半导体集成电路装置及其制造方法制造方法及图纸

一种制造具有多片芯片安装于其上的半导体集成电路装置的方法，半导体集成电路装置制成组件。该制造方法包括安装包含设有特性调整装置７的芯片１０１和未设特性调整装置７的芯片在内的多片芯片的过程、把这些芯片制成组件以形成半导体集成电路装置１的过程、以及随后用于通过使用特性调整装置７调整具有特性调整装置７的芯片１０１的特性和不具有特性调整装置７的芯片１０２的特性的过程。按照本发明专利技术的一种制造半导体集成电路装置的方法可以使模拟特性达到产品技术规范的高精度，并且能减少检验过程所需的时间。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
半导体集成电路装置，如其中含有微调电路在内的半导体集成电路装置现已得到广泛应用，以便实现适当的操作，譬如设置电子电路功能/工作参数以及微调来自参考电压发生电路的输出电压。附附图说明图1示出其中含有此类微调电路在内的半导体集成电路装置的配置。特别是图1示出了组成此半导体集成电路装置的芯片的电路配置。由图1中标号30所示的半导体集成电路装置包括根据外部输入的数字信号来输出模拟信号的芯片301(IC芯片)。虽然未示出，但此芯片安装在一基片上，且带有安装在其上面的芯片301的基片制成组件以形成半导体集成电路装置30。如图1所示，此芯片301包括数字电路32、第一模拟电路33、通信装置(串行通信装置)34、存储器装置35和模拟调整装置36。数字电路32处理由外部输入的数字数据，以输出数字信号，第一模拟电路33通过合适的装置如D/A(数一模)转换器来转换由数字电路32所输入的数字信号，以提供模拟信号。通信装置34控制存储器装置35以在其中写入信息，也根据由外部所输入的信息(数据)或命令来控制存储器装置35予以断开。串行通信装置34根据串行协议诸如I2C(集成电路间协本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多片芯片的半导体集成电路装置，所述装置制成组件，其特征在于，它包括：特性调整装置，只设在所述多片芯片中的一片芯片上，用于调整所述多片芯片的特性。

【技术特征摘要】
JP 2003-4-3 2003-1007511.一种具有多片芯片的半导体集成电路装置，所述装置制成组件，其特征在于，它包括特性调整装置，只设在所述多片芯片中的一片芯片上，用于调整所述多片芯片的特性。2.如权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述特性调整装置包括通信装置、存储器装置和调整装置，所述通信装置根据由外部输入的信息来控制所述存储器装置，所述存储器装置保持由所述通信装置所输入的所述信息并输出所述信息至所述调整装置，所述调整装置根据由所述存储器装置所输出的所述信息输出调整特性的信号。3.如权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述存储器装置包括至少一个熔体。4.一种制造具有多片芯片安装于其上并制成组件的半导体集...

【专利技术属性】
技术研发人员：濑上雅博，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]