一种提高VCC供电能力的电路制造技术

本实用新型专利技术涉及可控硅调光技术领域，特别涉及一种提高VCC供电能力的电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、二极管D1、二极管D2、稳压管Z1、稳压管Z2和三极管V1，三极管V1的基极分别与电阻R5的一端和稳压管Z1的阴极电连接，电阻R1的另一端与外设的可控硅调光器的整流桥输出母线电连接，三极管V1的发射极与二极管D2的阳极电连接，二极管D2的阴极分别与二极管D1的阴极、电容C1的一端、稳压管Z2的阴极和外设的驱动芯片的供电端电连接，使得在可控硅调光器处于小角度导通时，能够提高驱动芯片供电端的供电能力，使电路正常工作。作。作。

【技术实现步骤摘要】
一种提高VCC供电能力的电路


[0001]本技术涉及可控硅调光
，特别涉及一种提高VCC供电能力的电路。

技术介绍

[0002]传统的可控硅调光电路在可控硅调光器小角度导通时，容易出现驱动芯片的供电端(即VCC)供电不足的情况，导致驱动芯片不能正常工作，出现闪灯或直接不亮的情况。现有的一般的做法是减小供电端的上拉电阻，但这样做提高供电端的供电的能力有限，且损耗明显加大，影响到驱动芯片的整体效率。

技术实现思路

[0003]为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是：提供一种提高VCC供电能力的电路，用以提高可控硅调光电路的驱动芯片供电端的供电能力。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：
[0005]一种提高VCC供电能力的电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、二极管D1、二极管D2、稳压管Z1、稳压管Z2和三极管V1，所述三极管V1的基极分别与电阻R5的一端和稳压管Z1的阴极电连接，所述三极管V1的集电极分别与电阻R2的一端、电阻R3的一端和电阻R5的一端电连接，所述电阻R2的另一端与电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与外设的可控硅调光器的整流桥输出母线电连接，所述三极管V1的发射极与二极管D2的阳极电连接，所述二极管D2的阴极分别与二极管D1的阴极、电容C1的一端、稳压管Z2的阴极和外设的驱动芯片的供电端电连接，所述二极管D1的阳极与电阻R4的一端电连接，所述电阻R4的另一端与电阻R3的另一端电连接，所述稳压管Z1的阳极分别与电容C1的另一端和稳压管Z2的阳极电连接且稳压管Z1的阳极、电容C1的另一端和稳压管Z2的阳极均接地。
[0006]进一步的，所述三极管V1为高压三极管。
[0007]进一步的，所述稳压管Z1的稳压值小于稳压管Z2的稳压值。
[0008]进一步的，所述二极管D1和二极管D2均为超快恢复二极管。
[0009]进一步的，所述电阻R1和电阻R2均为K级阻抗电阻，所述电阻R3、电阻R4和电阻R5均为M级阻抗电阻。
[0010]本技术的有益效果在于：
[0011]本技术通过电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、二极管D1、二极管D2、稳压管Z1、稳压管Z2和三极管V1之间的配合，使得在可控硅调光器处于小角度导通时，能够提高可控硅调光电路的驱动芯片供电端(即VCC)的供电能力，使电路正常工作。
附图说明
[0012]图1所示为根据本技术的一种提高VCC供电能力的电路的电路原理图。
具体实施方式
[0013]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0014]请参照图1所示，本技术提供的技术方案：
[0015]一种提高VCC供电能力的电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、二极管D1、二极管D2、稳压管Z1、稳压管Z2和三极管V1，所述三极管V1的基极分别与电阻R5的一端和稳压管Z1的阴极电连接，所述三极管V1的集电极分别与电阻R2的一端、电阻R3的一端和电阻R5的一端电连接，所述电阻R2的另一端与电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与外设的可控硅调光器的整流桥输出母线电连接，所述三极管V1的发射极与二极管D2的阳极电连接，所述二极管D2的阴极分别与二极管D1的阴极、电容C1的一端、稳压管Z2的阴极和外设的驱动芯片的供电端电连接，所述二极管D1的阳极与电阻R4的一端电连接，所述电阻R4的另一端与电阻R3的另一端电连接，所述稳压管Z1的阳极分别与电容C1的另一端和稳压管Z2的阳极电连接且稳压管Z1的阳极、电容C1的另一端和稳压管Z2的阳极均接地。
[0016]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：
[0017]本技术通过电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、二极管D1、二极管D2、稳压管Z1、稳压管Z2和三极管V1之间的配合，使得在可控硅调光器处于小角度导通时，能够提高可控硅调光电路的驱动芯片供电端(即VCC)的供电能力，使电路正常工作。
[0018]进一步的，所述三极管V1为高压三极管。
[0019]从上述描述可知，高压三极管是一种能承受高压控制电流的半导体器件，可以把微弱信号放大成幅度值较大的电信号。
[0020]进一步的，所述稳压管Z1的稳压值小于稳压管Z2的稳压值。
[0021]从上述描述可知，在可控硅调光器处于大角度导通时，VBUS脚电压可以通过电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和二极管D1给驱动芯片的供电端(即VCC管脚)供电，使驱动芯片正常工作。
[0022]进一步的，所述二极管D1和二极管D2均为超快恢复二极管。
[0023]从上述描述可知，超快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管，常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、钳位、隔离、输出和输入整流器，可以使开关器件的功能得到充分发挥。
[0024]进一步的，所述电阻R1和电阻R2均为K级阻抗电阻，所述电阻R3、电阻R4和电阻R5均为M级阻抗电阻。
[0025]请参照图1所示，本技术的实施例一为：
[0026]一种提高VCC供电能力的电路，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、二极管D1、二极管D2、稳压管Z1、稳压管Z2和三极管V1，所述三极管V1的基极分别与电阻R5的一端和稳压管Z1的阴极电连接，所述三极管V1的集电极分别与电阻R2的一端、电阻R3的一端和电阻R5的一端电连接，所述电阻R2的另一端与电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与外设的可控硅调光器的整流桥输出母线电连接，所述三极管V1的发射极与二极管D2的阳极电连接，所述二极管D2的阴极分别与二极管D1的阴极、电容C1的一端、稳压管Z2的阴极和外设的驱动芯片的供电端电连接，所述二极管D1的阳极与电阻R4的一端电连接，
所述电阻R4的另一端与电阻R3的另一端电连接，所述稳压管Z1的阳极分别与电容C1的另一端和稳压管Z2的阳极电连接且稳压管Z1的阳极、电容C1的另一端和稳压管Z2的阳极均接地。
[0027]所述三极管V1为高压三极管。
[0028]所述电容C1为瓷片电容。
[0029]所述稳压管Z1的稳压值小于稳压管Z2的稳压值。
[0030]所述二极管D1和二极管D2均为超快恢复二极管。
[0031]所述电阻R1和电阻R2均为K级阻抗电阻，所述电阻R3、电阻R4和电阻R5均为M级阻抗电阻。
[0032]上述的提高VCC供电能力的电路的工作原理为：
[0033]当可控硅调光器处于大角度导通时，刚开始，VBUS脚电压一路通过电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和二极管D1给电容C1充电，另一路通过电阻R1、电阻R2和三极管V1给电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高VCC供电能力的电路，其特征在于，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、二极管D1、二极管D2、稳压管Z1、稳压管Z2和三极管V1，所述三极管V1的基极分别与电阻R5的一端和稳压管Z1的阴极电连接，所述三极管V1的集电极分别与电阻R2的一端、电阻R3的一端和电阻R5的一端电连接，所述电阻R2的另一端与电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与外设的可控硅调光器的整流桥输出母线电连接，所述三极管V1的发射极与二极管D2的阳极电连接，所述二极管D2的阴极分别与二极管D1的阴极、电容C1的一端、稳压管Z2的阴极和外设的驱动芯片的供电端电连接，所述二极管D1的阳极与电阻R4的一端电连接，所述电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢靖，沈艺灵，陈火生，
申请(专利权)人：厦门通士达照明有限公司，
类型：新型
国别省市：