具有低压自启动能力的电源电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有低压自启动能力的电源电路，其包括电源S1以及MOS管M1，所述MOS管M1与驱动电路适配连接；MOS管M1采用NMOS管，驱动电路与MOS管M1的栅极端连接；还包括与MOS管M1以及驱动电路适配连接的自启动电路；所述自启动电路包括用于检测MOS管M1的源漏端电压差的电压检测电路以及与所述电压检测电路适配连接的电压处理电路，电压处理电路能对电压检测电路所检测的电压升压至所需的驱动供电电压，电压处理电路能将驱动供电电压加载到驱动电路的电源端，以能在MOS管M1的源极端与电源S1的正极端连接时，通过驱动电路能驱动MOS管M1导通。本实用新型专利技术既能实现防反接，又能具备低压自启动，降低功耗，提高供电的可靠性与稳定性。与稳定性。与稳定性。

【技术实现步骤摘要】
具有低压自启动能力的电源电路


[0001]本技术涉及一种电源电路，尤其是一种具有低压自启动能力的电源电路。

技术介绍

[0002]目前，市场上很多电源类产品，都会在电路板的电源接入端放置一个二极管，以用来防止因一时疏忽人为电源线接反造成的产品损坏。从产品的设计角度来讲，如果把电源做成防反接的，那就大大提高了产品的人性化设计。从技术角度来讲，实现电源防反接的技术并不复杂，普遍采用二极管或MOS管搭配驱动电路方案来实现。
[0003]采用二极管方式的防反接方案，利用的是二极管最简单的特性：二极管具有单向导电性。常规情况下，正常接入电源如图1所示。当工作人员或用户因一时疏忽将电源线接反时，如图2所示，二极管D1阻止了电流流过，此时电源S1与负载无法构成回路，对负载电路没有任何影响，从而保证了负载的安全。通常二极管D1的导通压降过大(普通二极管的压降约为0.6V，肖特基二极管的压降约为0.4V)。如果有10A电流，则会产生4W～6W功耗，这会极大的增加发热量。若负载电流比较大时，二极管D1发热严重，功耗较高，二极管D1型号比较难选择，只能采用M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有低压自启动能力的电源电路，包括电源S1以及用于防反接且与电源S1适配连接的MOS管M1，所述MOS管M1与用于驱动所述MOS管M1开关状态的驱动电路(1)适配连接；其特征是：所述MOS管M1采用NMOS管，驱动电路(1)与MOS管M1的栅极端连接；还包括与MOS管M1以及驱动电路(1)适配连接的自启动电路(2)；所述自启动电路(2)包括用于检测MOS管M1的源漏端电压差的电压检测电路以及与所述电压检测电路适配连接的电压处理电路，电压处理电路能对电压检测电路所检测的电压升压至所需的驱动供电电压，电压处理电路能将驱动供电电压加载到驱动电路(1)的电源端，以能在MOS管M1的源极端与电源S1的正极端连接时，通过驱动电路(1)能驱动MOS管M1导通。2.根据权利要求1所述的具有低压自启动能力的电源电路，其特征是：所述MOS管的漏极端通过负载与电源S1的负极端连接，自启动电路(2)与电容C1并联连接。3.根据权利要求1或2所述的具有低压自启动能力的电源电路，其特征是：所述电压检测电路包括施密特触发器U3，所述施密特触发器U3的正电源端与MOS管M1的源极端连接，施密特触发器U3的负电源端与MOS管M1的漏极端连接，施密特触发器U3的输出端与滤波电容单元以及反相器...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊，秦晓雷，
申请(专利权)人：无锡迈尔斯通集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：