LDMOS导通电阻的测量电路制造技术

本申请公开了一种LDMOS导通电阻的测量电路，涉及电子器件检测技术领域。LDMOS导通电阻的测量电路，包括：LDMOS器件，设置有漏极框架、源极框架；漏极框架设有第一点集、第二点集，源极框架设有第三点集、第四点集，第一点集、第二点集、第三点集、第四点集中均包括测试点和电流点；第一电流源，用于加载第一电流，以使第一电流回路具有第一电压；第二电流源，用于加载第二电流，以使第二电流回路具有第二电压，并使第二电压和的第一电压之间的差值满足预设范围；第一电流、第二电流、第一电压、第二电压用于计算得到导通电阻。本申请的测量电路，能够实现导通电阻的精确测量。够实现导通电阻的精确测量。够实现导通电阻的精确测量。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS导通电阻的测量电路


[0001]本申请涉及电子器件检测
，尤其涉及一种LDMOS导通电阻的测量电路。

技术介绍

[0002]相关技术中，LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)通常具有耐高压、容易进行控制等优点而被广泛采用。而在LDMOS管的各类参数中，导通电阻是对LDMOS管进行控制的重要参数，因此，导通电阻的准确测量尤为重要。目前，LDMOS器件的导通电阻测量方法，通常是在LDMOS器件上加载电流，再采用测试设备测量LDMOS器件D极和S极两端之间的电压，再计算出导通电阻，但是此种方法，在测量时，仅是测量LDMOS器件D极和S极的一个电流回路中的电压，测量方式粗糙，计算得出的导通电阻与LDMOS器件实际工作时，D极和S极的多个电流回路中所产生的导通电阻有较大差异，并不能准确测量出整个LDMOS器件D极和S极之间的导通电阻。

技术实现思路

[0003]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种LDMOS导通电阻的测量电路，能够实现导通电阻的精确测量。
[0004]根据本申请的实施例的LDMOS导通电阻的测量电路，包括：
[0005]LDMOS器件，所述LDMOS器件设置有漏极框架、源极框架、LDMOS连接结构，所述LDMOS连接结构的一端与所述漏极框架电连接，所述LDMOS连接结构的另一端与所述源极框架电连接；所述漏极框架上设置有第一点集、第二点集，所述源极框架上设置有第三点集、第四点集，所述第一点集、所述第二点集、所述第三点集、所述第四点集均包括测试点和电流点，且所述测试点位于所述漏极框架或所述源极框架的两端，所述电流点位于所述漏极框架或所述源极框架的两端之间；
[0006]第一电流源，所述第一电流源的正极与所述第一点集的电流点电连接，所述第一电流源的负极与所述第三点集的电流点电连接，所述第一电流源、所述漏极框架、所述源极框架、所述LDMOS连接结构形成第一电流回路，所述第一电流源用于向所述第一电流回路加载第一电流，以使所述第一点集的所述测试点和所述第三点集的所述测试点之间具有第一电压；
[0007]第二电流源，所述第二电流源的正极与所述第二点集的所述电流点电连接，所述第二电流源的负极与所述第四点集的所述电流点电连接，所述第二电流源、所述漏极框架、所述源极框架、所述LDMOS连接结构形成第二电流回路，所述第二电流源用于向第二电流回路加载第二电流，以使所述第二点集的所述测试点和所述第四点集的所述测试点之间具有第二电压，并使所述第二电压和所述第一电压之间的差值满足预设范围；其中，所述第一电流、所述第二电流、所述第一电压、所述第二电压用于计算得到所述LDMOS器件对应的导通电阻。
[0008]根据本申请实施例的LDMOS导通电阻的测量电路，至少具有如下有益效果：通过在
LDMOS器件的漏极框架上设置第一点集、第二点集，在LDMOS器件的源极框架上设置第三点集、第四点集，且第一电流源、漏极框架、源极框架、LDMOS连接结构构成第一电流回路，第二电流源、漏极框架、源极框架、LDMOS连接结构构成第二电流回路，再通过第一电流源在第一电流回路中加载第一电流，通过第二电流源在第二电流回路中加载第二电流，使LDMOS器件更加符合实际工作情况，再根据测量得到的第一电压和第二电压，最后可以计算得到精确的导通电阻。因此，本申请的LDMOS导通电阻的测量电路，通过第一电流回路和第二电流回路，能够实现对LDMOS器件导通电阻的精确测量。
[0009]根据本申请的一些实施例，所述LDMOS连接结构包括晶粒、第一铜柱结构、第二铜柱结构、MOS单元结构，所述第一铜柱结构的一端与所述漏极框架电连接，所述第一铜柱结构的另一端与所述晶粒的一端电连接，所述晶粒的另一端与所述第二铜柱结构的一端电连接，所述第二铜柱结构的另一端与所述源极框架电连接，所述MOS单元结构设置在所述晶粒上并通过所述晶粒分别与述第一铜柱结构和所述第二铜柱结构电连接。
[0010]根据本申请的一些实施例，所述第一点集的所述测试点和所述第二点集的所述测试点分别设置在所述第一铜柱结构的两侧，所述第一点集的所述电流点、所述第二点集的所述电流点设置在所述第一点集的所述测试点和所述第二点集的所述测试点之间；所述第三点集的所述测试点和所述第四点集的所述测试点分别设置在所述第二铜柱结构的两侧，所述第三点集的所述电流点、所述第四点集的所述电流点设置在所述第三点集的所述测试点和所述第四点集的所述测试点之间。
[0011]根据本申请的一些实施例，所述第一点集、所述第二点集、所述第三点集、所述第四点集中的电流点和测试点均相邻设置。
[0012]根据本申请的一些实施例，所述第一铜柱结构包括若干第一铜柱，所述第二铜柱结构包括若干第二铜柱，所述第一点集的所述测试点和所述第二点集的所述测试点分别设置在若干所述第一铜柱的两侧，所述第三点集的所述测试点和所述第四点集的所述测试点分别设置在若干所述第二铜柱的两侧。
[0013]根据本申请的一些实施例，所述MOS单元结构包括第一MOS单元和第二MOS单元，所述第一MOS单元和所述第二MOS单元设置在所述晶粒上，当所述第二电压和所述第一电压之间的差值满足所述预设范围时，所述第一电流流经所述第一MOS单元，所述第二电流流经所述第二MOS单元。
[0014]根据本申请的一些实施例，所述第一电流、所述第二电流均小于或等于1安培。
[0015]根据本申请的一些实施例，所述预设范围为小于50微伏。
[0016]根据本申请的一些实施例，所述第一电压和所述第二电压通过10微伏或以上精度的测试设备进行测量。
[0017]根据本申请的一些实施例，所述第一电压和所述第二电压通过六位半高精度数字万用表测量。
[0018]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0019]下面结合附图和实施例对本申请做进一步的说明，其中：
[0020]图1为本申请一个实施例所提供的LDMOS器件的底部结构示意图；
[0021]图2为本申请一个实施例所提供的LDMOS器件的结构剖视图；
[0022]图3为本申请另一个实施例所提供的LDMOS器件的结构剖视图；
[0023]图4为本申请一个实施例所提供的LDMOS器件的等效电路原理图；
[0024]图5为本申请另一个实施例所提供的LDMOS器件的等效电路原理图；
[0025]图6为本申请一个实施例所提供的LDMOS器件的顶部结构示意图。
[0026]附图标记：
[0027]漏极框架100、源极框架200、晶粒300、第一铜柱结构400、第一铜柱410、第二铜柱结构500、第二铜柱510、第一电流源600、第二电流源700、MOS单元结构800。
具体实施方式
[0028]下面详细描述本申请的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.LDMOS导通电阻的测量电路，其特征在于，包括：LDMOS器件，所述LDMOS器件设置有漏极框架、源极框架、LDMOS连接结构，所述LDMOS连接结构的一端与所述漏极框架电连接，所述LDMOS连接结构的另一端与所述源极框架电连接；所述漏极框架上设置有第一点集、第二点集，所述源极框架上设置有第三点集、第四点集，所述第一点集、所述第二点集、所述第三点集、所述第四点集均包括测试点和电流点，且所述测试点位于所述漏极框架或所述源极框架的两端，所述电流点位于所述漏极框架或所述源极框架的两端之间；第一电流源，所述第一电流源的正极与所述第一点集的电流点电连接，所述第一电流源的负极与所述第三点集的电流点电连接，所述第一电流源、所述漏极框架、所述源极框架、所述LDMOS连接结构形成第一电流回路，所述第一电流源用于向所述第一电流回路加载第一电流，以使所述第一点集的所述测试点和所述第三点集的所述测试点之间具有第一电压；第二电流源，所述第二电流源的正极与所述第二点集的所述电流点电连接，所述第二电流源的负极与所述第四点集的所述电流点电连接，所述第二电流源、所述漏极框架、所述源极框架、所述LDMOS连接结构形成第二电流回路，所述第二电流源用于向第二电流回路加载第二电流，以使所述第二点集的所述测试点和所述第四点集的所述测试点之间具有第二电压，并使所述第二电压和所述第一电压之间的差值满足预设范围；其中，所述第一电流、所述第二电流、所述第一电压、所述第二电压用于计算得到所述LDMOS器件对应的导通电阻。2.根据权利要求1所述的LDMOS导通电阻的测量电路，其特征在于，所述LDMOS连接结构包括晶粒、第一铜柱结构、第二铜柱结构、MOS单元结构，所述第一铜柱结构的一端与所述漏极框架电连接，所述第一铜柱结构的另一端与所述晶粒的一端电连接，所述晶粒的另一端与所述第二铜柱结构的一端电连接，所述第二铜柱结构的另一端与所述源极框架电连接，所述MOS单元结构设置在所述晶粒上并通过所述晶粒分别与述第一铜柱结构和所述第二铜柱结构电连接。...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁友谦，
申请(专利权)人：东莞市长工微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：