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提供了一种系统和方法，该系统和方法在整个抛光处理过程中，维持晶片表面上的高ＰＨ水平，然后仅在需要时，在ＣＭＰ之后以及在后－－抛光清洁期间，用一种可控制的方式使ＰＨ水平降低。利用一种具有高ＰＨ化学和任选的表面活性剂流体代替去离子水，使晶片和抛...
该专利属于皇家飞利浦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过皇家飞利浦电子股份有限公司授权不得商用。

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