激光能量自动控制系统与方法技术方案

本发明专利技术公开一种激光能量自动控制系统与方法。该方法包括：首先，提供一衬底。接着，测量衬底的氢含量值。然后，评估氢含量值是否小于一氢含量临界值。若氢含量大于氢含量临界值，则发出一警示信号。若氢含量不大于氢含量临界值，则测量衬底的厚度值。另外，建立各衬底厚度值与各激光能量值的一个对比表。接着，藉由对比表评估对应厚度值的一个激光能量值。最后，以激光能量值为依据施加一对应激光能量于衬底。本发明专利技术还提供实行该方法所需的系统。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种激光系统与方法，且特别涉及一种激光能量自动控制的系统与方法。
技术介绍
现有驱动液晶显示装置的方法中，主要用来作为图线显示的是薄膜晶体管(thin film transistor；TFT)的方式，而目前常见的薄膜晶体管主要有非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)及多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)两种。多晶硅又可分为高温多晶硅(high temperature poly silicon；HTPS)与低温多晶硅(lowtemperature poly silicon；LTPS)两种。现有的低温多晶硅薄膜晶体管工艺是利用准分子激光作为热源，激光光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的激光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收准分子激光的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，此过程称为激光结晶退火(excimer laser annealing；ELA)工艺。因此，激光结晶为低温多晶是薄膜晶体管工艺的关键技术的一。在进行激光结晶退火(excimer laser；ELA)工序前，必须有几点考虑。第一、准分子激光退本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光能量自动控制系统，包括：　　　　一衬底承载装置，用以承载一衬底；　　　　一测量装置，用以测量上述衬底的一厚度值与上述衬底的一氢含量值；　　　　一对比装置，用以提供一氢含量临界值与各衬底厚度值与各激光能量值的一对比表，藉以评估上述氢含量值是否大于上述氢含量标准值，且以上述厚度值对比上述对比表所对应的一激光能量值；以及　　　　一激光装置，用以依据上述激光能量值施加一对应激光能量于上述衬底。

【技术特征摘要】
1.一种激光能量自动控制系统，包括一衬底承载装置，用以承载一衬底；一测量装置，用以测量上述衬底的一厚度值与上述衬底的一氢含量值；一对比装置，用以提供一氢含量临界值与各衬底厚度值与各激光能量值的一对比表，藉以评估上述氢含量值是否大于上述氢含量标准值，且以上述厚度值对比上述对比表所对应的一激光能量值；以及一激光装置，用以依据上述激光能量值施加一对应激光能量于上述衬底。2.如权利要求1所述的激光能量自动控制系统，其中上述测量装置包括一椭圆仪。3.如权利要求1所述的激光能量自动控制系统，其中上述对比装置包括一计算机。4.如权利要求1所述的激光能量自动控制系统，其中上述对比装置将上述氢含量值进行评估的方法包括若上述氢含量值大于上述氢含量标准值，则发出一警示信号；以及若上述氢含量值不大于上述氢含量标准值，则通知上述测量装置测量上述衬底的厚度值。5.如权利要求1所述的激光能量自动控制系统，其中上述对比装置以上述厚度值对比上述对比表所对应的一激光能量值的方法包括将上述测量装置所测量的上述衬底的厚度值传送至上述对比装置；藉由对比装置以上述厚度值对比上述对比表所对应的一激光能量值；以及将上述激光能量值传送至上述激光装置。6.如权利要求1所述的激光能量自动控制系统，其中上述氢含量值藉由测量上述衬底的一消光系数，经由消光系数与能带关系推算出来。7.如权利要求1所述的激光能量自动控制系统，其中上述厚度值藉由测量上述衬底的一折射率，再推算而得。8.如权利要求1所述的激光能量自动控制系统，其中上述衬底包括一非晶硅层。9.如权利要求6所述的激光能量自动控制系统，其中上述对比表藉由评估具有各种不同厚度的上述非晶硅层完全转变成一结晶硅层所需要的激光能量所建立。10.一种激光能量自动控制方法，包括提供一衬底；测量上述衬底的一氢含量值；评估上述氢含量值是否小于一氢含量临界值；若上述氢含量大于上述氢含量临界值，则发出一警示信号；若上述氢含量不大于上述氢含量临界值，则测量上述衬底的一厚度值；建立各衬底厚度值与各激光能量值的一对比表；藉由上述对比...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖龙盛，许建宙，曹义昌，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]