【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子元器件，特别涉及一种功率管、功率电路和功率模块。
技术介绍
1、为降低产品整机开发成本，常使用mos(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet，缩写为mos，金属－氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管)单管组装成整流模块与逆变模块，以替代市场上的功率模块。
2、现有的此种功率模块一般包括：mos单管、铝基板、功率pin和控制pin，功率pin和控制pin与驱动板连接，构成完整电路。mos单管通过回流焊焊接在铝基板上，再使用铜柱与独立pin针，分别连接铝基板和驱动板，其中，铜柱作为功率pin，独立pin针作为控制pin。
3、此种功率模块存在着装配繁琐的问题。
技术实现思路
1、本技术的主要目的是提供一种功率管，旨在提高功率模块在装配时的简便性。
2、为实现上述目的，本技术提出的功率管，包括：
3、芯片；
4、第一引脚，设于所述芯片的一侧
5、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种功率管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的功率管，其特征在于，所述功率管还包括塑封体，所述塑封体设于所述芯片的外部，所述第一引脚、所述第二引脚以及所述第三引脚均穿设于所述塑封体。
3.如权利要求2所述的功率管，其特征在于，所述第一引脚和所述第二引脚朝第一方向弯折，所述第一方向与所述塑封体的底面垂直，所述第三引脚朝向第二方向，所述第二方向与所述第一方向垂直且朝向远离所述塑封体的方向。
4.如权利要求3所述的功率管，其特征在于，所述第三引脚为贴片式引脚。
5.如权利要求2所述的功率管，其特征在于，所述第一引脚...
【技术特征摘要】
1.一种功率管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的功率管，其特征在于，所述功率管还包括塑封体，所述塑封体设于所述芯片的外部，所述第一引脚、所述第二引脚以及所述第三引脚均穿设于所述塑封体。
3.如权利要求2所述的功率管，其特征在于，所述第一引脚和所述第二引脚朝第一方向弯折，所述第一方向与所述塑封体的底面垂直，所述第三引脚朝向第二方向，所述第二方向与所述第一方向垂直且朝向远离所述塑封体的方向。
4.如权利要求3所述的功率管，其特征在于，所述第三引脚为贴片式引脚。
5.如权利要求2所述的功率管，其特征在于，所述第一引脚、所述第二引脚以及所述第三引脚均朝第一方向弯折，所述第一方向与所述塑封体的底面垂...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵国源，邬金星，邓新贵，
申请(专利权)人：苏州汇川控制技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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