晶体硅的制作方法和使用晶体硅的开关器件技术

一种制作晶体硅层的方法，包括在具有第一区域和位于第一区域外围的第二区域的基板上形成非晶硅半导体层；通过把激光束照射到第二区域的半导体层上而形成至少一个凹形对准键；使用该至少一个对准键对第一区域的半导体层进行结晶处理。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及结晶非晶硅的方法，更具体的，涉及使用对准键制作晶体硅的方法和使用晶体硅的开关器件。
技术介绍
由于信息时代的到来，便携而低功耗的平板显示器(FPD)成了许多近期研究的主题。在各种类型的FPD器件中，液晶显示器(LCD)因其高分辨率、彩色显示能力和在显示运动图像中的卓越表现而被广泛用作为笔记本电脑和台式计算机的监视器。通常，LCD器件包括两个基板，将这两个基板设置为使其各自电极彼此相对。在各自电极之间夹有一个液晶层。当在两个电极之间施加电压时，产生电场。这个电场通过改变液晶分子的取向而调制液晶层的透光率，从而在LCD器件上显示图像。有源矩阵型显示器件因其出众的运动图像显示能力而得到普遍应用。有源矩阵型显示器件包括布置成矩阵的像素区和在各个像素区中形成的开关元件，例如薄膜晶体管(TFT)。包含使用多晶硅(p-Si)的TFT的LCD器件近来得到了广泛的研究和开发。在使用多晶硅的LCD器件中，显示区TFT和驱动电路可以在同一个基板上形成。而且，由于不需要额外工序来连接显示区的TFT和驱动电路，所以LCD器件的整个制作工序得到了简化。因为多晶硅的场效应迁移率比非晶硅大几百倍，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作晶体硅层的方法，包括：提供具有第一区域和位于第一区域外围的第二区域的基板；在该基板上形成非晶硅半导体层；把激光束照射到第二区域中的半导体层上，从而形成至少一个凹形对准键；和使用该至少一个对准键对第一区 域中的半导体层进行结晶处理。

【技术特征摘要】
KR 2003-9-24 0066130/20031.一种制作晶体硅层的方法，包括提供具有第一区域和位于第一区域外围的第二区域的基板；在该基板上形成非晶硅半导体层；把激光束照射到第二区域中的半导体层上，从而形成至少一个凹形对准键；和使用该至少一个对准键对第一区域中的半导体层进行结晶处理。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的激光束具有与烧蚀态对应的能量密度，此时通过汽化而去除半导体层。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的激光束具有第一能量密度，该第一能量密度高于与半导体层完全熔化的完全熔化态对应的第二能量密度，并且该第一能量密度低于第三能量密度，该第三能量密度使得从激光束边界到所述至少一个对准键的边界的临界距离大约是1μm。4.根据权利要求1所述的方法，其中选择性地对半导体层进行结晶处理的步骤形成了开关元件的晶体硅有源层。5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二区域的基板的四个角上形成所述的至少一个对准键。6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在基板和半导体层之间形成缓冲层。7.根据权利要求1所述的方法，其中基板通过所述至少一个对准键而露出。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述的至少一个对准键包括多个彼此隔开的凹形对准图案。9.根据权利要求1所述的方法，其中使用同一激光设备执行形成所述至少一个对准键的步骤和半导体层的结晶步骤。10.一种制作开关元件的有源层的方法，包括提供具有第一区域和位于第一区域外围的第二区域的基板；在基板上形成非晶硅半导体层；把激光束照射到第二区域的半导体层上而形成至少一个凹形对准键；使用该至少一个对准键结晶第一区域的半导体层；和使用该至少一个对准键对第一区域的半导体层进行构图，以由晶体硅形成有源层。11.根据权利要求10所述的方法，其中对半导体层进行构图的步骤包括通过扫描识别所述至少一个对准键的曝光步骤。12.一种制作晶体硅层的方法，包括提供具有第一区域和位于第一区域外围的第二区域的基板；在基板上形成非晶硅半导体层；使用第一掩膜把激光束照射到第二区域的半导体层上而形成至少一个凹形对准键；使用该至少一个对准键和第二掩膜对第一区域的半导体层进行结晶处理。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一掩膜包括多个彼此隔开的透光区域，各个透光区域具有矩形形状。14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括在所述基板和半导体层之间形成缓冲层。15.根据权利要求12所述的方法，其中所述基板通过所述至少一个对准键而露出。16.根据权利要求12所述的方法，其中在所述第二区域中的基板的四个角上形成所述的至少一个对准键。17.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二掩膜包括遮挡激光的第一掩膜区域和透射激光束的第二掩膜区域。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二掩膜区域包括多个彼此隔开并沿着一个方向布置的缝隙。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述的多个缝隙包括第一缝隙和与第一缝隙交替的第二缝隙。20.根据权利要求12所述的方法，其中使用同一激光设备执行形成所述至少一个对准键的步骤和半导体层的结晶步骤，该激光设备包括其上有基板的移动载台、聚焦激光束的投射透镜、其上有第一和第二掩膜之一的掩膜载台和改变激光束方向的反射镜。21.一种制作开关元件的有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣柱，
申请(专利权)人：LG菲利浦LCD株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]