具有密封环的半导体器件制造技术

在半导体器件中，在内部部分中形成电路单元且在外围上形成密封内部部分且由金属层的壁组成的密封环。在角落上，密封环除了包含沿外围延伸的直线部分还包含向内延伸的直线部分，从而密封环形成为在每个角落上具有小矩形平面图形的平面图形。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的结构；更具体地说，涉及不透水的壁的结构(这些壁在下文中称为密封环)，这些壁被作为单个单元而提供，其穿过提供在半导体衬底上的每个层间介电膜，且提供在半导体芯片的外围，以密封半导体芯片的内部部分。
技术介绍
在制造半导体器件的工艺中，在晶片状态中进行规定的过程后，晶片被切割成芯片大小，以获得每个半导体芯片。在半导体器件制造中的主要问题是防止空气中的水分或在切割中防止水分渗过切割芯片的横截面而降低了内部器件的性能。为了实现该目的，常用的方法是芯片的外围被一种通常称为密封环的金属图形覆盖。作为这种密封环的金属层一般在形成芯片的内部布线图形的同时形成。在现有技术中，这种类型的密封环2由包围芯片外围的简单矩形图形形成，如图1所示。因此，密封环2形成有从芯片的角落上向外突出的尖角落形状(作为示例，参考公开号为2000-150429的日本专利申请的第3-5页和图3。通常，当该芯片暴露到热循环中时，压力倾向于集中在芯片的角落上，因此，芯片的角落容易发生断裂。此时，在密封环2被形成为上述简单矩形形状的半导体芯片中，在密封环2内部的区域内的角落上可能会发生断裂。在这种情况本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包含：　　　　形成在衬底上的多层介电膜；　　　　形成在所述半导体器件的内部部分中的所述介电膜内的电路单元；以及　　　　不透水的壁，其穿过所述介电膜中的每一个，密封其里面形成有所述电路单元的内部部分，以及作为一个单元形成在所述半导体器件的外围上；　　　　其中，所述壁包含在所述半导体器件的角落的平面矩形图形，所述平面矩形图形包含沿外围延伸的直线部分和向内延伸的直线部分。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-30 22768/2003;JP 2003-9-17 324210/20031.一种半导体器件，包含形成在衬底上的多层介电膜；形成在所述半导体器件的内部部分中的所述介电膜内的电路单元；以及不透水的壁，其穿过所述介电膜中的每一个，密封其里面形成有所述电路单元的内部部分，以及作为一个单元形成在所述半导体器件的外围上；其中，所述壁包含在所述半导体器件的角落的平面矩形图形，所述平面矩形图形包含沿外围延伸的直线部分和向内延伸的直线部分。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述壁带有密封所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本明，深濑匡，井口学，小室雅宏，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]