一种突触器件及实现其红外光调制突触行为的方法技术

本发明专利技术涉及一种突触器件及实现其红外光调制突触行为的方法。所述器件包括透明衬底、透明导电层、透明绝缘层、铜锌锡硫硒介质层、源电极和漏电极；所述透明衬底，作为器件硬支撑和光输入窗口；所述透明导电层形成于透明衬底上方，作为器件施加电信号的端子；所述透明绝缘层形成于透明导电层上方；所述铜锌锡硫硒介质层形成于透明绝缘层上方并与之接触良好，作为沟道材料使用；所述源电极和漏电极设置于铜锌锡硫硒上方并与之接触良好。本发明专利技术通过透明衬底引入激励光，实现红外光对源漏电导的调制，不仅有利于光电协同控制源漏电导，还进一步拓展突触器件响应的光谱范围。步拓展突触器件响应的光谱范围。步拓展突触器件响应的光谱范围。

【技术实现步骤摘要】
一种突触器件及实现其红外光调制突触行为的方法


[0001]本专利技术涉及微电子器件
，特别是涉及一种突触器件及实现其红外光调制突触行为的方法，从而模拟生物突触在光刺激下的条件反射行为。

技术介绍

[0002]为了突破传统冯
·
诺依曼构架计算体系的局限性，消除存储墙等多种效应对计算性能产生的不良影响，人们试图在单个电子器件上模拟突触行为，以便获得更利于模拟计算的类脑计算芯片。人体大脑对光、力、热等多种刺激的响应是通过对应感受机构传递信号而获得，研发对刺激信号进行直接响应的器件有利于对多种刺激信号的直接响应和处理。此外，人眼对于可见光可以做出判断，但是对于非可见光(如：红外、紫外等)很难做出响应。因此，开发能够对非可见光响应的光电突触非常有必要。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种突触器件及实现其红外光调制突触行为的方法，用于模拟生物突触在光刺激下的条件反射行为，突破人眼的光谱响应范围。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：/>[0005]一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种突触器件，其特征在于：包含透明衬底、透明导电层、透明绝缘层、铜锌锡硫硒介质层、源电极和漏电极；所述透明衬底，作为器件支撑层；所述透明导电层形成于透明衬底上，作为器件施加电信号的端子；所述透明绝缘层形成于透明导电层上；所述铜锌锡硫硒介质层形成于透明绝缘层上并与所述透明绝缘层接触，作为沟道材料使用；所述源电极形成于铜锌锡硫硒介质层上并与所述铜锌锡硫硒介质层接触；所述漏电极形成于铜锌锡硫硒介质层上并与所述铜锌锡硫硒介质层接触。2.根据权利要求1所述的一种突触器件，其特征在于：所述源电极和漏电极的材料各自独立地选自透明导电材料、金属、金属合金、导电金属化合物或其任意组合；优选地所述源电极和漏电极的材料各自独立地选自透明导电材料、金属、金属合金或导电金属化合物中的一种。3.根据权利要求2所述的一种突触器件，其特征在于：所述透明导电材料为ITO、IGZO或AZO；所述金属为Al、Ti、Ta、Cu、Pt、Au、W、Ni或Ag；所述金属合金为Pt/Ti、Ti/Ta、Cu/Ti、Cu/Au、Cu/Al、Ti/W或Al/Zr；所述导电金属化合物为TiN、TiW、TaN、WSi、AZO、ITO或FTO。4.根据权利要求1所述的一种突触器件，其特征在于：所述铜锌锡硫硒介质的化学分子式为Cu2‑
x
Zn
1+x
Sn(S
y
Se1‑
y
)4，其中0<x<0.3，0<y<1。5.根据权利要求1所述的一种突触器件，其特征在于：所述铜锌锡硫硒介质层的厚度为2nm
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：赖云锋，宁玥，何业法，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：