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本发明公开了一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，以Si/SiO2为衬底，钼箔为钼源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定为硫源温区和沉积温区，硫源和钼源
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该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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