等离子蚀刻机制造技术

本发明专利技术提供了一种等离子蚀刻机，包括：箱体；上部等离子电极和下部等离子电极，设置在箱体的上部和下部；气体注入管，与箱体连接；多个扩散板，设置在上部等离子电极和气体注入管之间；电力发生器，向上部等离子电极和下部等离子电极施加电压，其中在上部等离子电极上形成多个喷射孔，在多个扩散板上形成多个辅助喷射孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子蚀刻机，尤其是涉及一种用于半导体元件或液晶显示器制造工序的等离子蚀刻机。
技术介绍
一般而言，等离子蚀刻工序是通过连接在等离子蚀刻机箱体上部的气体注入管向箱体内部注入气体来进行的。这时，在横穿箱体内部设置的上部电极上形成多个喷射孔，因此由气体注入管供应到上部电极的气体，通过喷射孔喷射到位于箱体内部的玻璃基片整个表面上。然而，随着玻璃基片的大型化，通过气体注入管注入到箱体内部的气体喷射不均匀的可能性也变大。换而言之，由气体注入管流入的气体通过离气体注入管规定间距相隔的上部电极喷射孔向箱体内部流入时，因为玻璃基片大，所以在玻璃基片的中央喷射较多气体，而玻璃基片的边缘喷射较少气体，导致流入的气体流量和密度分布不均匀。另外组成混合气体的气体都由相同温度流入，因此各组成气体的速度不同，势必不均匀地流入到箱体内。这时，气体分子的热速度为Vth=T/M]]>在这里，T是气体分子温度，而M是气体分子的分子量。因此，组成混合气体的气体温度相同时，根据组成气体间的质量差造成组成气体分子的不同速度。所以组成混合气体的气体之间有质量差时，在水平方向扩散中速度变得不均匀，导致向箱体内部流入的气体分布不均匀。
技术实现思路
根据本专利技术提供了一种等离子蚀刻机，其包括箱体、分别设置在该箱体内上部及下部的上部等离子电极及下部等离子电极、与箱体连接的气体注入管、设置在上部等离子电极和气体注入管之间的多个扩散板、向上部及下部等离子电极施加电压的电力发生器。优选地，在上部等离子电极形成多个喷射孔，在扩散板形成多个辅助喷射孔。优选地，设置扩散板时使形成在相互面对的扩散板上的辅助喷射孔相互交叉排列。优选地，该等离子蚀刻机可以进一步包括设置在多个扩散板上的温度调节器。优选地，该等离子蚀刻机可以进一步包括设置在气体注入管入口上的小型扩散板。附图说明本专利技术的上述及其它特征和优点将通过参考附图详细地描述其典型实施例而变得更加显而易见，其中图1是根据本专利技术一实施例的等离子蚀刻机示意图；以及图2是根据本专利技术一实施例的等离子蚀刻机扩散板的布局图。具体实施例方式为了使本领域技术人员能够实施本专利技术，现参照附图详细说明本专利技术的优选实施例。但是，本专利技术可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。在图中为了明确表现各层及区域，扩大其厚度来表示，在全篇说明书中对类似部分附上相同图的符号，当提到层、膜、区域、板等部分在别的部分“之上”时，它是指“直接”位于别的部分之上，也包括其间夹有别的部分之情况，反之说某个部分“直接”位于别的部分之上时，指其间并无别的部分。下面将参照附图详细说明根据本专利技术实施例的等离子蚀刻机。图1是根据本专利技术一实施例的等离子蚀刻机示意图，而图2是根据本专利技术一实施例的等离子蚀刻机扩散板的布局图。参照图1及图2，根据本专利技术一实施例的等离子蚀刻机包括进行等离子工序的箱体10、位于箱体10内并装有薄膜沉积的玻璃基片20的支撑台31。该支撑台31还起到下部等离子电极31的作用。在箱体10内设置上部等离子电极32，在该上部等离子电极32及下部等离子电极31上由RF(射频)电力发生器40施加等离子电压。而且，在RF电力发生器40上发生的电力通过阻抗匹配箱体50经调谐后施加到箱体10内。在等离子蚀刻机的箱体10上部上连接流入混合气体的气体注入管60。通过这种气体注入管60向箱体10内部注入气体。为了使流入的混合气体均匀扩散，在气体注入管60和上部等离子电极32之间设置多个扩散板70。在扩散板70上形成多个辅助喷射孔70a。优选地，这种辅助喷射孔70a的直径为0.2-0.5mm，辅助喷射孔70a之间的间距p约为5cm。用本专利技术一实施例示出的图1中设置两个扩散板。如图1所示，在上部扩散板71及下部扩散板72上分别形成辅助喷射孔71a、72a。通过气体注入管60流入的混合气体，通过上部扩散板71及下部扩散板72的辅助喷射孔71a、72a供应到上部等离子电极的喷射孔32a。然后，通过气体注入管60流入的一部分混合气体在上部扩散板71中，几次反射且向水平方向扩散后，通过辅助喷射孔71a流入到下部扩散板72。一部分直接通过上部扩散板71的辅助喷射孔71a流入到下部扩散板72上。然后，流入到下部扩散板72的一部分混合气体在下部扩散板72中几次反射且向水平方向扩散后，通过辅助喷射孔72a流入到上部等离子电极32，一部分直接通过下部扩散板72的辅助喷射孔72a流入到上部等离子电极32。然后，流入到上部等离子电极32的一部分混合气体在上部等离子电极32中，几次反射且向水平方向扩散后，通过喷射孔32a流入到箱体10内，一部分直接通过喷射孔32流入到箱体10内。根据这种混合气体的水平方向扩散，提高流入到箱体10内部的混合气体均匀性。换而言之，经过多个扩散板的辅助喷射孔71a、72a及等离子电极喷射孔32a，从而在箱体中央及边缘均匀扩散。优选地，设置上部扩散板71及下部扩散板72时使形成在上部扩散板71的辅助喷射孔71a和形成在下部扩散板72的辅助喷射孔72a相互交叉排列。这是为了使通过气体注入管60流入的混合气体充分向箱体10边缘扩散的缘故。在气体注入管60入口再设置小型扩散板73，从而可以更好地向水平方向扩散混合气体。另外，优选地，在多个扩散板71、72上设置温度调节器80，均匀保持通过扩散板71、72的混合气体温度，从而均匀调节流入到箱体10内部的混合气体温度。为了在未进行过等离子蚀刻工序的箱体和连续进行等离子蚀刻工序的所有箱体中，均匀调节流入到箱体10内部的混合气体温度，使薄膜在玻璃基片上均匀形成。根据本专利技术的等离子蚀刻机在气体注入管和上部等离子电极之间设置形成辅助喷射孔的扩散板，从而可以向箱体内均匀注入混合气体。以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子蚀刻机，包括：箱体；上部等离子电极和下部等离子电极，设置在所述箱体的上部和下部；气体注入管，与所述箱体连接；多个扩散板，设置在所述上部等离子电极和所述气体注入管之间；电力发生器，向所述上部等 离子电极和所述下部等离子电极施加电压，其中在所述上部等离子电极上形成多个喷射孔，在所述多个扩散板上形成多个辅助喷射孔。

【技术特征摘要】
KR 2003-9-5 10-2003-00622041.一种等离子蚀刻机，包括箱体；上部等离子电极和下部等离子电极，设置在所述箱体的上部和下部；气体注入管，与所述箱体连接；多个扩散板，设置在所述上部等离子电极和所述气体注入管之间；电力发生器，向所述上部等离子电极和所述下部等离子电极施加电压，其中在所述上部...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔熙焕，姜聖哲，金湘甲，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]