【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，主要用作GaN基蓝光半导体的生长。
技术介绍
由于超高亮度GaN/蓝宝石LED的在室内外的彩色显示、交通信号指示，LED背景光源以及白色照明光源等广泛应用，其生产规模迅速扩大。在生产过程中，GaN/蓝宝石LED芯片切割问题成为阻碍其生产成本进一步降低的重要因素之一。由于GaN/蓝宝石比一般的GaAs、GaP等化合物半导体材料坚硬得多，采用砂轮刀具切割的磨损量极大，切入量也很小。一般采用金刚石刀具对GaN/蓝宝石LED芯片进行切割，切割一般分为划片和裂片两步首先用装有金刚石刀具的设备按照芯片图形尺寸进行划片，然后再用另一台设备精确对准划片刀痕，能过一个能够产生剪切应力的专用装置，在刀痕处将芯片裂开。在划片与裂片之前还必须对GaN/蓝宝石电极片的蓝宝石衬底进行研磨减薄和抛光，减薄的最终厚度一般为80-100μm。当从蓝宝石背面对准划片时，抛光质量对划片刀具的磨损和使用寿命有很大影响(参见1国际光电显示技术，2003年，第1期，64页)。GaN/蓝宝石LED切割的发展方向是激光切割，采用激光划片技术可以提高划痕的质量和成品率，有利于提高和大规模生产。目前切割深度为20μm，宽度为10-15μm，据报道目前所采用的激光器有准分子激光器和三倍频的Nd:YVO4固体激光器355nm激光(美国专利，专利号USA6580054)但采用激光划片技术也存在问题(1)由于蓝宝石为透明介质，其对激光的吸收很小，不利于提高激光划片的效率；(2)采用激光切割产生的热效应有可能对GaN/蓝宝石LED芯片光电性能产生影响。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于克...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种色心蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于它采用辐照方式使蓝宝石衬底产生色心，然后再用紫外波段激光进行划片。2.根据权利要求1所述的色心蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于它包括下列步骤①对已抛光的蓝宝石衬底进行中子辐照，辐照剂量为1015-1020neutron/cm2；②采用金属有机物气相沉积法，在辐照后的蓝宝石衬底上外延生长GaN层；③采用248nm的KrF准分子激光对辐照后的GaN/蓝宝石LED芯片进行划片；④采用裂片机进...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋成勇，徐军，周圣明，杨卫桥，周国清，王银珍，彭观良，邹军，刘士良，张俊计，邓佩珍，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：
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