【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗台及晶圆清洗装置
[0001]本技术涉及晶圆清洗
,尤其涉及一种晶圆清洗台及晶圆清洗装置。
技术介绍
[0002]在半导体设备中,以光刻工艺为例,光刻工艺的主要步骤有:首先,在半导体晶圆上旋涂光刻胶层,接着,进行软烘烤工艺,去除光刻胶层中的溶剂,并增加所述光刻胶在半导体晶圆表面的黏附性,完成软烘烤之后,之后,对所述晶圆上的光刻胶进行显影工艺完成光刻后进行蚀刻,蚀刻作业完成后将晶圆进行去胶作业。
[0003]目前,现有去胶设备湿法蚀刻机台(去胶机)将晶圆放置对应的晶圆盘中进行喷洒去胶,喷洒中喷流下来的清洗液进入到晶圆盘中,晶圆盘中的清洗液流动性差,导致晶圆清洗难度大,清洗效果不佳。
[0004]因此,如何降低晶圆清洗难度、提高其清洗效果是亟需解决的问题。
技术实现思路
[0005]鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种晶圆清洗台及晶圆清洗装置,旨在解决现有技术中晶圆清洗难度大、清洗效果差的技术问题。
[0006]一种晶圆清洗台,包括:晶圆盘;第一驱动组件,所述第一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗台,其特征在于,包括:晶圆盘;第一驱动组件,所述第一驱动组件用于驱动所述晶圆盘转动;第二驱动组件,所述第二驱动组件用于驱动所述晶圆盘摆动。2.如权利要求1所述的晶圆清洗台,其特征在于,所述第一驱动组件包括:第一电机和第一转动杆,所述第一转动杆的第一端与所述第一电机转动连接,所述第一转动杆的第二端连接所述晶圆盘;所述第二驱动组件包括:第二电机和第二转动杆,所述第二转动杆的第一端与所述第二电机转动连接,所述第二转动杆的第二端连接所述晶圆盘。3.如权利要求2所述的晶圆清洗台,其特征在于,所述晶圆盘包括:晶圆盘本体,所述晶圆盘本体上设有环形开槽;连接杆,所述连接杆的第一端与所述晶圆盘本体背离所述环形开槽的一面相连接,所述连接杆的第二端与所述第一转动杆、所述第二转动杆相连接。4.如权利要求3所述的晶圆清洗台,其特征在于,所述第一转动杆的第二端设有开槽,所述连接杆的第二端设于所述开槽。5.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:兰升友,徐瑞林,
申请(专利权)人:重庆康佳光电技术研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:
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