包括保护装置的图像感测装置制造方法及图纸

本申请涉及包括保护装置的图像感测装置。一种图像感测装置包括：多个单元感光像素，其被构造为将光转换为电信号，各个单元感光像素包括光电传感器以及被构造为执行与光电传感器关联的操作的多个晶体管；以及多个保护装置，各个保护装置联接到所述多个晶体管中的任一个，其中，所述多个保护装置中的每一个包括：掺杂有第一类型的导电杂质的第一区域；掺杂有第二类型的导电杂质并围绕第一区域的第二区域；以及掺杂有第一类型的导电杂质并围绕第二区域的第三区域，其中，第一区域包括接触部分和位于接触部分下方的第一阱，并且其中，接触部分具有比第一阱高的掺杂密度，并且接触部分联接到所述多个晶体管中的任一个。联接到所述多个晶体管中的任一个。联接到所述多个晶体管中的任一个。

【技术实现步骤摘要】
包括保护装置的图像感测装置


[0001]本专利文献中所公开的技术和实现方式总体上涉及一种图像感测装置。

技术介绍

[0002]在电子装置中使用图像传感器以将光学图像的光转换为电信号。图像感测装置可大致分类为基于CCD(电荷耦合器件)的图像感测装置和基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的图像感测装置。
[0003]与CCD图像传感器相比，使用CMOS制造技术制造的CMOS图像感测装置的尺寸更小并且消耗更少的功率。结果，对于具有光学相机和视频相机的电子装置，CMOS图像感测装置主导消费者市场。

技术实现思路

[0004]所公开的技术的各种实施方式涉及一种图像感测装置的单元像素中的保护装置，其被构造为有效地去除在等离子体工艺期间存储在单元像素中的晶体管的栅极中的电荷。
[0005]所公开的技术的各种实施方式涉及一种图像感测装置的单元像素中的保护装置，其被构造为具有高击穿电压，使得保护装置不影响受保护晶体管的操作。
[0006]根据所公开的技术的实施方式，一种图像感测装置包括：多个单元感光像素，其被构造为将光转换本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：多个单元感光像素，所述多个单元感光像素被构造为将光转换为电信号，各个单元感光像素包括光电传感器以及被构造为执行与所述光电传感器关联的操作的多个晶体管；以及多个保护装置，各个保护装置联接到所述多个晶体管中的任一个，其中，所述多个保护装置中的每一个包括：第一区域，所述第一区域掺杂有第一类型的导电杂质；第二区域，所述第二区域掺杂有第二类型的导电杂质并且围绕所述第一区域；以及第三区域，所述第三区域掺杂有所述第一类型的导电杂质并且围绕所述第二区域，其中，所述第一区域包括接触部分和位于所述接触部分下方的第一阱，并且其中，所述接触部分具有比所述第一阱高的掺杂密度，并且所述接触部分联接到所述多个晶体管中的任一个。2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一类型的导电杂质是P型杂质；并且所述第二类型的导电杂质是N型杂质。3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二区域包括浮置部分、位于所述浮置部分下方的第二阱以及位于所述第二阱下方的第一深阱，其中，所述浮置部分具有比所述第二阱高的掺杂密度。4.根据权利要求3所述的图像感测装置，其中，所述第二阱被布置为接触所述第一阱；并且所述接触部分具有比所述第二阱高的掺杂密度。5.根据权利要求3所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：浅沟槽隔离STI结构，该STI结构被布置在所述接触部分和所述浮置部分之间并且被构造为将所述接触部分和所述浮置部分彼此隔离。6.根据权利要求3所述的图像感测装置，其中，所述第三区域包括接地电压端子部分、位于所述接地电压端子部分下方的第三阱以及位于所述第三阱下方的第二深阱，其中，所述接地电压端子部分具有比所述第三阱高的掺杂密度。7.根据权利要求6所述的图像感测装置，其中，所述第三阱被布置为接触所述第二阱；并且所述接触部分具有比所述第三阱高的掺杂密度。8.根据权利要求6所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：浅沟槽隔离STI结构，所述浮置部分和所述接触部分通过该STI结构彼此隔离。9.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述多个晶体管中的每一个是传输晶体管、选择晶体管和重置晶体管中的任一个。10.根据权利要求1所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：隔离区域，该隔离区域被设置在设置有所述多个保护装置的区域与设置有所述单元感光像素的区域之间。11.根据权利要求10所述的图像感测装置，其中，
所述隔离区域包括掺杂有所述第一类型的导电杂质的第一隔离部分，其中，所述第一隔离部分接地。12.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中，所述隔离区域还包括掺杂有所述第二类型的导电杂质的第二隔离部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴淳烈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：