一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器及电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器及电子设备，其中，双栅π型薄膜晶体管光学感应器包括：多个感光单元，感光单元包括：基板；栅极层，至少部分覆盖基板；绝缘层，至少部分覆盖基板和栅极层；非晶硅层，至少部分覆盖绝缘层；n型非晶硅层，至少部分覆盖非晶硅层；源极层和漏极层，至少部分覆盖n型非晶硅层；第一钝化层，至少部分覆盖源极层和漏极层；光栅层，至少部分覆盖第一钝化层；第二钝化层，至少部分覆盖光栅层；相邻的感光单元的源极层和漏极层互相连接。本实用新型专利技术减小了相邻的感光单元在连接处的源极层和漏极层与栅极层的重叠面积，从而减小寄生电容，进而减小电学串扰和噪声。学串扰和噪声。学串扰和噪声。

【技术实现步骤摘要】
一种双栅
π
型薄膜晶体管光学感应器及电子设备


[0001]本技术涉及光学感应器
，尤其涉及一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器及电子设备。

技术介绍

[0002]光学感应器在工业自动化、工业无损检测、人工智能、医学诊断、消费电子等领域中应用广泛。以薄膜晶体管为基础的光学感应器具有成本低、易于大面积成像的优点。一个薄膜晶体管和一个光敏元件构成一个基本像素单元。为了增大感光面积、提高像素填充比，将薄膜晶体管与光敏元件集成，做成了双栅π型结构，薄膜晶体管的非晶硅沟道既作为电子通道，同时也用作感光，因此非晶硅厚度达到数千埃而两端为π尾区域，非晶硅只作为电子通道，厚度较薄。
[0003]薄膜晶体管沟道用作感光区，若沟道跨度(即沟道长度)太大(比如超过40μm)，会导致输出电流太小，容易受噪声影响、造成电输出失真，因此双栅π结构薄膜晶体管感应器常用多沟道感光。相对于单沟道的普通薄膜晶体管结构，增加了感光沟道的，两个感光单元之间的连接长度过长，由此造成了额外的电学负载，漏极与栅极、漏极与顶栅之间产生寄生电容，甚至可能造成严重的电学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双栅π型薄膜晶体管光学感应器，其特征在于，包括：多个感光单元，所述感光单元包括：基板；栅极层，至少部分覆盖所述基板；绝缘层，至少部分覆盖所述基板和所述栅极层；非晶硅层，至少部分覆盖所述绝缘层；n型非晶硅层，至少部分覆盖所述非晶硅层；源极层和漏极层，至少部分覆盖所述n型非晶硅层；第一钝化层，至少部分覆盖所述源极层和漏极层；光栅层，至少部分覆盖所述第一钝化层；第二钝化层，至少部分覆盖所述光栅层；相邻的所述感光单元的所述源极层和漏极层互相连接。2.根据权利要求1所述的双栅π型薄膜晶体管光学感应器，其特征在于，各所述感光单元之间的间距小于5μm。3.根据权利要求2所述的双栅π型薄膜晶体管光学感应器，其特征在于，各所述感光单元之间的间距不超过3μm。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗志猛，李源，谢雄才，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：