恒定PH的抛光和擦洗制造技术

提供了一种系统和方法，该系统和方法在整个抛光处理过程中，维持晶片表面上的高ＰＨ水平，然后仅在需要时，在ＣＭＰ之后以及在后－－抛光清洁期间，用一种可控制的方式使ＰＨ水平降低。利用一种具有高ＰＨ化学和任选的表面活性剂流体代替去离子水，使晶片和抛光器元件保持潮湿，并将残余泥浆从抛光衬垫上清除干净。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体的制作处理。更具体而言，本专利技术涉及一种系统，该系统在半导体平整化处理过程中，维持PH恒定，以减少在半导体处理过程中的缺陷。现在参考附图说明图1和图2，它们用框图表示了现有技术CMP机器100以及晶片105的侧向局部透视图(图2)。CMP机器100由支架101馈进待抛光的晶片，并把它们放到旋转的抛光衬垫102上。抛光衬垫102用有弹力的材料制作，织地粗糙，常具有预先确定的多重凹槽，以利于抛光处理。调节支架103对抛光衬垫进行调节。抛光衬垫102在台盘104上面以预先确定的速度旋转，台盘104是一种位于抛光衬垫102下面的转台。晶片用载环和载膜支持在抛光衬垫102和支架101上面，载环和载膜在图上没有画出。晶片105的下表面搁在抛光衬垫102上。晶片105的上表面与支架101载膜的下表面相对。随着抛光衬垫102旋转，支架101使晶片105以预先确定的速度旋转。支架101迫使晶片105以预先确定大小的向下力量进入抛光衬垫102中。CMP机器100还包括延伸横过抛光衬垫102半径的泥浆分发管107。泥浆分发管107把一股泥浆106从泥浆源112分发到抛光衬垫10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过化学机械平整化以降低晶片表面缺陷的方法，该方法包括：（ａ）配备了包括一种潮湿的传送机械装置的晶片输入／输出区域（６１０）；（ｂ）配备了第一抛光台盘（６２０）；（ｃ）配备了第二抛光台盘（６３０）；（ｄ）配备了低ＰＨ漂洗站（６６０）；（ｅ）利用所说的潮湿传送机械装置（６１０）把第一晶片（６１５）送到第一抛光台盘（６２０），该潮湿传送机械装置（６１０）利用一种高ＰＨ溶液使第一晶片（６１５）保持潮湿；（ｆ）利用一种高ＰＨ泥浆抛光第一台盘（６２０）上的第一晶片（６１５）；（ｇ）在步骤（ｆ）之后，利用一种高ＰＨ溶液漂洗第一晶片（６１５）和第一台盘（６２０）；（ｈ）在步骤（ｇ）之后，把第一晶片（６１...

【技术特征摘要】
US 2001-8-31 09/943,9601.一种通过化学机械平整化以降低晶片表面缺陷的方法，该方法包括(a)配备了包括一种潮湿的传送机械装置的晶片输入/输出区域(610)；(b)配备了第一抛光台盘(620)；(c)配备了第二抛光台盘(630)；(d)配备了低PH漂洗站(660)；(e)利用所说的潮湿传送机械装置(610)把第一晶片(615)送到第一抛光台盘(620)，该潮湿传送机械装置(610)利用一种高PH溶液使第一晶片(615)保持潮湿；(f)利用一种高PH泥浆抛光第一台盘(620)上的第一晶片(615)；(g)在步骤(f)之后，利用一种高PH溶液漂洗第一晶片(615)和第一台盘(620)；(h)在步骤(g)之后，把第一晶片(615)传送到第二台盘(630)；(i)利用一种高PH泥浆抛光第二台盘(630)上的第一晶片(615)；(j)在步骤(i)之后，利用一种高PH溶液漂洗第一晶片(615)和第二台盘(630)；(k)在步骤(j)之后，把第一晶片(615)传送到所说的低PH漂洗站；(1)利用一种比高PH溶液的PH小的低PH溶液在漂洗站(660)对第一晶片(615)进行漂洗；而且其中，在步骤(a)-(k)期间，第一晶片(615)表面的PH维持基本恒定。2.权利要求1的方法，其中高PH泥浆的PH在10和12之间。3.权利要求1或权利要求2的方法，其中高PH溶液的PH在10和12之间。4.权利要求3的方法，其中高PH溶液包括稀释的氨，且较低PH溶液的PH大约为6。5.权利要求4的方法，其中较低PH溶液是去离子水，且所说的低PH漂洗站位于干燥站(660)。6.权利要求1或权利要求2的方法，还包括至少配备一种刷洗洗涤器(650，655)；和在步骤(j)之后，并在用所说的较低PH溶液(660)漂洗第一晶片(615)之前，至少利用一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：SW哈尔，AJ布拉克，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]