双方向双频点太赫兹调控器制造技术

本发明专利技术公开了一种双方向双频点太赫兹调控器，其包括太赫兹波入射端、反射太赫兹波输出端、透射太赫兹波输出端和阵列太赫兹超表面结构，其中阵列太赫兹超表面结构由24

【技术实现步骤摘要】
双方向双频点太赫兹调控器


[0001]本专利技术涉及太赫兹波
，尤其涉及一种双方向双频点太赫兹调控器。

技术介绍

[0002]太赫兹波独特的频率范围（位于微波频段和光频段之间）覆盖了多数大分子物质的分子振动和转动光谱，因此多数大分子物质在太赫兹频段无论其吸收谱、反射谱还是传输谱都具有明显的指纹谱特性。受到太赫兹源和探测器的限制，这一频段的电磁波并未得到完全开发和利用。近年来，太赫兹波辐射源与检测手段有了突破，太赫兹技术在通信、天文学、医学成像、无损检测、安全检查等领域具有广阔应用前景，为了满足太赫兹系统应用需要，太赫兹波器件逐渐成为世界研究热点。在实际应用中，如何实现对太赫兹波有效调控，一直是太赫兹波系统应用中一个难题。国内外相关器件研究也提出过各种结构来实现对太赫兹波调控，但是已报道的器件结构复杂，实际制作过程困难，成本高，对加工工艺和加工环境要求也高。迫切需要提出结构简单、尺寸小、便于加工制作的太赫兹波控制器来支撑太赫兹波应用领域的发展。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于解决现有技术中存在的问题，提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双方向双频点太赫兹调控器，其包括太赫兹波入射端(1)、反射太赫兹波输出端(2)、透射太赫兹波输出端(3)和阵列太赫兹超表面结构(4)，其中阵列太赫兹超表面结构由24
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24个单元结构(5)排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上；单元结构(5)从下往上依次包括单开口金属外环(6)和中间缺口内环(7)组成的顶层超表面结构(8)、中间聚酰亚胺介质层(9)、二氧化钒薄膜层(10)，底层超表面结构(11)组成。通过调节二氧化钒薄膜的相变状态，从而改变太赫兹波透射和反射传输，实现对太赫兹波双方向传输调控。2.根据权利要求1所述的一种双方向双频点太赫兹调控器，其特征在于所述的顶层超表面结构(8)由单开口金属外环(6)和中间缺口内环(7)组成。3.根据权利要求1所述的一种双方向双频点太赫兹调控器，其特征在于所述的顶层超表面结构(8)和底层超表面结构(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李九生，张磊，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：