金属层的改质方法技术

一种金属层的改质方法，其特征在于，包括以下步骤：　　　　提供一半导体基底；　　　　形成一第一金属阻障层于所述基底表面；　　　　形成一金属层于所述第一金属阻障层表面；　　　　形成一第二金属阻障层于所述金属层表面；以及　　　　实施一热处理程序。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制程的方法，特别涉及一种。
技术介绍
金属导线层在半导体技术中扮演极重要的角色，而精确无误地将各层金属导线层整合于一芯片中也是一项极为重要的技术。目前金属导线层的发展需要尽可能提高其可靠度、缩小其尺寸大小并且增加其制程容许度。然而，金属导线层的制作技术中有几项困难点，必须加以改善。由于金属导线层的反射率相当高，在后续微影(photolithography)制程中高强度的反射率会导致曝光对准发生困难。因此，金属导线层的表面通常会形成一抗反射层(anti-reflective coating)，例如氮化钛，以降低微影曝光时的反射光强度，可提高微影制程容许度。另外，目前常使用的金属导线材质多为铜铝合金(Cu/Al alloy)或铜铝硅合金(Cu/Al/Si alloy)，却往往容易在制程中发生铜铝(CuAl2)析出(precipitate)的问题。铜铝的析出会在后续蚀刻金属导电层时导致有毒残留物的产生，残留物会导致位于金属层下方的阻障层发生断线，而形成短路。并且，金属导线层沉积过程中所残留的应力(stress)以及表面不平整而易造成光阻崩塌的问题，皆是目前急需改本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属层的改质方法，其特征在于，包括以下步骤提供一半导体基底；形成一第一金属阻障层于所述基底表面；形成一金属层于所述第一金属阻障层表面；形成一第二金属阻障层于所述金属层表面；以及实施一热处理程序。2.根据权利要求1所述金属层的改质方法，其特征在于，所述第一金属阻障层与所述第二金属阻障层分别由堆栈之钛(Ti)/氮化钛(TiN)所构成。3.根据权利要求1所述金属层的改质方法，其特征在于，所述金属层为铜铝合金(Cu/Al alloy)或铜铝硅合金(Cu/Al/Sialloy)。4.根据权利要求1所述金属层的改质方法，其特征在于，所述热处理程序是以烘烤方式进行。5.根据权利要求1所述金属层的改质方法，其特征在于，所述热处理程序是以急速冷却(quench)方式进行。6.根据权利要求1所述金属层的改质方法，其特征在于，所述热处理程序是施行于形成所述金属层之后。7.根据权利要求2所述金属层的改质方法，其特征在于，所述热处理程序是施行于形成所述第二金属阻障层的氮化钛(TiN)之后。8.根据权利要求1所述金属层的改质方法，其特征在于，所述热处理程序是于含氮气氛环境下施行。9.根据权利要求1所述金属层的改质方法，其特征在于，所述热处理程序的同时实施一电浆处理。10.根据权利要求1所述金属层的改质方法，其特征在于，所述热处理程序的温度大体为200-400℃。11.根据权利要求5所述金属层的改质方法，其特征在于，所述快速冷却程序系5-10秒内使温度由大体23℃上升至大体350℃，于大体350℃保持约5...

【专利技术属性】
技术研发人员：方瑞华，钟振辉，吕佳慧，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：