纳米晶的制备方法、纳米晶及含其的光学膜、发光器件技术

本申请提供了一种纳米晶、制备方法及组合物、光学膜、发光器件。该纳米晶包括初始纳米晶和包覆于初始纳米晶外的牺牲壳层，牺牲壳层包括以初始纳米晶为中心向外依次包覆的n个牺牲子层，n个牺牲子层的材料相同或不同；如果对所述纳米晶进行刻蚀，至少部分牺牲壳层在刻蚀过程中被逐渐消耗，在刻蚀过程中测定m次的荧光发射波长、半峰宽、量子产率和在一定波长激发光激发下的吸光度，则0≦MAX

【技术实现步骤摘要】
纳米晶的制备方法、纳米晶及含其的光学膜、发光器件


[0001]本申请涉及光电
，具体而言，涉及一种纳米晶的制备方法、纳米晶及含其的光学膜、发光器件。

技术介绍

[0002]近年来，液晶背光源技术发展迅速，不断有新技术、新产品推出，其具有高色域、高亮度、长寿命、节能环保等诸多优点。高色域背光源能使电视、手机、平板电脑等电子产品屏幕具有更加鲜艳的颜色，色彩还原度更高。目前常用的LED背光源采用蓝光芯片激发YAG黄光荧光粉的形式，因背光源中缺少红光成分，色域值只能达到NTSC65％～72％。为了进一步提高色域值，技术人员普遍采用了蓝光芯片同时激发红光荧光粉、绿光荧光粉的方式。但由于现用荧光粉的半峰宽较宽，故即使采用这种方式，也只能将背光源的色域值提升至NTSC85％左右。量子点(Quantum dots，QD)作为一种新型的纳米荧光材料，展现出了其尺寸与光学性能强相关的特性。与传统荧光材料相比，量子点具有光谱可调、发射峰半峰宽窄、斯托克斯位移大、激发效率高等一系列独特的光学性能，从而可以轻松实现高色域(≥NTSC 98％)的封装效果，受到了LE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米晶，其特征在于，包括初始纳米晶和包覆于所述初始纳米晶外的牺牲壳层，所述牺牲壳层包括以所述初始纳米晶为中心向外依次包覆的n个牺牲子层，所述n个牺牲子层的材料相同或不同；如果对所述纳米晶进行刻蚀，至少部分所述牺牲壳层在刻蚀过程中被逐渐消耗，在所述刻蚀过程中测定m次的荧光发射波长、半峰宽、量子产率和在一定波长激发光激发下的吸光度，设所述m次的测定结果中最大的荧光发射峰值波长和最小的荧光发射峰值波长分别为MAX
PL
和MIN
PL
，最大的半峰宽和最小的半峰宽分别为MAX
FWHM
和MIN
FWHM
，最大的量子产率和最小的量子产率分别为MAX
QY
和MIN
QY
，最大的吸光度和最小的吸光度分别为MAX
AB
和MIN
AB
，则0≦MAX
PL
‑
MIN
PL
≦10nm，0≦MAX
FWHM
‑
MIN
FWHM
≦10nm，80％≦MIN
QY
/MAX
QY
≦100％，80％≦MIN
AB
/MAX
AB
≦100％，其中，n、m各自为大于等于1的整数。2.根据权利要求1所述的纳米晶，其特征在于，0≦MAX
PL
‑
MIN
PL
≦5nm，0≦MAX
FWHM
‑
MIN
FWHM
≦5nm。3.根据权利要求1所述的纳米晶，其特征在于，所述m为大于等于2的整数，在所述刻蚀过程中相邻两次测定的荧光发射峰值波长的差值为[
‑
2nm，2nm]，相邻两次测定的半峰宽的差值为[
‑
2nm，2nm]，相邻两次测定的量子产率的变化百分比为[
‑
10％，10％]，相邻两次测定的吸光度的变化百分比为[
‑
10％，10％]。4.根据权利要求1所述的纳米晶，其特征在于，所述牺牲壳层的材料选自ZnN、ZnS、AlSb、ZnP、InP、AlS、PbS、HgS、AgS、ZnInS、ZnAlS、ZnSeS、CdSeS、CuInS、CuGaS、CuAlS、AgInS、AgAlS、AgGaS、ZnInP、ZnGaP、CdZnS、CdPbS、CdHgS、PbHgS、CdZnPbS、CdZnHgS、CdInZnS、CdAlZnS、CdSeZnS、AgInZnS、CuInZnS、AgGaZnS、CuGaZnS、CuZnSnS、CuAlZnS、CuCdZnS、MnS、ZnMnS、ZnPbS、WS、ZnWS、CoS、ZnCoS、NiS、ZnNiS、InS、SnS、ZnSnS中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的纳米晶，其特征在于，所述牺牲壳层的厚度为5～15nm。6.一种纳米晶的制备方法，其特征在于，S1，准备初始纳米晶；S2，通过在所述初始纳米晶外一次或分步包覆牺牲壳层，形成的所述牺牲壳层包括以所述初始纳米晶为中心向外依次包覆的n个牺牲子层，分别为第1牺牲子层、第2牺牲子层、
……
、第n牺牲子层，n为大于等于1的整数；设所述初始纳米晶外包覆有所述第1牺牲子层至第i牺牲子层的中间纳米晶为第i纳米晶，所述第i纳米晶的荧光发射波长为PL
i
、半峰宽为FWHM
i
、量子产率为QY
i
、一定波长激发光激发下的吸光度为ABS
i
，i取[1，n]的所有整数时，所述PL
i
中最大的荧光发射峰值波长和最小的荧光发射峰值波长分别记为MAX
PL
和MIN
PL
，所述FWHM
i
中最大的半峰宽和最小的半峰宽分别记为MAX
FWHM
和MIN
FWHM
，所述QY
i
中最大的量子产率和最小的量子产率分别记为MAX
QY
和MIN
QY
，所述ABS
i
中最大的吸光度和最小的吸光度分别记为MAX
AB
和MIN
AB
，则0≦MAX
PL
‑
MIN
PL
≦10nm，0≦MAX
FWHM
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡保忠，高远，李光旭，赵滔，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：