电流比较电路、检测图像太阳黑子效应的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种电流比较电路、检测图像太阳黑子效应的装置及方法，所述检测图像太阳黑子效应的装置包括电流比较电路、感光模块、信号控制模块和判断模块，所述感光模块用于根据图像信号输出像素电压信号，所述电流比较电路与所述感光模块连接，用于对所述感光模块的输出端进行电流检测与比较；所述信号控制模块与所述电流比较电路连接，用于为所述电流比较电路提供控制信号；所述判断模块与所述感光模块和所述电流比较电路的输出端连接，用于根据所述电流比较电路的比较信号进行图像太阳黑子判断，本发明专利技术能够通过简单的逻辑控制快速检测图像中是否存在太阳黑子效应，同时整体电路功耗低。功耗低。功耗低。

【技术实现步骤摘要】
电流比较电路、检测图像太阳黑子效应的装置及方法


[0001]本专利技术涉及图像传感器
，尤其涉及一种电流比较电路、检测图像太阳黑子效应的装置及方法。

技术介绍

[0002]互补金属氧化物半导体(Complementary Metal
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Oxide
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Semiconductor，CMOS)是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，而基于该芯片技术的CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)作为一种图像传感设备，在图像领域具有不可替代性，而随着CMOS图像传感器芯片应用范围越来越广，为了在各种场景下都能表现出稳定可靠的输出图像，相应产品对其性能要求也越来越高。
[0003]在CIS芯片各项指标中，强光源下输出图像的稳定性是各类CIS产品的基本要求，尤其是车载应用的CIS，经常能遇到太阳光源直射的场景。基于目前像素(Pixel)工艺和应用最多的SS
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ADC架构的CIS控制时序下，强光源会出现太阳黑子效应，使像素在复位后漏电以致复位电压降本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流比较电路，其特征在于，包括第一电容单元、第二电容单元、第一反相器单元、第二反相器单元、第一偏置模拟输入单元、第二偏置模拟输入单元、第一开关单元、第二开关单元和电流采样单元；其中，所述第一开关单元与所述第一电容单元连接，所述第二开关单元与所述第二电容单元连接，且所述第一开关单元和所述第二开关单元均与采样输出端连接，所述第一电容单元和所述电流采样单元均与所述第一偏置模拟输入单元连接，所述第二电容单元和所述电流采样单元均与所述第二偏置模拟输入单元连接，所述电流采样单元、所述第一开关单元、所述第二开关单元均与所述第一反相器单元连接，所述电流采样单元还与所述第二反相器单元的输入端连接。2.根据权利要求1所述的电流比较电路，其特征在于，所述第一电容单元包括第一NMOS管和第一电容，所述第一NMOS管的源极与所述第一电容的一端均接地，所述第一NMOS管的栅极与所述第一电容的另一端连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一偏置模拟输入单元连接；所述第二电容单元包括第四NMOS管和第二电容，所述第四NMOS管的源极和所述第二电容的一端均接地，所述第四NMOS管的栅极与所述第二电容的另一端连接，所述第四NMOS管的漏极与所述第二偏置模拟输入单元连接；所述第一反相器单元包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端输入使能信号，所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输出端，所述第二反相器的输出端与所述电流采样单元连接；所述第二反相器单元包括第三反相器和第四反相器，所述所述第三反相器的输入端与所述电流采样单元连接，所述第三反相器的输出端与所述第四反相器的输出端连接，所述第四反相器的输出端输出检测结果；所述第一开关单元包括第一开关和第五NMOS管，所述第一开关一端与所述采样输出端连接，所述第一开关的另一端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第五NMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端，所述第五NMOS管的漏极与所述第一开关的另一端连接，所述第五NMOS管的源极接地；所述第二开关单元包括第二开关和第六NMOS管，所述第二开关一端与所述采样输出端连接，所述第二开关另一端与所述第四NMOS管的栅极连接，所述第六NMOS管的漏极与所述第二开关的另一端连接，所述第六NMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端，所述第六NMOS管的源极接地；所述电流采样单元包括第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管，所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极均连接工作电压，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第三反相器的输入端连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的漏极均与所述第一偏置模拟输入单元连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第二反相器的输出端连接，所述第二PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极均与所述第二偏置模拟输入单元连接。3.根据权利要求2所述的电流比较电路，其特征在于，所述第一偏置模拟输入单元包括第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极接入第一偏置电
压，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极、所述第一PMOS管的漏极连接；所述第二偏置模拟输入单元包括第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极接入第二偏置电压，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极、所述第四NMOS管的漏极连接。4.根据权利要求2所述的电流比较电路，其特征在于，所述电流比较电路还包括第一输入单元和第二输入单元；所述第一偏置模拟输入单元包括第七NMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管，所述第九NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的栅极与所述第八NMOS管的漏极、所述第七NMOS管的栅极连接，所述第八NMOS管的栅极与所述第一反相器的输出端连接，所述第七NMOS管的源极、所述第八NMOS管的源极和所述第九NMOS管的源极均接地，所述第七NMOS管的栅极与所述第七NMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：芮松鹏，蔡化，陈飞，陈正，夏天，王勇，
申请(专利权)人：成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：