【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶装置、投影型显示装置和液晶显示装置的制造方法，特别涉及在采用薄膜晶体管(以下称TFT)作为象素切换用的元件的液晶装置中的遮光结构。
技术介绍
在现有技术中作为有源矩阵驱动方式的液晶装置，在玻璃基板上形成矩阵状象素电极的同时，对于各象素电极形成以非晶形硅膜或多层硅膜作为半导体层的象素用TFT，通过TFT将电压加在各象素电极上构成实用的驱动液晶的结构。将多晶硅TFT用作象素切换用的液晶装置，由于采用与象素切换用的TFT几乎相同的工艺就可以形成用于驱动控制图象显示单元的移位寄存器电路等周边驱动电路的驱动电路用的TFT，所以因适于高集成化而引人注目。对有源矩阵驱动方式的液晶显示装置来说，为了实现高精细化而形成由对置的基板黑矩阵(或黑条)的铬膜或铝膜构成的遮光层。还采用下述结构使该遮光膜与象素切换用的TFT重叠地形成，在来自对置的基板侧的入射光射到象素切换用的TFT的沟道区及其结合区上时，在象素切换用的TFT中无漏电流流过。可是，不只是来自对置的基板侧的入射光可引起漏电流，由配置在液晶装置用基板里面侧的偏振片反射光照射到象素切换用TFT的沟道区上往往也...
【技术保护点】
一种具有显示区的装置，其特征在于：在显示区上，具有与数据线和扫描线对应而设置的薄膜晶体管，与上述薄膜晶体管对应而设置的象素电极，和至少对上述薄膜晶体管的沟道区，在上述沟道区的下层侧形成的导电性的第１遮光膜；并在上述显示区的外侧，设有 具有由多个薄膜晶体管构成的多级的移位寄存器的周边驱动电路；上述多级的移位寄存器之中，移位寄存器的规定的级和其次级的连接布线是在比构成上述移位寄存器的上述薄膜晶体管的半导体层下层侧、与上述显示区的第１遮光膜同时形成的导电膜。
【技术特征摘要】
JP 1997-2-27 44378/97;JP 1997-10-31 301251/971.一种具有显示区的装置，其特征在于在显示区上，具有与数据线和扫描线对应而设置的薄膜晶体管，与上述薄膜晶体管对应而设置的象素电极，和至少对上述薄膜晶体管的沟道区，在上述沟道区的下层侧形成的导电性的第1遮光膜；并在上述显示区的外侧，设有具有由多个薄膜晶体管构成的多级的移位寄存器的周边驱动电路；上述多级的移位寄存器之中，移位寄存器的规定的级和其次级的连接布线是在比构成上述移位寄存器的上述薄膜晶体管的半导体层下层测、与上述显示区的第1遮光膜同时形成的导电膜。2.如权利要求1所述的具有显示区的装置，其特征在于构成上述移位寄存器的时钟信号线，由与上述显示区的薄膜晶体管的栅极同时形成的导电膜构成，并形成以与上述移位寄存器的规定的级和其次级的连接布线重叠。3.如权利要求1所述的具有显示区的装置，其特征在于与构成上述移位寄存器的上述薄膜晶体管的半导体层连接的源极和漏极，是与上述显示区的上述数据线同时形成的导电膜。4.如权利要求1所述的具有显示区的装置，其特征在于上述移位寄存器由多个传输门电路构成；上述移位寄存器的规定的级和其次级的上述连接布线，在上述传输门电路间形成。5.一种具有显示区的装置，其特征在于在显示区上，具有与数据线和扫描线对应而设置的薄膜晶体管，与上述薄膜晶体管对应而设置的象素电极，和至少对上述薄膜晶体管的沟道区，在上述沟道区的下层侧形成的导电性的第1遮光膜；并在上述显示区的外侧，有具有N沟道型晶体管的周边驱动电路；在上述N沟道型晶体管的半导体层的下层侧，形成与覆盖上述半导体层的沟道区的上述显示区的第1遮光膜同时形成的导电膜，上述导电膜与上述N沟道型晶体管的源极连接。6.如权利要求5所述的具有显示区的装置，其特征在于上述周边驱动电路的低电位侧的恒定电压电源被施加于上述N沟道型晶体管的源极。7.一种具有显示区的装置，其特征在于在显示区上，具有与数据线和扫描线对应而设置的薄膜晶体管，与上述薄膜晶体管对应而设置的象素电极，和至少对上述薄膜晶体管的沟道区，在上述沟道区的下层侧形成的导电性的第1遮光膜；并在上述显示区的外侧，设有具有P沟道型晶体管的周边驱动电路；在上述P沟道型晶体管的半导体层的下层侧，形成与覆盖上述半导体层的沟道区的上述显示区的第1遮光膜同时形成的导电膜，上述导电膜与上述P沟道型晶体管的源极连接。8.如权利要求7所述的具有显示区的装置，其特征在于上述周边驱动电路的高电位侧的恒定电压电源被施加于上述P沟道型晶体管的源极。9.一种具有显示区的装置，其特征在于在显示区上，具有与数据线和扫描线对应而设置的薄膜晶体管，与上述薄膜晶体管对应而设置的象素电极，和至少对上述薄膜晶体管的沟道区，在上述沟道区的下层侧形成的导电性的第1遮光膜；并在上述显示区的外侧，设有具有由N沟道型和P沟道型晶体管构成的互补型晶...
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