一种低静态电流NMOS型全集成LDO电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低静态电流NMOS型全集成LDO电路，包括误差放大器电路、自适应偏置电流源电路、NMOS管N5、电阻R1和R2、频率补偿电路、用于自适应控制NMOS管N6的开启与关闭的上过冲检测电路和用于自适应控制PMOS管P5的开启与关闭的下过冲检测电路；上过冲检测电路在检测到发生上过冲时打开NMOS管N6，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流；下过冲检测电路在检测到发生下过冲时打开PMOS管P5，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流。本实用新型专利技术能够以非常低的静态电流实现全集成LDO在面对几十A/μs的负载电流切换速率时的快速响应。几十A/μs的负载电流切换速率时的快速响应。几十A/μs的负载电流切换速率时的快速响应。

【技术实现步骤摘要】
一种低静态电流NMOS型全集成LDO电路


[0001]本技术涉及集成电路设计
，具体涉及一种低静态电流NMOS型全集成LDO电路。

技术介绍

[0002]低压降(LDO)线性稳压器，一般习惯简称为LDO，是提供干净稳定电压源的电路模块。全集成则要求它的所有元器件都在片内实现，以给片上系统(SoC)中的模块供电。SoC经常需要多个全集成LDO给它供电，比如模拟模块一个，射频模块一个，其他的模块则使用另一个LDO。模拟模块对LDO输入电源的干扰小，负载电流变化比较缓；射频模块容易干扰LDO输入电源，需要全频带较高的电源抑制比(PSRR)，而且负载电流变化比较急，但是负载电流变化幅度不大；其他的数字电路模块和混合信号电路模块则可能因瞬间休眠或者开启一些或者全部数字模块而导致急剧的负载电流变化，这种情况下，尤其是LDO的下冲电压，如果幅度太大或者恢复时间过长，都可能导致电路重启或者影响其他模块的正常工作。
[0003]图1至3给出了全集成LDO的3种基本结构，其中：
[0004]参见图1所示，第一种结构采用PMOS管作为功率传输管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低静态电流NMOS型全集成LDO电路，包括误差放大器电路、自适应偏置电流源电路、作为功率传输管的NMOS管N5、作为负载电阻的电阻R1和R2、频率补偿电路、上过冲检测电路和下过冲检测电路，其特征在于：所述上过冲检测电路自适应控制NMOS管N6的开启与关闭，所述下过冲检测电路自适应控制PMOS管P5的开启与关闭；所述上过冲检测电路被配置为在检测到发生上过冲时打开NMOS管N6，以向误差放大器电路提供额外的偏置电流，当输出上过冲电压恢复到接近稳态值时关闭NMOS管N6；所述下过冲检测电路被配置为在检测到发生下过冲时打开PMOS管P5，并通过NMOS管N7～N8构成的电流镜向误差放大器电路提供额外的偏置电流，当输出下过冲电压恢复到接近稳态值时关闭PMOS管P5；所述NMOS管N5的漏极分别电性连接到电压源VDD1和下过冲检测电路的第一输入端，源极分别电性连接到电阻R1的一端、上过冲检测电路的第一输入端和下过冲检测电路的第二输入端并作为LDO电路的输出电源端VP，所述电阻R1的另一端分别电性连接到电阻R2的一端、上过冲检测电路的第二输入端和偏置电压源VB；所述电阻R2的另一端接地。2.根据权利要求1所述的低静态电流NMOS型全集成LDO电路，其特征在于：所述误差放大器电路选用套筒式共源共栅结构，包括NMOS管N1～N4、PMOS管P1～P4和偏置电流源IB1，其中，所述PMOS管P1的源极电性连接到电压源VDD2，栅极分别电性连接到PMOS管P2的栅极、PMOS管P3的漏极和NMOS管N3的漏极，漏极电性连接到PMOS管P3的源极；所述PMOS管P2的源极电性连接到电压源VDD2，漏极电性连接到PMOS管P4的源极；所述PMOS管P3的栅极分别电性连接到偏置电压源VB2和PMOS管P4的栅极；所述PMOS管P4的漏极分别电性连接到NMOS管N5的栅极和NMOS管N4的漏极；所述NMOS管N3的栅极分别电性连接到偏置电压源VB1和NMOS管N4的栅极，源极电性连接到NMOS管N1的漏极；所述NMOS管N4的源极电性连接到NMOS管N2的漏极；所述NMOS管N1的栅极电性连接到参考电压源VR，源极分别电性连接到NMOS管N2的源极和经偏置电流源IB1接地；所述NMOS管N2的栅极电性连接到输出电源端VP。...

【专利技术属性】
技术研发人员：白春风，张开，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：新型
国别省市：