一种光催化辅助电解铣磨加工金属基碳化硅方法技术

本发明专利技术公开了一种光催化辅助电解铣磨加工金属基碳化硅方法；包括如下步骤：制备由NaNO3、H2O2与TiO2磨粒混合的悬浊液组成的磨料电解液；抽取磨料电解液外冲到阴极磨具周围，同时使用紫外光照射磨料电解液；电源输出电压，阴极接磨具、阳极接金属基碳化硅工件；通过控制进给速度和工件切深，获得加工后的表面。本发明专利技术的方法能够同步去除金属基体和SiC颗粒，以获得局部加工区域的较高表面质量，在航空航天、光学精密仪器和电子封装等领域有较好的应用潜力。的应用潜力。的应用潜力。

【技术实现步骤摘要】
一种光催化辅助电解铣磨加工金属基碳化硅方法


[0001]本专利技术属于材料加工
，涉及金属基碳化硅加工方法，尤其涉及一种光催化辅助电解铣磨加工金属基碳化硅方法。

技术介绍

[0002]金属基碳化硅复合材料，如碳化硅颗粒增强铝基复合材料(SiCp/Al)由于其优异的机械和物理性能，广泛应用于航空航天、汽车工业及电子工业等领域。但是SiCp/Al复合材料中SiC陶瓷颗粒硬度高、脆性大、强度高等特点，采用传统的机械加工方法对其进行加工时，易产生切屑崩碎、工件崩边损伤、刀具磨损等现象。电火花加工和激光加工等热蚀除工艺中，工件易形成再铸层、微裂纹、热影响区等影响材料性能。
[0003]电解铣磨是利用电化学和机械磨削作用相结合去除材料的一种加工方法。通过电解反应可在工件表面形成一层柔软的钝化层，通过颗粒的切割作用去除，暴露出新的金属表面以进行持续的电解反应。电解铣磨的切削力比纯机械磨削小，机床主轴受力小，刀具的磨耗显著降低。Goswami等人研究发现，与加工Al2O3/Al复合材料的传统磨削相比，ECG磨削力降低了约75<br/>–
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光催化辅助电解铣磨加工金属基碳化硅方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1、制备磨料电解液：由NaNO3、H2O2与TiO2磨粒混合的悬浊液组成；S2、紫外光磨粒射流：抽取磨料电解液外冲到阴极磨具周围，形成磨粒射流，同时使用紫外光照射磨料射流；S3、加电压：电源输出电压，阴极接磨具、阳极接金属基碳化硅工件；S4、进给铣磨：通过控制进给速度和工件切深，获得加工后的表面。2.根据权利要求1所述的光催化辅助电解铣磨加工金属基碳化硅方法，其特征在于，所述磨料电解液中NaNO3的质量分数为10～15％，H2O2的体积分数为1～5％。3.根据权利要求2所述的光催化辅助电解铣磨加工金属基碳化硅方法，其特征在于，所述磨料电解液中的TiO2磨粒的含量为1～10g/L。4.根据权利要求1所述的光催化辅助电解铣磨加工金属基碳化硅方法，其特征在于，金属基碳化硅工件中SiC体积分数为15...

【专利技术属性】
技术研发人员：康小明，王锋，周靓，张亚欧，赵万生，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：