一种电子突触器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种电子突触器件及其制作方法，其包括基板、铜锌锡硫介质层、绝缘层、栅电极、源电极和漏电极。所述基板，作为器件硬支撑层；所述铜锌锡硫介质层形成在基板上，作为导电沟道；所述绝缘层形成在铜锌锡硫介质层上；所述栅电极形成于绝缘氧化硅上并不与铜锌锡硫接触；所述源电极和漏电极分别设置于栅电极的相反两侧并与铜锌锡硫接触。本发明专利技术采用铜锌锡硫替代传统硅导电沟道，通过栅电压控制导电沟道状态，实现对电导的多级调制，有利于作为电子突触使用。电子突触使用。电子突触使用。

【技术实现步骤摘要】
一种电子突触器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及微电子器件
，特别是涉及一种电子突触器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]为了突破传统冯
·
诺依曼构架计算体系的局限性，消除存储墙等多种效应对计算性能产生的不良影响，人们试图在单个电子器件上模拟突触行为，以便获得更利于模拟计算的类脑计算芯片。采用晶体管结构制作电子突触不仅有利于功耗降低，还具备电导调节范围广、读写可同时进行以及多通道输入等多个优势。
[0003]铜锌锡硫是一种广泛应用于薄膜太阳能电池吸收层的半导体材料，但尚未将其用于晶体管模拟突触特性。本专利技术将为晶体管电子突触提供了新的材料选择。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种电子突触器件及其制作方法，由于铜锌锡硫禁带宽度～1.5eV且其吸收系数高，使用其作为电子突触材料，不仅可以拓展晶体管突触材料选择的范围，还有望获得器件对光信号的良好响应。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0006]一种电子突触器件，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子突触器件，其特征在于：包含基板、铜锌锡硫介质层、绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；所述基板，作为器件支撑层；所述铜锌锡硫介质层形成在基板上，作为导电沟道；所述绝缘层形成在铜锌锡硫介质层上；所述栅电极形成在绝缘层上并且不与铜锌锡硫介质层接触；所述源电极形成在铜锌锡硫介质层上；所述漏电极形成在铜锌锡硫介质层上；所述源电极和漏电极分别设置于栅电极的相反两侧。2.根据权利要求1所述的一种电子突触器件，其特征在于：所述源电极、漏电极和栅电极的材料各自独立地选自金属、金属合金、导电金属化合物或其任意组合；优选地所述源电极、漏电极和栅电极的材料各自独立地选自金属、金属合金或导电金属化合物中的一种。3.根据权利要求1所述的一种电子突触器件，其特征在于：所述铜锌锡硫介质的化学分子式为Cu2‑
x
Zn
1+x
SnS4，其中0<x<0.3。4.根据权利要求1所述的一种电子突触器件，其特征在于：所述的基板为硅衬底；所述绝缘层为氧化硅层或者氮化硅层；所述绝缘层的厚度为2nm
‑
300nm。5.根据权利要求1所述的一种电子突触器件，其特征在于：所述的铜锌锡硫介质层的厚度为2nm
‑
1.5μm。6.根据权利要求1所述的一种电子突触器件，其特征在于：所述栅电极厚度为2nm
‑
300nm、源电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖云锋，宁玥，陈浩，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：