一种二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器及其制备方法与应用技术

本发明专利技术属于光电探测器的技术领域，公开了一种二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器及其制备方法与应用。所述光电探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、InGaN层和MoSe2层，MoSe2层部分覆盖InGaN层；光电探测器还包括阻隔层和电极层；阻隔层设置在未被MoSe2层覆盖的InGaN层及部分MoSe2层上，电极层设置在阻隔层上并覆盖部分MoSe2层上裸露部分。本发明专利技术还公开了探测器的制备方法。本发明专利技术的探测器实现红光与蓝光同时探测；在探测芯片表面进行增敏微纳结构设计，提升了蓝光与红光波段的量子效率，增强蓝光与红光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。本发明专利技术的探测器用于蓝光和/或红光多频谱光电探测。多频谱光电探测。多频谱光电探测。

【技术实现步骤摘要】
一种二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及可见光探测器领域，具体涉及一种二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]III族氮化物半导体材料拥有优良的光学、电学、热学、化学、机械性能，因此，III族氮化物光电器件和功率器件得到了科研人员的广泛关注和重点研究。
[0003]作为第三代半导体材料研究热点之一的InGaN材料拥有良好的物理化学性质。它的电子迁移率高、热稳定性好、化学稳定性好。可以通过调整合金中In的组分，实现禁带宽度从3.4eV到0.7eV的连续调节，从而使得InGaN探测器能够实现覆盖整个可见光波段的连续探测，相比光电倍增管，InGaN探测器具有体积小、易携带、易集成、击穿电场高(＞1MV/cm)、工作电压低、节能环保、无需滤光系统等优势。
[0004]虽然InGaN基探测器材料生长研究取得了一定进展，但是到目前为止还没有实现商品转化。制约InGaN探测器发展和应用的根本问题是材料质量问题。一方面，由于InGaN和Si衬底之间存在着较大的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器，其特征在于：包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、InGaN层和MoSe2层，MoSe2层部分覆盖InGaN层；所述光电探测器还包括阻隔层和电极层；所述阻隔层设置在未被MoSe2层覆盖的InGaN层以及部分MoSe2层上，所述电极层设置在阻隔层上并覆盖部分MoSe2层上裸露部分。2.根据权利要求1所述二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器，其特征在于：所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，AlN层设置在衬底上；InGaN层设置在GaN层上；所述InGaN层的厚度为100～200nm，MoSe2层的厚度为1～2nm。3.根据权利要求2所述二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器，其特征在于：所述AlN层、AlGaN层和GaN层的厚度分别为350～450nm、650～700nm、4～5μm。4.根据权利要求1所述二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器，其特征在于：衬底为Si衬底；所述阻隔层为Al2O3阻隔层。5.根据权利要求1所述二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器，其特征在于：所述MoSe2层部分覆盖InGaN层是指MoSe2层在InGaN层上形成台阶状的水平台面；所述MoSe2层两端在InGaN层上都形成台阶状的水平台面；所述电极层的形状为叉指电极；所述电极层为金属电极层，具体为Ti/Au金属层，Ti/Au金属层为从下到上排布的Ti金属层和Au金属层，Ti层靠近阻隔层。6.根据权利要求5所述二硒化钼/InGaN多光谱光电探测器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，孔德麒，王文樑，陈亮，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：