本发明专利技术公开一种晶圆横向撞击测试装置及晶圆强度测试方法。晶圆横向撞击测试装置包括一承载座以及一撞击器。晶圆强度测试方法包括一第一准备步骤以及一第一撞击步骤。第一准备步骤将一待测晶圆平躺地设置于承载座上，并使待测晶圆的一预击边缘区对应于承载座的一撞击口。第一撞击步骤以撞击器沿着垂直待测晶圆法向量的一预定平面穿过撞击口、并撞击在待测晶圆的预击边缘区，以使待测晶圆沿一晶向而碎裂成两个半晶圆。每个半晶圆包含有平行晶向的一碎裂边缘。本发明专利技术的其中一有益效果在于，晶圆横向撞击测试装置及晶圆强度测试方法能以撞击器沿着待测晶圆所处的预定平面而撞击在预击边缘区，据以测试待测晶圆沿晶向而碎裂所需的测试强度。需的测试强度。需的测试强度。
【技术实现步骤摘要】
晶圆横向撞击测试装置及晶圆强度测试方法
[0001]本专利技术涉及一种晶圆测试装置及一种晶圆测试方法，尤其涉及一种晶圆横向撞击测试装置及晶圆强度测试方法。
技术介绍
[0002]如图1所示，公知的晶圆强度测试装置及晶圆强度测试方法在测试单片晶圆的机械强度时，往往是以垂直晶圆表面的方向进行抗折测试(请参酌中国专利公开号CN105181462A以及图1)，但此种测试已逐渐无法满足现今的晶圆强度测试需求。故，如何通过晶圆撞击测试装置的结构设计的改良或是晶圆强度测试方法的设计或改良，来克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。
技术实现思路
[0003]本专利技术实施例的目的在于提供一种晶圆横向撞击测试装置及一种晶圆强度测试方法，其用以改善现有技术的不足。
[0004]本专利技术的其中一个实施例公开一种晶圆横向撞击测试装置，其包括：一承载座，具有位在一预定平面上的一撞击口；其中，所述承载座用以供一待测晶圆平躺设置而落在所述预定平面上，并且所述待测晶圆定义有穿过其中心的一晶向；以及一撞击器，其对应于所述撞击口设置，并且所述撞击器能沿着所述预定平面运作；其中，所述撞击器的撞击方向与所述晶向呈平行；其中，当所述待测晶圆平躺地设置于所述承载座时，所述撞击器能沿所述预定平面穿过所述撞击口、并沿所述晶向撞击在所述待测晶圆的一预击边缘区，以使所述待测晶圆沿所述晶向而碎裂成两个半晶圆；其中，所述预击边缘区为位于所述撞击口的所述待测晶圆的边缘部分。
[0005]优选地，所述晶圆横向撞击测试装置进一步包括有可活动地安装于所述承载座的一支撑架，并且所述支撑架能用来顶抵与定位任一个所述半晶圆的一碎裂边缘。
[0006]优选地，所述晶圆横向撞击测试装置进一步包括有安装于所述承载座的一晶向传感器，并且所述晶向传感器与所述撞击口分别位于所述承载座的相反两侧；其中，当所述待测晶圆平躺地设置于所述承载座时，所述晶向传感器能沿所述预定平面测得所述待测晶圆的所述晶向。
[0007]优选地，所述撞击器包含有面向所述撞击口的一撞击头，并且所述撞击头的外表面呈球面状，以使所述撞击头能用来保持以点接触的方式撞击在所述预击边缘区。
[0008]优选地，所述撞击头的半径大于所述待测晶圆的厚度。
[0009]优选地，所述承载座包含有形成有所述撞击口的一晶圆载台及连接所述晶圆载台的一撞击器载台，并且所述撞击器固定于所述撞击器载台，而所述撞击头呈悬空状。
[0010]优选地，所述晶圆横向撞击测试装置进一步包括有连接于所述撞击器的一力道控制器，并且所述力道控制器能用来控制所述撞击器运作时所释放的力量。
[0011]本专利技术的其中一个实施例公开一种晶圆强度测试方法，其包括：一第一准备步骤：
将一待测晶圆平躺地设置于一承载座上，并使所述待测晶圆的一预击边缘区对应于所述承载座的一撞击口；其中，所述待测晶圆包含一第一晶向及与所述第一晶向相夹形成非平行的一第二晶向；以及一第一撞击步骤：以一撞击器沿着垂直所述待测晶圆法向量的一预定平面穿过所述撞击口、并沿所述第一晶向撞击在所述待测晶圆的所述预击边缘区，以使所述待测晶圆沿所述第一晶向而碎裂成两个半晶圆；其中，所述撞击器的撞击方向与所述第一晶向呈平行；其中，每个所述半晶圆包含有平行所述第一晶向的一碎裂边缘，并且两个所述半晶圆分别定义为一第一半晶圆与一第二半晶圆；其中，所述预击边缘区为位于所述撞击口的所述待测晶圆的边缘部分。
[0012]优选地，所述晶圆强度测试方法进一步包括：一第二准备步骤：将所述第一半晶圆平躺地设置于所述承载座上，并以安装于所述承载座的一支撑架顶抵与定位所述第一半晶圆的所述碎裂边缘，以使所述第一半晶圆的一预击边缘区对应于所述承载座的所述撞击口；其中，所述第二晶向位于所述预击边缘区；及一第二撞击步骤：以所述撞击器沿着所述预定平面穿过所述撞击口、并沿所述第二晶向撞击在所述第一半晶圆的所述预击边缘区，以使所述第一半晶圆沿所述第二晶向而碎裂。
[0013]优选地，所述待测晶圆进一步包含一第三晶向，而且所述第三晶向分别与所述第一晶向以及所述第二晶向相夹不大于90度，所述晶圆强度测试方法进一步包括：一第三准备步骤：将所述第二半晶圆平躺地设置于所述承载座上，并以所述支撑架顶抵与定位所述第二半晶圆的所述碎裂边缘，以使所述第二半晶圆的一预击边缘区对应于所述承载座的所述撞击口；及一第三撞击步骤：以所述撞击器沿着所述预定平面穿过所述撞击口、并沿所述第三晶向撞击在所述第二半晶圆的所述预击边缘区，以使所述第二半晶圆沿所述第三晶向而碎裂。
[0014]本专利技术的其中一有益效果在于，所述晶圆横向撞击测试装置及晶圆强度测试方法能以撞击器沿着所述待测晶圆所处的所述预定平面而撞击在所述预击边缘区，据以测试所述待测晶圆沿所述晶向而碎裂所需的测试强度。
[0015]为能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。
附图说明
[0016]图1为公知的晶圆强度测试装置的动作示意图。
[0017]图2为本专利技术第一实施例的晶圆横向撞击测试装置的立体示意图。
[0018]图3为本专利技术第一实施例的晶圆横向撞击测试装置的分解示意图。
[0019]图4为本专利技术第一实施例的晶圆载台的立体示意图。
[0020]图5A为本专利技术第一实施例的待测晶圆的平面示意图。
[0021]图5B为本专利技术第一实施例的另一待测晶圆的平面示意图。
[0022]图6为本专利技术第一实施例的撞击器载台的立体示意图。
[0023]图7为本专利技术第一实施例的撞击器撞击待测晶圆的立体示意图。
[0024]图8为本专利技术第一实施例的撞击器的示意图。
[0025]图9为图7的VIII部分的放大示意图。
[0026]图10为本专利技术第一实施例的撞击器撞击待测晶圆的撞击力道变化示意图。
Wafer)。其中，所述待测晶圆200的尺寸较佳是6英寸(inch)，但本实施例并不限于此。举例来说，所述待测晶圆200也可以是一抛光硅晶圆片(Polished Wafer)或是其他种类的硅晶圆片，而所述待测晶圆200的尺寸也可以是8英寸或12英寸等其他尺寸。
[0040]如图3及图4所示，所述晶圆载台11具有呈圆形的一底面112、环绕设置于所述底面112边缘的一侧壁113、设置于所述底面112的边缘且贴靠所述侧壁113的多个承载凸块114、以及设置于所述侧壁113相对远离多个所述承载凸块114一侧的一安装块115。其中，所述预定平面13位于多个所述承载凸块114的上方，所述撞击口111形成于所述侧壁113。多个所述承载凸块114位于所述底面112与所述预定平面13之间，且所述底面112与所述预定平面13彼此相互平行。所述安装块115用以供所述支撑架5锁入固定，但本专利技术不以上述为限。
[0041]需要说明的是，所述底面112于本实施例中具有一厚度以及多个锁入本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆横向撞击测试装置，其特征在于，所述晶圆横向撞击测试装置包括：一承载座，具有位在一预定平面上的一撞击口；其中，所述承载座用以供一待测晶圆平躺设置而落在所述预定平面上，并且所述待测晶圆定义有穿过其中心的一晶向；以及一撞击器，其对应于所述撞击口设置，并且所述撞击器能沿着所述预定平面运作；其中，所述撞击器的撞击方向与所述晶向呈平行；其中，当所述待测晶圆平躺地设置于所述承载座时，所述撞击器能沿所述预定平面穿过所述撞击口、并沿所述晶向撞击在所述待测晶圆的一预击边缘区，以使所述待测晶圆沿所述晶向而碎裂成两个半晶圆；其中，所述预击边缘区为位于所述撞击口的所述待测晶圆的边缘部分。2.根据权利要求1所述的晶圆横向撞击测试装置，其特征在于，所述晶圆横向撞击测试装置进一步包括有可活动地安装于所述承载座的一支撑架，并且所述支撑架能用来顶抵与定位任一个所述半晶圆的一碎裂边缘。3.根据权利要求1所述的晶圆横向撞击测试装置，其特征在于，所述晶圆横向撞击测试装置进一步包括有安装于所述承载座的一晶向传感器，并且所述晶向传感器与所述撞击口分别位于所述承载座的相反两侧；其中，当所述待测晶圆平躺地设置于所述承载座时，所述晶向传感器能沿所述预定平面测得所述待测晶圆的所述晶向。4.根据权利要求1所述的晶圆横向撞击测试装置，其特征在于，所述撞击器包含有面向所述撞击口的一撞击头，并且所述撞击头的外表面呈球面状，以使所述撞击头能用来保持以点接触的方式撞击在所述预击边缘区。5.根据权利要求4所述的晶圆横向撞击测试装置，其特征在于，所述撞击头的半径大于所述待测晶圆的厚度。6.根据权利要求4所述的晶圆横向撞击测试装置，其特征在于，所述承载座包含有形成有所述撞击口的一晶圆载台及连接所述晶圆载台的一撞击器载台，并且所述撞击器固定于所述撞击器载台，而所述撞击头呈悬空状。7.根据权利要求1所述的晶圆横向撞击测试装置，其特征在于，所述晶圆横向撞击测试装置进一步包括有连接于所述撞击器的一力道控制器，并且所述力道控制器能用来控制所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢伟杰，陈瑞斌，
申请(专利权)人：昆山中辰矽晶有限公司，
类型：发明
国别省市：
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