【技术实现步骤摘要】
一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法
[0001]本专利技术属于材料制备
，尤其涉及一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法。
技术介绍
[0002]自单层石墨烯发现以来，具有优异光、电学性能的超薄二维半导体材料，如过渡金属二硫化物(TMDs)、黑磷、氮化硼(BN)等，备受关注，而且在场效应晶体管、光探测器、发光二极管、能源等领域有着可期的应用潜力。与块材相比，以二硫化钼(MoS2)为代表的薄层二维TMDs具有与层数相关的间接
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直接带隙转变、可调带宽、高的光发射效率、丰富的激子、高的电子迁移率、良好的柔性等优异特性。截止目前，已利用化学气相沉积法、分子束外延法、金属有机化学气相沉积法等方法制备出多种不同形貌的单层TMDs晶体，不同形貌二维TMDs晶体的生长研究，有助于明确其生长过程并确立其内在的生长机制，从而极大地促进了二维原子晶体的可控生长。高品质二维TMDs原子晶体的可控生长，有望加快实现其在高性能、低能耗超薄光电子器件领域的应用。
[0003]MoS2晶体具有非常显著的特性...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、以Si/SiO2为衬底，钼箔为钼源，硫粉为硫源；S2、双温区水平管式炉按照气流方向依次设定为硫源温区和沉积温区，硫源和钼源
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衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钼源
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衬底的石英舟位于沉积温区，钼箔展开置于石英舟内，衬底倾斜倒扣在钼箔正上方，衬底一端与钼箔接触，另一端由石英柱支撑，与钼箔的垂直间距为0.8
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1.0毫米；S3、先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫源温区的目标温度为225
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235℃，沉积温区的目标温度为910
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920℃，两温区同时升至目标温度值；S4、硫源温区产生的硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与钼箔反应，反应时间为15
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20分钟，在衬底上沿着气流方向得到覆盖率为5％，35％，100％的双层MoS2晶体材料，反应结束后在惰性气体保护下冷却至室温。2.如权利要求1所述的一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，Si/SiO2衬底尺寸为1cm
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2cm。3.如权利要求2所述的一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，其特征在于，Si/SiO2预...
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