显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本公开示例性实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括在基底上叠设的第一导电层、第一金属层、金属氧化物层和第二金属层，金属氧化物层包括第一有源层，第一有源层包括沟道区域、源过渡区域和漏过渡区域，源过渡区域和漏过渡区域均包括第一区域和第二区域，第一区域对应的第一有源层的导电率高于第二区域对应的第一有源层的导电率，或者，第一区域对应的第一有源层的氧元素含量小于第二区域对应的第一有源层的氧元素含量，或者，第一区域对应的第一有源层的厚度小于第二区域对应的第一有源层的厚度。本公开示例性实施例减少了图案化工艺次数，提升了栅电极与沟道区域的对位精度，提升了薄膜晶体管的电学特性。的电学特性。的电学特性。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本公开示例性实施例涉及但不限于显示
，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有超薄、大视角、主动发光、高亮度、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、低功耗、工作温度范围宽及可柔性显示等优点，已逐渐成为极具发展前景的下一代显示技术。依据驱动方式的不同，OLED可以分为无源矩阵驱动(Passive Matrix，PM)型和有源矩阵驱动(Active Matrix，AM)型两种，AMOLED是电流驱动器件，采用独立的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)控制每个子像素，每个子像素皆可以连续且独立的驱动发光。依据出光方向的不同，OLED可分为顶发射型OLED和底发射型OLED，底发射型OLED是最早被使用的结构。
[0003]OLED设计中，像素开口率是重要参数之一，也是提高显示装置分辨率的重要因素，尤其对于底发射型OLED。为了保证存储电容的容量，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括在基底上叠设的第一导电层、第一金属层、第一绝缘层、金属氧化物层、第二绝缘层和第二金属层；所述金属氧化物层包括第一有源层，所述第二金属层包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；所述第一有源层包括沟道区域、位于所述沟道区域两侧的源过渡区域和漏过渡区域、以及位于所述源过渡区域远离沟道区域一侧的源连接区域和位于所述漏过渡区域远离沟道区域一侧的漏连接区域；所述源连接区域与所述第一源电极连接，所述漏连接区域与所述第一漏电极连接；所述源过渡区域和漏过渡区域均包括远离所述沟道区域的第一区域和邻近所述沟道区域的第二区域；所述第一区域对应的第一有源层的导电率高于所述第二区域对应的第一有源层的导电率，或者，所述第一区域对应的第一有源层的氧元素含量小于所述第二区域对应的第一有源层的氧元素含量，或者，所述第一区域对应的第一有源层的厚度小于所述第二区域对应的第一有源层的厚度。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一区域对应的第一有源层的导电率高于所述源连接区域和漏连接区域对应的第一有源层的导电率，或者，所述第一区域对应的第一有源层的氧元素含量小于所述源连接区域和漏连接区域对应的第一有源层的氧元素含量，或者，所述第一区域对应的第一有源层的厚度小于所述源连接区域和漏连接区域对应的第一有源层的厚度。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一栅电极在基底上正投影的边界位于所述第二绝缘层在基底上正投影的边界范围内；所述沟道区域在基底上正投影的边界位于所述第二绝缘层在基底上正投影的边界范围内。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括规则排布的多个子像素，每个子像素包括像素驱动电路和电连接所述像素驱动电路的有机电致发光二极管，所述像素驱动电路包括存储电容，所述存储电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板在基底上的正投影与所述第二极板在基底上的正投影存在交叠区域。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管；所述第一晶体管的栅电极耦接于第二晶体管的第二极，所述第一晶体管的第一极耦接于第一电源线，所述第一晶体管的第二极耦接于所述有机电致发光二极管的第一极，所述有机电致发光二极管的第二极耦接于第二电源线；所述第二晶体管的栅电极耦接于第一扫描线，所述第二晶体管的第一极耦接于数据线；所述第三晶体管的栅电极耦接于第二扫描线，所述第三晶体管的第一极耦接于补偿线，所述第三晶体管的第二极耦接于所述第一晶体管的第二极；所述存储电容的第一极耦接于所述第一晶体管的栅电极，所述存储电容的第二极耦接于所述第一晶体管的第二极。6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一导电层包括所述存储电容的第一极板，所述金属氧化物层包括所述存储电容的第二极板。7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一极板的材料包括透明导电材料，所述交叠区域位于所述显示基板的发光区域。8.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一金属层包括所述存储电容的第一极板，所述金属氧化物层包括所述存储电容的第二极板。9.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第二金属层包括所述存储电容的第一极板，所述金属氧化物层包括所述存储电容的第二极板。
10.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一金属层包括所述存储电容的第一极板，所述第二金属层包括所述存储电容的第二极板。11.根据权利要求6至9任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二极板对应的金属氧化物层的导电率高于所述第二区域对应的第一有源层的导电率，或者，所述第二极板对应的金属氧化物层的氧元素含量小于所述第二区域对应的第一有源层的氧元素含量，或者，所述第二极板对应的金属氧化物层的厚度小于所述第二区域对应的第一有源层的厚度。12.根据权利要求1至10任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一金属层包括第一电源线和第一连接电极，所述第一连接电极与第一极板连接，所述第一金属层与基板之间设置有透明导电薄膜；所述第一连接电极在基底上的正投影与所述第一有源层的沟道区域在基底上的正投影存在交叠区域。13.根据权利要求1至10任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一源电极和第一漏电极设置在所述第一绝缘层上；所述第一漏电极搭设在所述第一有源层的漏连接区域上，且通过第一过孔与第一连接电极连接；所述第一源电极的第一端通过第二过孔与所述第一电源线连接，所述第一源电极的第二端搭设在所述第一有源层的源连接区域上。14.根据权利要求1至10任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一源电极和第一漏电极设置在所述第二绝缘层上；所述第一漏电极通过第一有源过孔与所述第一有源层的漏连接区域连接，且通过第一过孔与第一连接电极连接；所述第一源电极的第一端通过第二过孔与所述第一电源线连接，所述第一源电极的第二端通过第二有源过孔与所述第一有源层的源连接区域连接。15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～14任一所述的显示基板。16.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：在基底上依次形成第一导电层、第一金属层和金属氧化物层，所述金属氧化物层包括第一有源层；依次形成第二绝缘层和第二金属层，通过两次导体化处理使所述第一有源层形成沟道区域、位于所述沟道区域两侧的源过渡区域和漏过渡区域、以及位于所述源过渡区域远离沟道区域一侧的源连接区域和位于所述漏过渡区域远离沟道区域一侧的漏连接区域；所述第二金属层包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，所述源连接区域与所述第一源电极连接，所述漏连接区域与所述第一漏电极连接；所述源过渡区域和漏过渡区域均包括远离所述沟道区域的第一区域和邻近所述沟道区域的第二区...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宁，张大成，耿军，张沣，潘洋，周斌，闫梁臣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：