一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法技术

本发明专利技术公开了一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，以Si/SiO2为衬底，三氧化钨粉末为钨源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定硫源温区和沉积温区，硫源和钨源

【技术实现步骤摘要】
一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法


[0001]本专利技术属材料制备
，尤其涉及一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法。

技术介绍

[0002]自石墨烯发现以来，具有优异光、电、热学性能的超薄二维半导体材料，如过渡金属二硫化物(TMDs)、黑磷、氮化硼(BN)等，备受关注，在场效应晶体管、光探测器、发光二极管、能源等领域有着可期的应用潜力。与块材相比，以二硫化钨(WS2)为代表的薄层二维TMDs具有与层数相关的间接
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直接带隙转变、可调带宽、高的光发射效率、丰富的激子、高的电子迁移率、良好的柔性等优异特性。截止目前，已利用化学气相沉积法、脉冲激光沉积法、金属有机化学气相沉积法等方法制备出多种形貌各异的单层TMDs晶体，不同形貌二维TMDs晶体生长的研究，有助于明确其生长过程并确立其内在的生长机制，从而极大地促进了二维原子晶体的可控生长。高品质二维TMDs原子晶体的可控生长，有望加快实现其在高性能、低能耗超薄光电子器件领域的应用。
[0003]WS2晶体具有非常显著的特性，如从块体到单层，不仅可以从间接带隙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、以Si/SiO2为衬底，三氧化钨粉末为钨源，硫粉为硫源；S2、双温区水平管式炉按照气流方向依次设定为硫源温区和沉积温区，硫源和钨源
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衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钨源
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衬底的石英舟位于沉积温区，三氧化钨粉末平铺在石英舟内，衬底水平倒扣于三氧化钨粉末正上方，一端与石英舟壁接触，衬底与三氧化钨粉末间距为0.9
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1.1mm；S3、先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫源温区的目标温度为250
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270℃，沉积温区的目标温度为900
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920℃，两温区同时升至目标温度值；S4、硫源温区产生的硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与三氧化钨反应，反应时间为15
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25分钟，在衬底上得到一维双层二硫化钨水平纳米带，反应结束后在惰性气体保护下冷却至室温。2.如权利要求1所述的一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，其特征在于：Si/SiO2衬底尺寸为0.5cm
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2cm。3.如权利要求2所述的一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，其特征在于：Si/SiO2衬底预处理：先将Si/...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈飞，姜夏，苏伟涛，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
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