可控硅驱动电路、可控硅驱动应用电路及电气/电器设备制造技术

本发明专利技术公开一种可控硅驱动电路、可控硅驱动应用电路及电气/电器设备，该可控硅驱动电路包括：控制信号接收端，用于接入控制信号；当控制信号接收端接收到无效电平时，开关触发电路截止，以断开可控硅的门极回路，使可控硅处于截止状态；当控制信号接收端接收到有效电平时，开关触发电路导通，并向可控硅的门极提供触发电流，以在可控硅的阳极与阴极之间接入正向电压时，触发可控硅导通；当可控硅的阳极与阴极之间接入反向电压时，单向导通元件截止，以断开开关触发电路所在回路，使开关触发电路截止。本发明专利技术提高了可控硅驱动可靠性，同时还提高了可控硅的保护时效性。提高了可控硅的保护时效性。提高了可控硅的保护时效性。

【技术实现步骤摘要】
可控硅驱动电路、可控硅驱动应用电路及电气/电器设备


[0001]本专利技术涉及可控硅驱动
，特别涉及一种可控硅驱动电路、可控硅驱动应用电路及电气/电器设备。

技术介绍

[0002]可控硅作为一种开关器件，广泛应用在工业调速传动领域和家电消费领域。可控硅通常需要设置可控硅驱动电路，以驱动可控硅工作。然而，公知的可控硅驱动电路的可靠性较低，容易损坏可控硅，严重时甚至容易出现外围的功率电路失控而引起安全事故。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种可控硅驱动电路、可控硅驱动应用电路及电气/电器设备，旨在提高可控硅驱动可靠性，以及提高可控硅的保护时效性。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出一种可控硅驱动电路，用于驱动连接在应用回路中的可控硅，所述可控硅驱动电路包括：控制信号接收端、开关触发电路及单向导通元件；
[0005]所述控制信号接收端连接至所述开关触发电路的受控端，所述开关触发电路的输入端与所述单向导通元件的输出端连接，所述开关触发电路的驱动信号输出端连接至所述可控硅的门极，所述单向导通元件的输入端连接至所述可控硅的阳极；其中：
[0006]当所述控制信号接收端接收到无效电平时，所述开关触发电路截止，以断开所述可控硅的门极回路，使所述可控硅处于截止状态；
[0007]当所述控制信号接收端接收到有效电平时，所述开关触发电路导通，并向所述可控硅的门极提供触发电流，以在所述可控硅的阳极与阴极之间接入正向电压时，触发所述可控硅导通；
[0008]当所述可控硅的阳极与阴极之间接入反向电压时，所述单向导通元件截止，以断开所述开关触发电路所在回路，使所述开关触发电路截止。
[0009]可选地，还包括下拉电阻，所述下拉电阻的第一端连接至所述控制信号接收端与所述开关触发电路的共接点，所述下拉电阻的第二端接地。
[0010]可选地，所述可控硅驱动电路还包括：
[0011]信号隔离电路，串联设置于所述控制信号接收端与所述开关触发电路之间，所述信号隔离电路用于对接入的所述控制信号进行隔离后输出。
[0012]可选地，所述信号隔离电路包括第一电阻、第二电阻及光耦，所述第一电阻的第一端为所述控制信号接收端，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻和光耦的一次侧阳极连接；所述第二电阻的第二端和所述光耦的一次侧阴极均接地；所述光耦的二次侧集电极用于接入供电电源，所述光耦的二次侧发射极与所述开关触发电路的受控端连接。
[0013]可选地，所述开关触发电路包括驱动电阻及触发开关，所述驱动电阻的第一端为所述开关触发电路的受控端，所述驱动电阻的第二端与所述触发开关的受控端连接；所述触发开关的输入端为所述开关触发电路的电源输入端，所述触发开关的输出端为所述开关
触发电路的驱动输出端。
[0014]可选地，所述触发开关为晶闸管或者MOS管；
[0015]当所述触发开关为晶闸管时，所述晶闸管的门极为所述触发开关的受控端，所述晶闸管的阳极为所述触发开关的输入端，所述晶闸管的阴极为所述触发开关的输出端；
[0016]当所述触发开关为MOS管时，所述MOS管的栅极为所述触发开关的受控端，所述MOS管的源极为所述触发开关的输入端，所述MOS管的漏极为所述触发开关的输出端。
[0017]可选地，所述开关触发电路还包括：
[0018]第一防误触发电路，所述第一防误触发电路并联设置于所述触发开关的受控端与输出端之间。
[0019]可选地，所述开关触发电路还包括：
[0020]第二防误触发电路，所述第二防误触发电路并联设置于所述可控硅的门极与阴极端之间。
[0021]本专利技术还提出一种可控硅驱动应用电路，所述可控硅驱动应用电路包括可控硅及如上所述的可控硅驱动电路，所述可控硅驱动电路用于驱动所述可控硅。
[0022]可选地，所述可控硅的数量为多个，多个所述可控硅组成三相上桥整流电路和/或三相下桥整流电路；
[0023]所述可控硅驱动电路的数量为多个，每一所述可控硅驱动电路与一所述可控硅连接。
[0024]可选地，当多个所述可控硅组成所述三相上桥时，所述可控硅应用电路还包括第一供电电源，所述第一供电电源的正极连接至用于驱动所述三相上桥中可控硅的三个可控硅驱动电路的供电端，所述第一供电电源的负极连接至所述三相上桥中三个所述可控硅的阴极；和/或，
[0025]当多个所述可控硅组成所述三相下桥时，所述可控硅应用电路还包括三个第二供电电源，三个第二供电电源分别用于为三相下桥中可控硅所对应的三个可控硅驱动电路供电，所述第二供电电源的正极连接至与其对应的所述可控硅驱动电路的供电端，所述第二供电电源的负极连接至与其对应的所述可控硅驱动电路的驱动信号输出端及与其对应的所述可控硅的门极。
[0026]可选地，所述可控硅驱动应用电路具有软启动工作模式及正常工作模式；
[0027]在多个所述可控硅组成三相上桥，且所述可控硅驱动应用电路工作于所述软启动工作模式时，每一所述可控硅驱动电路根据接收到的控制信号，以每第一预设时间增加第一预设导通角度驱动对应的所述可控硅导通。
[0028]可选地，所述可控硅驱动应用电路具有软启动工作模式及正常工作模式；
[0029]在多个所述可控硅组成三相上桥和三相下桥，且所述可控硅驱动应用电路工作于所述软启动工作模式时，同一桥臂的两个所述可控硅驱动电路根据接收到的控制信号，以每第一预设时间增加第一预设导通角度驱动对应上桥的所述可控硅和下桥的所述可控硅导通；
[0030]或者，同一桥臂的一所述可控硅驱动电路根据接收到的控制信号，以每第一预设时间增加第一预设导通角度驱动对应上桥的所述可控硅导通；以及，另一所述可控硅驱动电路根据接收到的控制信号，驱动对应下桥的所述可控硅持续导通。
[0031]本专利技术还提出一种电气/电器设备，包括如上所述的可控硅驱动电路；和/或，如上所述的可控硅驱动应用电路。
[0032]本专利技术通过设置控制信号接收端及开关触发电路，控制信号接收端接入控制信号并输出至开关触发电路的受控端，以使开关触发电路用于根据接收到的所述控制信号驱动所述可控硅；本专利技术还设置有单向导通元件，该单向导通元件串联于可控硅阳极与开关触发电路的输入端之间，用以在所述可控硅的阳极与阴极之间接入反向电压时截止，以控制开关触发电路停止工作，如此，解决由于可控硅阳极A
‑
阴极K承受反压，可控硅驱动电路依旧收到控制信号，导致可控硅漏电流大，损耗大，温升高，寿命降低的问题，有利于提高可控硅的可靠关断。可以理解的是，本专利技术无需设置反压检测电路来检测可控硅阳极A
‑
阴极K是否出现反压，同时也无需反馈给外部控制器，可以减少待外部控制器的软件算法、分析、比较等，再控制开关触发电路停止工作的时间，通过硬件触发开关触发电路断开，即可实现对可控硅的可靠保护，同时有利于提高可控硅的保护时效性。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可控硅驱动电路，用于驱动连接在应用回路中的可控硅，其特征在于，所述可控硅驱动电路包括：控制信号接收端、开关触发电路及单向导通元件；所述控制信号接收端连接至所述开关触发电路的受控端，所述开关触发电路的输入端与所述单向导通元件的输出端连接，所述开关触发电路的驱动信号输出端连接至所述可控硅的门极，所述单向导通元件的输入端连接至所述可控硅的阳极；其中：当所述控制信号接收端接收到无效电平时，所述开关触发电路截止，以断开所述可控硅的门极回路，使所述可控硅处于截止状态；当所述控制信号接收端接收到有效电平时，所述开关触发电路导通，并向所述可控硅的门极提供触发电流，以在所述可控硅的阳极与阴极之间接入正向电压时，触发所述可控硅导通；当所述可控硅的阳极与阴极之间接入反向电压时，所述单向导通元件截止，以断开所述开关触发电路所在回路，使所述开关触发电路截止。2.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，还包括下拉电阻，所述下拉电阻的第一端连接至所述控制信号接收端与所述开关触发电路的共接点，所述下拉电阻的第二端接地。3.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路还包括信号隔离电路，串联设置于所述控制信号接收端与所述开关触发电路之间，所述信号隔离电路用于对接入的所述控制信号进行隔离后输出。4.如权利要求3所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述信号隔离电路包括第一电阻、第二电阻及光耦，所述第一电阻的第一端为所述控制信号接收端，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻和光耦的一次侧阳极连接；所述第二电阻的第二端和所述光耦的一次侧阴极均接地；所述光耦的二次侧集电极用于接入供电电源，所述光耦的二次侧发射极与所述开关触发电路的受控端连接。5.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述开关触发电路包括驱动电阻及触发开关，所述驱动电阻的第一端为所述开关触发电路的受控端，所述驱动电阻的第二端与所述触发开关的受控端连接；所述触发开关的输入端为所述开关触发电路的输入端，所述触发开关的输出端为所述开关触发电路的驱动输出端。6.如权利要求5所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述触发开关为晶闸管或者MOS管；当所述触发开关为晶闸管时，所述晶闸管的门极为所述触发开关的受控端，所述晶闸管的阳极为所述触发开关的输入端，所述晶闸管的阴极为所述触发开关的输出端；当所述触发开关为MOS管时，所述MOS管的栅极为所述触发开关的受控端，所述MOS管的源极为所述触发开关的输入端，所述MOS管的漏极为所述触发开关的输出端。7.如权利要求5所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述开关触发电路还包括：第一防误触发电路，所述第一防误触发电路并联设置于所述触发开关的受控端与输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈健，吴桢生，曾金芳，赵怀阳，
申请(专利权)人：苏州汇川控制技术有限公司，
类型：发明
国别省市：