电压不足侦测电路制造技术

技术编号:31976702 阅读:18 留言:0更新日期:2022-01-20 01:20
一种电压不足侦测电路,包括分压器、电压至电流转换器及电流比较器。所述分压器对电源电压进行分压以产生分压电压。所述电压至电流转换器基于第一电压至电流转换函数将所述分压电压转换成第一电流,且基于第二电压至电流转换函数将所述分压电压转换成第二电流。所述第二电压至电流转换函数不同于所述第一电压至电流转换函数。所述电流比较器比较所述第一电流及所述第二电流以产生比较信号。所述比较信号指示所述电源电压是否足够大。通过适当地设计所述第一电压至电流转换函数及所述第二电压至电流转换函数,所述电压不足侦测电路与制程和温度变异的相关性可以很小。制程和温度变异的相关性可以很小。制程和温度变异的相关性可以很小。

【技术实现步骤摘要】
电压不足侦测电路


[0001]本专利技术涉及电压侦测,特别是涉及一种电压不足(undervoltage)侦测电路。

技术介绍

[0002]电压不足侦测电路被应用在芯片中,以侦测芯片的电源电压是否足够大。当判定电源电压不够大时,芯片的其他电路会被闭锁,以避免误动作及短路电流。电压不足侦测电路与制程和温度变异的相关性很小是重要的。
[0003]现有的电压不足侦测电路包括一个带隙电路及一个比较器。带隙电路产生与制程和温度变异无关的一个带隙电压。比较器比较带隙电压及从电源电压得出的一个电压,以决定电源电压是否足够大。带隙电路在电源电压大于一个大的启动阈值时才会工作,因此现有的电压不足侦测电路不利地具有一个大的未定义区域(也就是电压不足侦测电路无法正常提供输出的电源电压范围)。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种电压不足侦测电路。当所述电压不足侦测电路的电压至电流转换函数被适当地设计时,所述电压不足侦测电路与制程和温度变异的相关性很小。
[0005]本专利技术电压不足侦测电路包含分压器、电压至电流转换器及电流比较器。所述分压器接收电源电压,且对所述电源电压进行分压以产生分压电压。所述电压至电流转换器电连接到所述分压器以接收所述分压电压,基于第一电压至电流转换函数将所述分压电压转换成第一电流,且基于第二电压至电流转换函数将所述分压电压转换成第二电流。所述第二电压至电流转换函数不同于所述第一电压至电流转换函数。所述电流比较器电连接到所述电压至电流转换器以接收所述第一电流及所述第二电流,且比较所述第一电流及所述第二电流以产生比较信号。所述比较信号指示所述电源电压是否足够大。
[0006]本专利技术电压不足侦测电路中,所述电压至电流转换器包括第一电阻器、第二电阻器、第一双极性结型晶体管及第二双极性结型晶体管。所述第一电阻器具有第一端及第二端。所述第一电阻器的所述第一端接收所述电源电压及地电压中的一者。所述第二电阻器具有第一端及第二端。所述第二电阻器的所述第一端电连接到所述第一电阻器的所述第二端。所述第一双极性结型晶体管具有发射极端、集电极端及基极端。所述第一双极性结型晶体管的所述发射极端电连接到所述第二电阻器的所述第二端。所述第一双极性结型晶体管的所述集电极端电连接到所述电流比较器且提供所述第一电流。所述第一双极性结型晶体管的所述基极端电连接到所述分压器以接收所述分压电压。所述第二双极性结型晶体管具有发射极端、集电极端及基极端。所述第二双极性结型晶体管的所述发射极端电连接到所述第一电阻器的所述第二端。所述第二双极性结型晶体管的所述集电极端电连接到所述电流比较器且提供所述第二电流。所述第二双极性结型晶体管的所述基极端电连接到所述分压器以接收所述分压电压。所述第二双极性结型晶体管的饱和电流小于所述第一双极性结
型晶体管的饱和电流。
[0007]本专利技术电压不足侦测电路中,所述电流比较器包括第一电流镜、第二电流镜及第三电流镜。所述第一电流镜具有输入端及输出端。所述第一电流镜的所述输入端电连接到所述电压至电流转换器以接收所述第一电流。所述第二电流镜具有输入端及输出端。所述第二电流镜的所述输入端电连接到所述电压至电流转换器以接收所述第二电流。所述第三电流镜具有输入端及输出端。所述第三电流镜的所述输入端电连接到所述第一电流镜的所述输出端。所述第三电流镜的所述输出端电连接到所述第二电流镜的所述输出端。所述比较信号在所述第二电流镜及所述第三电流镜的共同节点处提供。
[0008]本专利技术电压不足侦测电路中,所述分压电压对所述电源电压的比值随着所述比较信号而改变。
[0009]本专利技术电压不足侦测电路中,所述分压器包括第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器及开关。所述第一电阻器具有第一端及第二端。所述第一电阻器的所述第一端接收所述电源电压及地电压中的一者。所述第一电阻器的所述第二端电连接到所述电压至电流转换器。所述第二电阻器具有第一端及第二端。所述第二电阻器的所述第一端电连接到所述第一电阻器的所述第二端。所述第三电阻器具有第一端及第二端。所述第三电阻器的所述第一端电连接到所述第二电阻器的所述第二端。所述第三电阻器的所述第二端接收所述电源电压及所述地电压中的另一者。所述开关与所述第三电阻器并联,且具有控制端。所述开关在所述比较信号指示所述电源电压足够大时导通,且在所述比较信号指示所述电源电压不够大时不导通。所述分压电压在所述第一电阻器及所述第二电阻器的共同节点处提供。
[0010]本专利技术电压不足侦测电路,还包含未定义区域限制器。所述未定义区域限制器包括第一金属氧化物半导体场效晶体管、电阻性元件及第二金属氧化物半导体场效晶体管。所述第一金属氧化物半导体场效晶体管具有漏极端、源极端及栅极端。所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极端接收所述电源电压及地电压中的一者。所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的所述栅极端电连接到所述电流比较器。所述第一金属氧化物半导体场效晶体管产生电流,且其产生的电流是所述第一电流及所述第二电流中的一者的镜像。所述电阻性元件具有第一端及第二端。所述电阻性元件的所述第一端接收所述电源电压及所述地电压中的另一者。所述电阻性元件的所述第二端电连接到所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的所述漏极端。所述第二金属氧化物半导体场效晶体管是低临界电压金属氧化物半导体场效晶体管,且具有漏极端、源极端及栅极端。所述第二金属氧化物半导体场效晶体管的所述漏极端电连接到所述电流比较器。所述第二金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极端电连接到所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的所述源极端。所述第二金属氧化物半导体场效晶体管的所述栅极端电连接到所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的所述漏极端。当所述第二金属氧化物半导体场效晶体管导通时,所述电流比较器使所述比较信号指示所述电源电压不够大。
[0011]本专利技术电压不足侦测电路中,所述电阻性元件包括多个金属氧化物半导体场效晶体管。所述电阻性元件的每一个金属氧化物半导体场效晶体管是低临界电压金属氧化物半导体场效晶体管。所述电阻性元件的所述金属氧化物半导体场效晶体管在所述电阻性元件的所述第一端及所述第二端间串联。所述电阻性元件的每一个金属氧化物半导体场效晶体管具有栅极端,且其栅极端接收所述地电压。
[0012]本专利技术电压不足侦测电路,还包含电容器。所述电容器具有第一端及第二端。所述电容器的所述第一端接收所述电源电压及地电压中对应所述电源电压不够大的一者。所述电容器的所述第二端电连接到所述电流比较器的节点。所述比较信号在所述节点处提供。
[0013]本专利技术电压不足侦测电路,还包含第一反相器及第二反相器。所述第一反相器是低偏斜反相器及高偏斜反相器中的一者,且具有输入端及输出端。所述第一反相器的所述输入端电连接到所述电流比较器以接收所述比较信号。所述第二反相器是所述低偏斜反相器及所述高偏斜反相器中的另一者,且具有输入端及输出端。所述第二反相器的所述输入端电连接到所述第一反相器的所述输出端。
[0014]本专利技术的有益的效果在于:通过适当地设计所述第一电压至电流本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压不足侦测电路,其特征在于:其包含:分压器,接收电源电压,且对所述电源电压进行分压以产生分压电压;电压至电流转换器,电连接到所述分压器以接收所述分压电压,基于第一电压至电流转换函数将所述分压电压转换成第一电流,且基于第二电压至电流转换函数将所述分压电压转换成第二电流,所述第二电压至电流转换函数不同于所述第一电压至电流转换函数;及电流比较器,电连接到所述电压至电流转换器以接收所述第一电流及所述第二电流,且比较所述第一电流及所述第二电流以产生比较信号,所述比较信号指示所述电源电压是否足够大。2.根据权利要求1所述的电压不足侦测电路,其特征在于:所述电压至电流转换器包括:第一电阻器,具有第一端及第二端,所述第一电阻器的所述第一端接收所述电源电压及地电压中的一者;第二电阻器,具有第一端及第二端,所述第二电阻器的所述第一端电连接到所述第一电阻器的所述第二端;第一双极性结型晶体管,具有发射极端、集电极端及基极端,所述第一双极性结型晶体管的所述发射极端电连接到所述第二电阻器的所述第二端,所述第一双极性结型晶体管的所述集电极端电连接到所述电流比较器且提供所述第一电流,所述第一双极性结型晶体管的所述基极端电连接到所述分压器以接收所述分压电压;及第二双极性结型晶体管,具有发射极端、集电极端及基极端,所述第二双极性结型晶体管的所述发射极端电连接到所述第一电阻器的所述第二端,所述第二双极性结型晶体管的所述集电极端电连接到所述电流比较器且提供所述第二电流,所述第二双极性结型晶体管的所述基极端电连接到所述分压器以接收所述分压电压;所述第二双极性结型晶体管的饱和电流小于所述第一双极性结型晶体管的饱和电流。3.根据权利要求1所述的电压不足侦测电路,其特征在于:所述电流比较器包括:第一电流镜,具有输入端及输出端,所述第一电流镜的所述输入端电连接到所述电压至电流转换器以接收所述第一电流;第二电流镜,具有输入端及输出端,所述第二电流镜的所述输入端电连接到所述电压至电流转换器以接收所述第二电流;及第三电流镜,具有输入端及输出端,所述第三电流镜的所述输入端电连接到所述第一电流镜的所述输出端,所述第三电流镜的所述输出端电连接到所述第二电流镜的所述输出端;所述比较信号在所述第二电流镜及所述第三电流镜的共同节点处提供。4.根据权利要求1所述的电压不足侦测电路,其特征在于:所述分压电压对所述电源电压的比值随着所述比较信号而改变。5.根据权利要求4所述的电压不足侦测电路,其特征在于:所述分压器包括:第一电阻器,具有第一端及第二端,所述第一电阻器的所述第一端接收所述电源电压及地电压中的一者,所述第一电阻器的所述第二端电连接到所述电压至电流转换器;第二电阻器,具有第一端及第二端,所述第二电阻器的所述第一端电连接到所述第一
电阻器的所述第二端;第三电阻器,具有第一端及第二端,所述第三电阻器的...

【专利技术属性】
技术研发人员:王颖翔廖容兴
申请(专利权)人:联咏科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1