微结构的制造方法技术

提供了一种具有高纵横比的金属微结构的制造方法，其中包括在基底上用光刻法产生沟槽。在上述沟槽的内表面形成聚合物链。这样，光刻工艺中的关键尺寸可被降至零以上的任何尺寸。此方法的应用十分广泛，可用于包括由光刻法来确定关键尺寸的任何工艺。它可直接应用于缩小薄膜磁头的读写尺寸，但该发明专利技术可被用于制造具有高纵横比的微结构的任何工艺。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻工艺。本专利技术尤其涉及金属结构的制造方法，包括在基底上采用光刻工艺开槽的步骤。
技术介绍
在半导体技术和微电子制造工艺中，结构的尺寸变得越来越小。例如在存储器的生产中，采用光刻工艺和掩模技术相结合，可生产出宽度小于400纳米的结构。光刻工艺是制造例如半导体器件过程中的关键步骤。在光刻工艺中，通常是紫外线(UV)的曝光光线被用来通过掩模(以后称为光罩)对涂有光致抗蚀剂的半导体晶片进行曝光处理。光刻工艺的目的是将代表电路层的一组图案转印在晶片上。光罩上的图案可确定晶片上的各种电路元件，如扩散区、金属连接、金属化层的位置、形状和尺寸。在光刻工艺中，由于衍射效应，极限可在大约150纳米。然而，新的应用要求更小尺寸的结构，如单电子晶体管或分子电子元件。在传统电子学甚高频电路的情况下也是如此。也有缩小薄膜磁头读写尺寸的需求。除此之外，还需要具有大约为5到30甚至更大的极高纵横比的微结构。今天的光刻技术在达到尽可能小的关键尺寸方面仍然受到所用曝光光线波长的制约。缩小关键尺寸的工作在大多数情况下是通过降低辐射波长，即从紫外线(UV)曝光开始，继续到DUV曝光，电子辐射和X光辐本文档来自技高网...

【技术保护点】
微结构（３２、４４、５８）的制造方法，包括在光致抗蚀剂上光刻产生沟槽的步骤，该方法包括在所述沟槽（３４）的内表面上采用聚合物移接技术形成聚合物刷（２８）的步骤。

【技术特征摘要】
EP 2001-1-8 01100436.31.微结构(32、44、58)的制造方法，包括在光致抗蚀剂上光刻产生沟槽的步骤，该方法包括在所述沟槽(34)的内表面上采用聚合物移接技术形成聚合物刷(28)的步骤。2.根据权利要求1的方法，其特征在于所述聚合物刷(28)是由“移接至”技术形成的。3.根据权利要求1的方法，其特征在于所述聚合物刷(28)是由“移接自”技术形成的。4.根据权利要求1-3中的任何一项的方法，其特征在于形成所述聚合物刷(28)包括下列步骤a)在所述内表面上吸收聚合反应引发剂。b)启动聚合反应过程直至所述聚合物链(28)达到适合的长度。5.根据权利要求4的方法，其特征在于聚合反应引发剂表现出的化学特性与所述光刻步骤中使用的光致抗蚀剂(10)相容。6.根据权利要求4或5的方法，其特征在于所述聚合反应引发剂能够与功能OH-基键合。7.根据权利要求6的方法，其特征在于所述聚合反应引发剂为偶氮单氯硅烷。8.根据前面权利要求中任何一项的方法，其特征在于它独立于所述光刻步骤中所使用的光致抗蚀剂(10、36、48)的特性。9.根据权利要求1的方法，其特征在于所述聚合物链(28)被直接键合到所述光刻步骤中所使用的光致抗蚀剂(10)的垂直表面上。10.根据权利要求1的方法，其特征在于所述聚合物链(28)被键合到氧化层(42、56)上，该氧化层被键合到所述光刻步骤中所使用的光致抗蚀剂(36、48)的垂直表面上。11.根据前面权利要求中任何一项的方法，其特征在于所述微结构的纵横比为5和更高...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克思史密特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]