一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，包括同轴设置的轴体和筒体，所述筒体外周壁上设有由若干个密布碎磁格组成的碎磁部，所述碎磁格包括凹陷的第一单元格和凹陷的第二单元格，所述第一单元格由第一凸条围合而成，所述第二单元格由第一凸条与第二凸条围合而成，所述碎磁格呈正六边形。
[0007]作为本技术进一步的方案，所述第一单元格为规则图形，所述第二单元格的边缘形状为正六边形。
[0008]作为本技术进一步的方案，所述第一单元格为正六边形或圆形。
[0009]作为本技术进一步的方案，所述第一单元格为正六边形。
[0010]作为本技术进一步的方案，所述碎磁格呈蜂窝状。
[0011]作为本技术进一步的方案，所述第一单元格的边长为0.3mm
‑
18mm，所述第二单元格的边长为0.5mm
‑
20mm。
[0012]作为本技术进一步的方案，所述第一单元格和第二单元格的高度相等。
[0013]作为本技术进一步的方案，所述第一单元格和第二单元格通过雕刻成型。
[0014]作为本技术进一步的方案，所述第一凸条与第二凸条的间距为0.5mm
‑
5mm。
[0015]作为本技术进一步的方案，第一凸条与第二凸条的间距为1mm
‑
2mm。
[0016]由于本技术采用如上技术方案，本技术具有的优点和积极效果是：本屏蔽片碎磁辊具有双层正六边形碎磁格，经过本屏蔽片碎磁辊滚压后能够将隔磁片分割成更小的规则单元格，可以有效减小涡流损耗，同时电磁波于两个六边形之间可以多次反射传导，多余的电磁波或传导至电子器件外部或于两六边形之间被慢慢吸收，使屏蔽片的屏蔽效果得到显著提高，减少磁场对内部电子器件的影响，屏蔽性能的提升。
附图说明
[0017]图1是本技术一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊的俯视图。
[0018]图2是本技术一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊上的碎磁格及凸条的结构示意图。
[0019]图中：1为轴体，2为筒体，3为碎磁部，4为碎磁格，5为第一单元格，6为第二单元格，7为第一凸条，8为第二凸条。
具体实施方式
[0020]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0021]如图1和图2所示，本技术的一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，包括同轴设置的轴体1和筒体2，所述筒体2外周壁上设有由若干个密布碎磁格4组成的碎磁部3，所述碎磁格4包括凹陷的第一单元格5和凹陷的第二单元格6，所述第一单元格5由第一凸条7围合而成，所述第二单元格6由第一凸条7与第二凸条8围合而成，所述碎磁格4呈正六边形。
[0022]从上述描述可知，本技术具有的优点和积极效果是：本屏蔽片碎磁辊具有双层正六边形压花，经过本屏蔽片碎磁辊滚压后能够将隔磁片分割成更小的规则单元格，可以有效减小涡流损耗，同时电磁波于两个六边形之间可以多次反射传导，多余的电磁波或传导至电子器件外部或于两六边形之间被慢慢吸收，使屏蔽片的屏蔽效果得到显著提高，减少磁场对内部电子器件的影响，屏蔽性能的提升。
[0023]本技术进一步地，所述第一单元格5为规则图形，所述第二单元格6的边缘形状为正六边形。
[0024]从上述描述可知，规则图形的第一单元格5与第二单元格6之间可以使得电磁波多次反射传导，有效减小涡流损耗,使屏蔽片的屏蔽效果得到显著提高，减少磁场对内部电子器件的影响，屏蔽性能的提升。
[0025]本技术进一步地，所述第一单元格5为正六边形或圆形。
[0026]从上述描述可知，因第二单元格6边缘的形状为正六边形，为了电磁波可以多次被反射传导，圆形或正六边形，或其他多边形即可满足条件。
[0027]本技术进一步地，所述第一单元格5为正六边形。
[0028]从上述描述可知，优选的，正六边形的第一单元格5与第二单元格6边缘的形状对应，每条边长的朝向一一对应，电磁波能在两个凸条间反复反射传导，因而正六边形的第一单元格5的反射电磁波的效果更佳。
[0029]本技术进一步地，所述碎磁格4呈蜂窝状。
[0030]从上述描述可知，呈蜂窝状的碎磁格4可以排列整个平面，便于生产加工，节约屏
蔽片材料，避免材料浪费。
[0031]本技术进一步地，所述第一单元格5的边长为0.3mm
‑
18mm，所述第二单元格6的边长为0.5mm
‑
20mm。
[0032]从上述描述可知，第一单元格5位于第二单元格6内侧，第二单元格6内侧与第一单元格5之间有第一凸条7，因此第一凸条7的边长也为0.3mm
‑
18mm。
[0033]本技术进一步地，所述第一单元格5和第二单元格6的高度相等。
[0034]从上述描述可知，通过表面雕刻成型技术将碎磁辊表面雕刻出高度相等的第一单元格5和第二单元格6，因而会形成第一凸条7和第二凸条8，屏蔽片通过本技术的碎磁辊滚压后，制得的屏蔽片表面有与碎磁格4对应的双正六边形形状。
[0035]本技术进一步地，所述第一单元格5和第二单元格6通过雕刻成型。
[0036]从上述描述可知，由第一单元格5和第二单元格6构成的碎磁格4可以通过表面雕刻成型，也可以通过其他成型工艺成型。
[0037]本技术进一步地，所述第一凸条7与第二凸条8的间距为0.5mm
‑
5mm。
[0038]本实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，包括同轴设置的轴体（1）和筒体（2），其特征是：所述筒体（2）外周壁上设有由若干个密布碎磁格（4）组成的碎磁部（3），所述碎磁格（4）包括凹陷的第一单元格（5）和凹陷的第二单元格（6），所述第一单元格（5）由第一凸条（7）围合而成，所述第二单元格（6）由第一凸条（7）与第二凸条（8）围合而成，所述碎磁格（4）呈正六边形。2.根据权利要求1所述的一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，其特征是：所述第一单元格（5）为规则图形，所述第二单元格（6）的边缘形状为正六边形。3.根据权利要求2所述的一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，其特征是：所述第一单元格（5）为正六边形或圆形。4.根据权利要求3所述的一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，其特征是：所述第一单元格（5）为正六边形。5.根据权利要求1所述的一种用于制备高屏蔽性能屏蔽片的碎磁辊，其特征是：所述碎磁格（4）呈...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡鹏，董泽琳，周苗苗，王磊，
申请(专利权)人：信维通信江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：